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[发明专利]一种NAND FLASH存储器并行测试及坏块回写方法-CN201910873960.1有效
发明人：杨超;马成英;张金凤 -专利权人：北京振兴计量测试研究所
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND FLASH存储器并行测试及坏块回写方法，该方法包括：读取多个存储器ID并将存储器ID与预设ID进行比较，判断每个存储器是否初步合格；判断初步合格的存储器中每一个LUN的第0块是否为非坏块；分别确定每一个存储器中每一个LUN的初始坏块数量；判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片；识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定为空片的存储器中每一个逻辑单元的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写；基于每一个LUN的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断对应存储器是否合格。本发明的方法能够实现多个NAND FLASH存储器的并行测试，能够有效识别出坏块并进行回写，提升了测试效率，同时对预设的原有标志位进行了保护。
一种 nand flash 存储器并行测试坏块回写方法

[发明专利]一种内嵌式存储器及其测试方法-CN202311153340.3在审
发明人：陈文涛;苏忠益 -专利权人：合肥康芯威存储技术有限公司
申请日： 2023-09-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种内嵌式存储器及其测试方法，包括：闪存块；固件闪存块，用以存储固件；以及主控器，电性连接于主机、闪存块以及固件闪存块，主控器用以对闪存块进行扫描，以获取擦除坏块与写坏块；其中，主控器还用以响应于主机或固件的擦除测试指令，对擦除坏块进行擦除操作处理，触发相应的擦除操作失败的错误处理流程，以将擦除测试块的信息存放于坏块表中；主控器还用以响应于主机或固件的写测试指令，对写坏块进行写操作处理，触发相应的写操作失败的错误处理流程，以将写测试块的信息存放于坏块表中。
一种内嵌式存储器及其测试方法

[发明专利]存储器块的管理方法、存储器的写操作方法以及存储器-CN202110500480.8有效
发明人：金烨;骆阳;李国阳;胡民;金徐冬 -专利权人：联芸科技（杭州）股份有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06F11/20 文献下载
摘要：本公开提供存储器块的管理方法、存储器的写操作方法以及存储器，存储器的数据存储区域包括用户区域和预留区域，用户区域内各个超级块并行写数据，所述管理方法包括：从用户区域中确定第一超级块，第一超级块为在至少一个通道内的所有块皆为坏块的超级块且该通道为目标通道；通过预留区域内的好块对第一超级块在目标通道上的至少一个坏块进行替换，其中，用户区域内未被替换的坏块为第一坏块且在写数据过程中略过该类型坏块以便写下一个块，被替换的坏块为第二坏块且在写数据过程中将数据写到该类型坏块的替换块上；生成第一坏块的位置信息以及第二坏块被好块替换的替换关联信息。
存储器管理方法操作方法以及

[发明专利]一种Nand设备的硬件控制器、控制方法及液晶显示器-CN201810530147.X在审
发明人：周学兵 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Nand设备的硬件控制器、控制方法以及液晶显示器，其中，该硬件控制器包括：坏块管理模块，用于管理Nand设备的坏块信息，所述坏块信息表示所述Nand设备中的坏块集合；主控制模块，用于接收终端的操作命令；所述操作命令用于指示对所述Nand设备的目标块集合进行读/写操作以及进行所述读/写操作所采用的数据传输方式，所述数据传输方式包括并行传输和串行传输中的至少一种；读写模块，用于跳过所述Nand设备中同时存在于所述坏块集合和所述目标块集合的块，对所述目标块集合中的其余块进行所述读/写操作。本发明不仅适用于不同数据传输方式的Nand设备，且能够在对Nand设备坏块管理的基础上进行读/写操作，提高Nand设备的适用性。
写操作集合数据传输方式硬件控制器目标块液晶显示器操作命令坏块信息坏块坏块管理模块主控制模块并行传输串行传输读写模块坏块管理接收终端跳过管理

[发明专利]一种基于二手手机电脑数据清除系统及方法-CN202310668479.5在审
发明人：易雪兵;林乐新 -专利权人：深圳闪回科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二手手机电脑数据清除系统及方法，通过获取二手电脑的磁盘信息，根据磁盘信息对磁盘扇区进行读写操作以确定磁盘信息的读写性能，若读取失败，则磁盘中部分存在坏块，若读取正常，操作完成后汉书返回为预先设定读取的字节数，若发生异常，则确定磁盘中存在坏块，且读操作完成后返回的字节数与预先设定的字节数不一致；在向磁盘写入数据之前将原数据迁移并将原数据回写，读取写入到磁盘中的数据，比较读取数据与预先写入的数据的一致性，若一致，则磁盘中的写操作区域不存在坏块，否则，判断该区域存在坏块，根据磁盘信息和读写性能对存储的数据进行清除或恢复操作，从而提高了磁盘数据检测的准确性和数据的安全性。
一种基于二手手机电脑数据清除系统方法

[发明专利]一种有效筛选颗粒新增坏块的方法及其系统-CN201910777858.1有效
发明人：刘丙圣;方华 -专利权人：深圳忆联信息系统有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G11C29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种有效筛选颗粒新增坏块的方法及其系统；其中，方法，包括：进行出厂坏块检测；将检测出的坏块移至坏块表中；对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块；将新增坏块移至坏块表中。本发明通过采取SLC模式，TLC模式，SLC模式和TLC模式，进行36轮全盘擦/写/读测试，数据采取固定数据/随机数据/固定和随机数据方式填入，块擦写读按照顺序/倒序/顺序和倒序折半方式，可以有效的筛查出易损坏、弱性坏块，将新增坏块或弱块更新到坏块表中，为SSD正常运行提供有效的保障，保证SSD固件长久稳定正常运行，能够更好地满足需求。
一种有效筛选颗粒新增方法及其系统

[发明专利]一种数据块修复方法、装置、设备及存储介质-CN202111274531.6在审
发明人：苏涛;王君宝 -专利权人：广东浪潮智慧计算技术有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据块修复方法、装置、设备及存储介质；在本方案中，检测RAID中的坏块后，根据坏块的条带号和磁盘ID生成坏块IO，并将坏块IO存储至巡检元数据管理表；若最近写巡检任务从巡检元数据管理表中获取的IO信息为坏块IO，则根据坏块IO重构坏块的数据，并将数据写入磁盘。可见，在本方案中，基于RAID最近写巡检任务，利用其执行周期短、执行速度快的特点，自动检测坏块、识别坏块、消除坏块，从而及时消除坏块对存储阵列IO处理性能的影响，有效降低主机端读写IO的响应时长，避免出现无法响应主机端读写数据的场景
一种数据修复方法装置设备存储介质

[发明专利]固态硬盘的潜在坏块定位方法及装置-CN201610831985.1有效
发明人：陈俊;李四林;李慕霄 -专利权人：深圳忆数存储技术有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明公开了固态硬盘的潜在坏块定位方法及装置，该方法包括如下步骤：在固件中预置有保留块表以及多个级别的坏块表；在正常温度下对全盘进行顺序地址的读/写数据操作时，记录超过设定坏块阈值的潜在坏块以及可纠正的位错误块信息，在极值温度下对全盘进行顺序地址的读/写数据操作时，记录超过设定坏块阈值的潜在坏块以及可纠正的位错误块信息，将超过设定坏块阈值的潜在坏块添加至初始化的坏块表中，并利用保留块表中的保留块替换潜在坏块，以及对位错误块进行分级处理并添加至对应的级别的坏块表中本发明能够准确定位固态硬盘的潜在坏块，能够提高芯片容量的有效利用率，提高固定硬盘的稳定性。
固态硬盘潜在定位方法装置

[发明专利]一种固态硬盘写错误的处理方法、装置及设备-CN201811474653.8在审
发明人：郑善龙 -专利权人：浪潮电子信息产业股份有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态硬盘写错误的处理方法、装置、设备及计算机可读存储介质，其中，该方法包括：当需要向固态硬盘中写入数据时，发送对应的写请求至所述固态硬盘；接收所述固态硬盘返回的写结果，如果所述写结果表示写入数据成功，则确定此次写数据完成；如果所述写结果表示写入数据失败，则确定所述固态硬盘中当前用于写入数据的块为坏块，禁止使用所述坏块实现对应数据处理，并返回执行所述发送对应的写请求至所述固态硬盘的步骤。由此，在出现写错误时，无法继续基于坏块实现对应的数据存储等数据处理功能，避免了现有技术中由于基于坏块实现对应数据存储时存在的问题，提高了存储性能的稳定性，并且保证了存储的数据的可靠性。
固态硬盘写入数据坏块数据存储写请求计算机可读存储介质数据处理功能发送装置及设备存储性能禁止使用数据处理写数据返回存储失败保证成功

[发明专利]一种基于LINUX操作系统的NANDFLASH无文件系统的坏块管理方法-CN202110819797.8在审
发明人：张泽坤 -专利权人：电信科学技术第五研究所有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G06F16/11 文献下载
摘要：本发明提供一种基于LINUX操作系统的NANDFLASH无文件系统的坏块管理方法，所述坏块管理方法包括：在LINUX操作系统下，通过修改NANDFLASH的驱动程序，使在对块读、写和擦除时自动跳过坏块。本发明利用LINUX操作系统内核源码可修改的特性，对NANDFLASH的驱动程序进行特定的修改，使其具有自动跳过坏块的功能。从而使应用程序在无文件系统的情况下无感的，连续读、写、擦除NANDFLASH的空间，无需担心坏块的问题。
一种基于 linux 操作系统 nandflash 文件系统管理方法

[发明专利]一种NANDFLASH写数据的方法和装置-CN201510133476.7有效
发明人：汤秋莲;马斌;王景华 -专利权人：合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND FLASH写数据的方法，其中NAND FLASH包括物理块，所述物理块具有一一映射的逻辑块，所述逻辑块包括映射表以及空闲链表，所述的方法包括确定待写的第一逻辑块；从所述空闲链表中获取擦写次数最少的物理块作为第一物理块；判断所述第一物理块是否为坏块，若是，则将当前第一物理块标记为坏块，并更换第一物理块；将待写入数据写入所述第一物理块；在所述映射表中记录所述第一逻辑块的映射至所述第一物理块。本申请通过利用空闲链表，以实现磨损平衡；将写操作中发现的坏块映射至坏块空间，重新从空闲链表中获取擦除次数最少的物理块进行写操作，以结合坏块管理与磨损平衡。
一种 nand flash 数据方法装置

[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN201811100533.1有效
发明人：洪龙焕;金炳烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C29/14 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、读/写电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储块。读/写电路对存储器单元阵列的所选页执行读/写操作。地址解码器存储关于所述多个存储块中的每一个的坏块标记数据，并响应于地址信号而输出坏块标记数据。控制逻辑控制读/写电路测试所述多个存储块中是否发生了缺陷，并且控制地址解码器存储表示所述多个存储块中是否发生了缺陷的测试结果作为坏块标记数据。
半导体存储器装置及其操作方法

[发明专利]一种SSD中优化写地址分配的方法-CN201811363697.3有效
发明人：王荣生;晋兆虎;廖彬彬;黄益人 -专利权人：杭州阿姆科技有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G06F12/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种SSD中优化写地址分配的方法。它具体包括如下步骤：（1）建立初始的坏块信息表BBIT；（2）建立块状换层BTL；（3）当地址分配的时候，由于在RAIDBlock中没有坏块，对产生地址的方式进行简化。本发明的有益效果是：通过块状换层BTL配置，实现写地址自动分配；由于避开了由于坏块导致的写位置不固定，可以采用硬件固定地生成编程地址，从而简化硬件设计复杂度；或者通过软件配置块内地址映射表的方式生成，降低
一种 ssd 优化地址分配方法

[发明专利]一种基于单片机的NAND-FLASH写操作方法-CN201410440206.6在审
发明人：田星星;何刚;焦来宾 -专利权人：科大智能电气技术有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于单片机的NAND-FLASH写操作方法，该方法包括以下步骤：（1）将NAND-FLASH划分为坏块映射信息区、块交换区、数据使用区和坏块替换区；（2）遍历坏块映射信息区，并根据遍历结果，在块交换区查找可以使用的交换块，在数据使用区或坏块替换区查找写操作真实的目的块；（3）擦除交换块；（4）复制目的块到交换块；（5）擦除目的块；（6）结合交换块的数据和要写入的数据生成新的数据，逐页写入到目的块本发明能够在内部RAM空间小于一个NAND-FLASH块空间的单片机上使用，其不仅能够保证NAND-FLASH在单片机上的稳定可靠使用，还可通过采用坏块管理来提高NAND-FLASH写操作的稳定性及可靠性
一种基于单片机 nand flash 操作方法

[实用新型]NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置-CN200920019142.7无效
发明人：李伟 -专利权人：浪潮电子信息产业股份有限公司
申请日： 2009-02-10 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置，属于烧写技术领域，其结构包括CPU、SDRAM、LED显示和NOR FLASH，SDRAM、LED显示和NOR FLASH均接在CPU上，CPU本实用新型的NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置，NANDFLASH部分用NANDFLASH座代替，焊接时只焊接座，而将需要检测或者烧写的NANDFLASH直接放到座上，检测及其烧写程序烧写在NORFLASH
nandflash 检测及其装置

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