“垂直隧穿场效应管”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4720727个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]电动助力转向系统的控制器电路-CN202020960721.8有效
发明人：龚德林;查义炜;吴夏青;景彩云;张彤蕾 -专利权人：博世华域转向系统有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： B62D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电动助力转向系统的控制器电路，包括三相电机、微控制器、三相桥模块和三相电机相电压状态反馈电路；三相电机相电压状态反馈电路除了包括三个分压电路外还包括三个上拉电路；微控制器用于通过控制U相上桥场效应管、U相下桥场效应管、V相上桥场效应管、V相下桥场效应管、W相上桥场效应管和/或W相下桥场效应管的打开或关闭，并基于模数转换电压采集端采集到的电压对U相上桥场效应管、U相下桥场效应管、V相上桥场效应管、V相下桥场效应管、W相上桥场效应管和所述W相下桥场效应管进行上电故障诊断。本实用新型实现了对三相桥模块中每一个场效应管的准确诊断，提高了场效应管的诊断覆盖率。
电动助力转向系统控制器电路

[实用新型]一种脉冲频率输出电路及质量流量计-CN201921517204.7有效
发明人：张俊;周李;罗正江;田隆;何晓莉;刘超 -专利权人：成都赫泰智能科技有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01F1/84 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种脉冲频率输出电路及质量流量计，包括低侧场效应管及高侧场效应管，低侧场效应管的输入端连接第一二极管的负极，第一二极管的正极顺次连接第一电阻和保险丝后与电源连接，低侧场效应管的输出端与高侧场效应管的输入端连接，高侧场效应管的输出端连接一第二电阻后接地，低侧场效应管的控制端与高侧场效应管的控制端均连接脉冲输出电路的输出端，脉冲输出电路输出的脉冲信号控制低侧场效应管及高侧场效应管具有相反的开关状态。采用有源接线方式时候，低侧场效应管关闭，高侧场效应管打开；当采用无源接线方式时候，高侧场效应管关闭，低侧场效应管打开，由电源提供电能，实现在同一个电路板上使用有源或者无源的接线方式。
一种脉冲频率输出电路质量流量计

[发明专利]一种半导体存储器结构及其控制方法-CN201110119859.0无效
发明人：王鹏飞;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的半导体存储器结构包括一个用于存储信息的存储单元和一个连接存储单元的隧穿场效应晶体管。隧穿场效应晶体管用来进行对所述的半导体存储器控制，比如擦写操作和读操作。隧穿场效应晶体管中垂直的栅控二极管结构不仅可以满足对阻变存储器和相变存储器进行写入的大电流要求，而且可以提高存储器件阵列的密度，也适于半导体存储器芯片的制造，而且，其控制方法及控制电路也较为简单。
一种半导体存储器结构及其控制方法

[发明专利]无结型隧穿场效应晶体管及其形成方法-CN201310499924.6有效
发明人：刘立滨;蒋春生;梁仁荣;王敬;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出一种无结型隧穿场效应晶体管，包括：衬底；衬垫层，衬垫层位于衬底之上；沟道层，沟道层位于衬垫层之上，包括位于中间的沟道区和位于沟道区两侧的源区和漏区，其中，沟道区、源区和漏区的掺杂类型相同；源极该无结型隧穿场效应晶体管具有的结构简单、隧穿电流大、能有效抑制短沟道效应等优点。本发明还提出一种无结型隧穿场效应晶体管的形成方法。
无结型隧穿场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]用于带隙基准电路的启动电路-CN201810048026.1在审
发明人：何力 -专利权人：四川和芯微电子股份有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G05F1/625 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于带隙基准电路的启动电路，其包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管及第四场效应管，第一场效应管的栅极、源极均与外部电源连接，第一场效应管的漏极与第二场效应管的漏极、第三场效应管的栅极、第四场效应管的栅极共同连接，第二场效应管的栅极与带隙基准电路连接，第三场效应管的漏极与带隙基准电路连接，第三场效应管的源极、第四场效应管的漏极、源极及第二场效应管的源极均接地。
场效应管带隙基准电路启动电路漏极源极源极均接地静态功耗外部电源电阻能耗芯片

[实用新型]一种短波射频通信快速响应收发电路-CN202022846363.0有效
发明人：陈东;谭灵杰;程福强;桑孝 -专利权人：广东宽普科技有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H04B1/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种短波射频通信快速响应收发电路，包括两路放大电路、选段开关和收发开关电路；收发开关电路连接有两路驱动电路；两路驱动电路均包括场效应管VQ301、场效应管VQ302和场效应管VQ303；场效应管VQ301的G极与场效应管VQ302的D极连接，与场效应管VQ301的D极连接，还与场效应管VQ303的D极连接；场效应管VQ301的S极与场效应管VQ303的D极连接；场效应管VQ302的G极与场效应管VQ303的G极连接；场效应管VQ302的S极与场效应管VQ303的S极连接。
一种短波射频通信快速响应收发电路

[发明专利]垂直二维场效应器件及其制造方法-CN202111420075.1在审
发明人：罗杰;孙红波 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直二维场效应器件及其制造方法，方法包括：根据垂直二维场效应器件的图形设计，在基片表面设置相互交叉的第一成型掩膜和第一蚀刻掩膜，第一成型掩膜的宽度与场效应管单元的厚度相等，第一蚀刻掩膜的间距与场效应管单元的长度相等，进行第一次蚀刻形成第一深度的第一凹槽；第一成型掩膜和第一蚀刻掩膜两者下部的留存部分分别形成垂直场效应器件雏形和张拉骨架；再进行第二次蚀刻形成第二深度的第二凹槽，以及再实施后处理工艺形成源极、栅极和漏极采用上述方法得到垂直二维场效应器件，包括与基片呈垂直平面形状的场效应管，上端和下端分别为源极或者漏极，栅极设于源极和漏极之间，最终场效应管的周边填充第一绝缘材料。
垂直二维场效应器件及其制造方法

[发明专利]量子五极场效应管-CN201210537204.X在审
发明人：陈志波;陈霖 -专利权人：陈志波;陈霖
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：量子五极场效应管就是在结型场效应管的基础上加上绝缘栅极，以此构造成同时兼具结型场效应管功能和绝缘栅场效应管功能的双关联场效应管；例如，把N结型P沟道场效应管的源极S移至P沟道中央，作为场效应管的源极S，然后在原来的源极位置密封上一层氧化膜SiO2作绝缘层，在氧化膜SiO2的外缘植入金属栅极G，这样，以场效应管的源极S为分界线，靠近场效应管漏极D那一端相当于N结型P沟道场效应管，靠近场效应管绝缘栅极G那一端相当于P沟道增强型绝缘栅场效应管，原来N结型P沟道场效应管的N结门极也是P沟道增强型绝缘栅场效应管的源极s和漏极d，经过如此改造的场效应管有一个绝缘栅极G、一个漏极D、一个源极S、一个N结基片门极O(相当于P沟道增强型绝缘栅场效应管的源极s)和N结门极T(相当于P沟道增强型绝缘栅场效应管的漏极d)，共五个电极，而且在同一只场效应管上实现了“通”和“断”、“真”和“假”、“1”和“0”的有机统一，所以我们称之为量子五极场效应管
量子场效应

[发明专利]非对称射频收发开关电路-CN201510412195.5在审
发明人：朱红卫;杜浩华 -专利权人：海宁海微电子科技有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提出一种具有较小的尺寸和较低的成本，同时具有优良的插入损耗、线性度和隔离度的非对称射频收发开关电路，它包括天线OUT，它还包括第一MOS场效应管M1、第二MOS场效应管M2、第三MOS场效应管M3、第四MOS场效应管M4、第五MOS场效应管M5、第六MOS场效应管M6、第七MOS场效应管M7、第八MOS场效应管M8、第九MOS场效应管M9；第一MOS场效应管M1的D端、第五MOS场效应管M5的D端均与天线OUT连接；各MOS场效应管均设有P阱/深N阱和深N阱/P衬底的双二极管，其中深N阱和P阱浮空。
对称射频收发开关电路

[实用新型]非对称射频收发开关电路-CN201520509899.X有效
发明人：朱红卫;杜浩华 -专利权人：海宁海微电子科技有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型提出一种具有较小的尺寸和较低的成本，同时具有优良的插入损耗、线性度和隔离度的非对称射频收发开关电路，它包括天线OUT，它还包括第一MOS场效应管M1、第二MOS场效应管M2、第三MOS场效应管M3、第四MOS场效应管M4、第五MOS场效应管M5、第六MOS场效应管M6、第七MOS场效应管M7、第八MOS场效应管M8、第九MOS场效应管M9；第一MOS场效应管M1的D端、第五MOS场效应管M5的D端均与天线OUT连接；各MOS场效应管均设有P阱/深N阱和深N阱/P衬底的双二极管，其中深N阱和P阱浮空。
对称射频收发开关电路

[发明专利]一种低功耗USB高速信号电平转换电路-CN201310176252.5无效
发明人：关健 -专利权人：苏州文芯微电子科技有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开一种低功耗USB高速信号电平转换电路，第一场效应管的栅极与第二场效应管的漏极和栅极连接形成第一节点，第五场效应管的漏极与第一场效应管的漏极连接形成第三节点，第三、第四和第七场效应管关于第一、第二和第五场效应管对称连接并形成第二、第四节点，第九场效应管的漏极分别与第十至第十一场效应管的源极连接，第十场效应管的漏极和第十一场效应管的栅极均与第三节点连接，第十场效应管的栅极和第十一场效应管的漏极均与第四节点连接，所述第十二场效应管连接在第一节点和地之间，第十四场效应管连接在第二节点和第六场效应管的漏极之间，第十三、十五场效应管关于第十二、十四场效应管对称连接。
一种功耗 usb 高速信号电平转换电路

[实用新型]一种低功耗USB高速信号电平转换电路-CN201320260143.7有效
发明人：关健 -专利权人：苏州文芯微电子科技有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低功耗USB高速信号电平转换电路，第一场效应管的栅极与第二场效应管的漏极和栅极连接形成第一节点，第五场效应管的漏极与第一场效应管的漏极连接形成第三节点，第三、第四和第七场效应管关于第一、第二和第五场效应管对称连接并形成第二、第四节点，第九场效应管的漏极分别与第十至第十一场效应管的源极连接，第十场效应管的漏极和第十一场效应管的栅极均与第三节点连接，第十场效应管的栅极和第十一场效应管的漏极均与第四节点连接，所述第十二场效应管连接在第一节点和地之间，第十四场效应管连接在第二节点和第六场效应管的漏极之间，第十三、十五场效应管关于第十二、十四场效应管对称连接。
一种功耗 usb 高速信号电平转换电路

[实用新型]一种电脑主板不插处理器实现上电的电路-CN201822190015.5有效
发明人：王谦 -专利权人：深圳市智微智能科技开发有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电脑主板不插处理器实现上电的电路，包括第一场效应管和第二场效应管以及第三场效应管，第一场效应管的漏极分别与第二场效应管以及第三场效应管的栅极连接，第二场效应管和第三场效应管的漏极均与电脑主板上的I/O芯片连接；第一场效应管和第二场效应管以及第三场效应管均与电脑的电源连接；第一场效应管的栅极还与外部控制电路连接或与电脑主板上的南桥芯片连接，第一场效应管的源极接地；在电脑主板不插处理器时，通过外部控制电路或南桥芯片控制第一场效应管的通断，第一场效应管控制第二场效应管和第三场效应管的通断将I/O芯片的SLP_S3_L端和SLP_S5_L端的电平上拉，实现对I/O芯片提供上电时序信号；电路简单，体积小，适用范围广泛。
场效应管电脑主板外部控制电路处理器实现南桥芯片电路漏极上电通断上电时序信号本实用新型电源连接源极接地栅极连接体积小处理器上拉电脑

[发明专利]开关电源中场效应管的温度控制方法、开关电源及变频器-CN202310415336.3在审
发明人：梁笑伟;杨帆;黄伟 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关电源中场效应管的温度控制方法、开关电源及变频器，开关电源中场效应管的温度控制方法包括步骤：检测开关电源中场效应管的温度，并判断温度是否超过预设温度；若是，增加开关电源输出端连接的负载大小并降低所述场效应管的开关频率，使所述场效应管的温升降低。本发明提出的开关电源中场效应管会通过调整场效应管的开关周期、维持占空比不变的方式降低场效应管的开关频率，从而使场效应管的温升降低，防止场效应管因温升过高而烧损。
开关电源中场效应温度控制方法变频器

[发明专利]降压式变换电路-CN201110119665.0无效
发明人：陈开富;李家昀;曾创炜 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：一种降压式变换电路，包括第一场效应管、第二场效应管、PWM模组以及控制模组。第一场效应管的漏极连接到电压输入端，第一场效应管的源极与第二场效应管的漏极相连，第二场效应管的源极接地。PWM模组连接到第一场效应管和第二场效应管的栅极，用于控制第一场效应管和第二场效应管交替导通或者截止。控制模组与PWM模组相连接，其通过检测第一场效应管在导通情况下其漏-源极电阻是否正常，或者检测第二场效应管在导通情况下其漏-源极电阻是否正常，从而确定是否关闭供电电源。
降压变换电路