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[发明专利]多层导磁装置及其在无线充/供电中的使用-CN201711082663.2在审
发明人：李青峰;王伟明;马伯志;薛林;李路明 -专利权人：北京品驰医疗设备有限公司;清华大学
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H02J50/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于无线充电的多层导磁装置，包括由软磁材料制成的第一片状部件，第一片状部件具有通过图案化处理被切穿而形成的第一图案，第一图案包括从第一片状部件的内部延伸到第一片状部件的边缘的线条；以及由软磁材料制成的第二片状部件，第一片状部件设置在第二片状部件上，第二片状部件包括如下之一，(i)未进行图案化处理的片状部件，和(ii)具有通过图案化处理切穿片状部件而形成的第二图案的片状部件，第二图案与第一图案不重叠。上述多层导磁装置用于磁屏蔽时，不仅由于软磁材料的磁导率高、易加工，增强了屏蔽效果、提高了设计灵活性，适用于小型化、轻薄化产品；还通过图案化处理，减少了涡流和发热，提高了能量传输效率。
多层装置及其无线供电中的使用

[发明专利]封装基板的制造方法-CN201810463523.8有效
发明人：欧宪勋;程晓玲;罗光淋 -专利权人：日月光半导体（上海）有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：根据发明一实施例的封装基板的制造方法，其包括提供第一叠合结构，提供载板，在载板的第一表面及第二表面上压合第一介电层以及第一叠合结构，对第一叠合结构的第一金属层进行图案化处理，提供第三叠合结构，对第三叠合结构的第二金属层进行图案化处理，将第二介电层以及图案化处理后的第三叠合结构压合于图案化处理后的第一叠合结构。
封装制造方法

[发明专利]一种PMUT接收阵列的制备方法和系统-CN202310729121.9在审
发明人：卢奕鹏;郑磊;赵雷;杨冲 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种PMUT接收阵列的制备方法和系统，所述方法包括：将硅片作为PMUT的基底；对硅片进行底电极与压电层的沉积处理；对顶电极进行沉积和图案化处理；对压电层进行刻蚀和图案化处理；沉积金属导线层和电板，并对电板进行图案化处理；采用深反应离子刻蚀DRIE制作空腔，选择SOI硅片基底以及二氧化硅作为DRIE刻蚀的停止层。
一种 pmut 接收阵列制备方法系统

[发明专利]壳体及其制作方法、电子设备-CN202110313294.3有效
发明人：成乐;陈志斌;吴献明;于宗强 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B41M3/00 文献下载
摘要：其中，壳体的制作方法包括提供壳体基体；在所述壳体基体上涂布双固化硬化液，并进行图案化处理以形成具有预设纹理图案的硬化膜；依次对所述硬化膜进行预固化处理及再固化处理，以在所述壳体基体上形成具有所述预设纹理图案的硬化层
壳体及其制作方法电子设备

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置-CN201911327443.0有效
发明人：马涛 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该阵列基板的制备方法包括提供一基板；在基板之上形成第一电极层；在第一电极层的背离基板的一面形成导体层；对导体层进行图案化处理形成导体图案；对第一电极层进行图案化处理形成第一电极。形成导体图案之前，第一电极层仍保持全面覆盖，排除因对第一电极层进行图案化处理产生的应力释放点固定造成的应力不均；在形成导体层之前，没有对第一电极层进行任何处理，避免带入异物，使第一电极层和导体层之间没有异物
阵列及其制备方法显示面板显示装置

[发明专利]半导体器件和栅极的形成方法-CN201310616514.5在审
发明人：隋运奇;孟晓莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在半导体器件形成方法中，在光刻胶层经图案化形成光刻胶图案后，对光刻胶图案进行软化处理工艺，降低光刻胶图案表面粗糙度；之后，采用Ar等离子气体处理光刻胶图案，去除在软化处理工艺中，由光刻胶图案侧壁滑落的部分光刻胶而形成于光刻胶侧壁底部的堆叠；之后再对光刻胶图案进行固化处理，强化光刻胶图案结构，并在光刻胶图案的表面形成修饰层，以进一步提高光刻胶图案的表面平整度，优化光刻胶图案结构，确保光刻胶图案的精确度，和后续以该光刻胶图案为掩膜刻蚀硬掩膜层后获得的硬掩膜图案的精确度，以及之后以硬掩膜图案为掩膜刻蚀待刻蚀材料层后，形成的半导体器件的结构精确度。
半导体器件栅极形成方法

[发明专利]数据处理装置、喷墨打印系统和数据处理方法-CN200810145780.3有效
发明人：村山仁昭;高桥喜一郎;勅使川原稔;枝村哲也;丸晶子;中野孝俊;平宽史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-08-19 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： B41J2/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种数据处理装置、喷墨打印系统和数据处理方法。使得能够进行点难以显现并且灰度属性难以劣化的打印。因此，在均具有不同尺寸的多个点中，通过针对大中尺寸点使用同一第一点布置图案来执行二值化处理，并且通过针对小尺寸点使用与第一点布置图案不同的点布置图案来执行二值化处理。
数据处理装置喷墨打印系统方法

[发明专利]支持多粒度稀疏与多模式量化的卷积神经网络的加速器-CN202010171755.3有效
发明人：谭展宏 -专利权人：交叉信息核心技术研究院（西安）有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06N3/082 文献下载
摘要：本发明一种支持多粒度稀疏与指数量化的卷积神经网络的加速器，包括主控制器，并行的第一级激活输入处理模块和第一级权重处理模块，并行的第二级激活输入处理模块和第二级权重处理模块，第三级处理模块，并行的池化处理模块和批归一化处理模块，以及输出控制器；通过对卷积神经网络进行压缩，实现剪枝与量化的结合；通过第三级处理模块的量化处理，分别将激活输入和权重进行量化处理；利用配置器能够实现通道/滤波器剪枝，利用处理卷积核稀疏的计算序列的控制实现卷积核剪枝，利用稀疏图案编码的输入和稀疏图案掩模控制器的处理实现可配置空间的图案剪枝，实现多粒度稀疏架构，从而能够对卷积神经网络进行加速，提高其处理能力和速度。
支持粒度稀疏模式量化卷积神经网络加速器

[发明专利]非电解镀敷方法、及陶瓷基板-CN201480007847.0有效
发明人：竹本洋平;关野士郎;改发雄太;山中广美 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-02-04 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：本发明涉及非电解镀敷方法，其为具备以下的非电解镀敷方法在陶瓷基板中，对银烧结体配线图案的表面进行脱脂及活化的脱脂·活化处理工序、对银烧结体配线图案的表面赋予催化剂的催化剂化工序、在银烧结体配线图案的表面形成多层的非电解镀敷被膜的非电解镀敷多层被膜处理工序，在脱脂·活化处理工序和催化剂化工序之间还具备在存在于脱脂·活化处理工序后的银烧结体配线图案的表面的玻璃成分上使银沉析的银沉析处理工序，催化剂化工序还对在银沉析处理工序中沉析了的银赋予催化剂。
电解方法陶瓷

[发明专利]形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法-CN201110386624.8有效
发明人：申喜珠;郑峻昊;李将银;吴世忠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：掩模图案形成在第二磁性层的区域上。通过执行至少一个蚀刻处理和至少一个氧化处理多次来形成磁性隧道结层图案和在磁性隧道结层图案的至少一个侧壁上的侧壁介电层图案。至少一个蚀刻处理可以包括第一蚀刻处理，其使用惰性气体和掩模图案来蚀刻磁性隧道结层的一部分以形成第一蚀刻产物。至少一个氧化处理包括第一氧化处理，其氧化附着在磁性隧道结层的蚀刻侧上的第一蚀刻产物。
形成磁性隧道结构随机存取存储器方法

[发明专利]一种湘绣图像基因构建以及湘绣图像数字化处理方法-CN201710280607.3有效
发明人：周桃云;梁平元;何诗雯;李卓霖;马彪;梁邵阳;任晓东 -专利权人：湖南人文科技学院
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G06F16/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种湘绣图像基因构建以及湘绣图像数字化处理方法，步骤为：(1)建立湘绣图案原始图案库；(2)构建湘绣图案基因；对湘绣图像进行识别，提取基本图案，并对A系列数据库中的图案元素进行特征分析、技术处理，获得各类图案基因，从而在图案基因的基础上再生成各种图案，并进一步组合成各种需要的图像；(3)设计并生成湘绣图案；(4)建立湘绣图案基因和图案数据库；(5)探索分析图案生成新方法和分析比较图案生成的不同方法；(6)对生成的图片文件进行“减肥”处理；(7)制作湘绣图案、基因展示软件系统。本发明的优点是：创新的运用图形图像处理技术于湘绣图案的数字化处理中，并将二维动画处理技术作用到平面静态图案中，提出利用Flash技术生图案变异基因图。
一种湘绣图像基因构建以及数字化处理方法

[发明专利]激光纹理化和阳极化表面处理-CN201910068030.9在审
发明人： E·汉基;M·S·纳什纳;P·拉塞尔-克拉克 -专利权人：苹果公司
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： B23P9/00 文献下载
摘要：本公开涉及激光纹理化和阳极化表面处理。本发明公开了一种处理制品的金属表面的方法，其包括以下步骤：提供具有金属表面的制品；使用激光对所述表面进行纹理化处理以产生横跨所述表面的受控图案；以及对所述表面进行阳极化处理。所述受控图案可包括一系列凹坑，所述一系列凹坑是以横跨所述表面的预定重复图案(如点阵列或格栅)蚀刻的。所述受控图案还可包括以横跨所述表面的预定伪随机图案蚀刻的一系列凹坑。
凹坑受控横跨阳极化表面激光纹理金属表面图案蚀刻纹理化处理阳极化处理图案蚀刻重复图案点阵列伪随机格栅激光

[发明专利]激光纹理化和阳极化表面处理-CN201280046345.X在审
发明人： E·汉基;M·S·纳什纳;P·拉塞尔-克拉克 -专利权人：苹果公司
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C25D11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理制品的金属表面的方法，其包括以下步骤：提供具有金属表面的制品；使用激光对所述表面进行纹理化处理以产生横跨所述表面的受控图案；以及对所述表面进行阳极化处理。所述受控图案可包括一系列凹坑，所述一系列凹坑是以横跨所述表面的预定重复图案（如点阵列或格栅）蚀刻的。所述受控图案还可包括以横跨所述表面的预定伪随机图案蚀刻的一系列凹坑。
激光纹理阳极表面处理

[发明专利]一种具有三维立体背景图案的手机后盖的加工工艺-CN201810038636.3在审
发明人：许一青;齐立斌;黄超 -专利权人：昆山三景科技股份有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： B29C69/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有三维立体背景图案的手机后盖的加工工艺。本发明的加工工艺包括如下步骤：1)图案印刷：在基料的表面印刷三维立体背景图案；2)热弯成型：将经步骤1)图案印刷的材料进行热弯成型工艺处理；3)硬化处理：将经步骤2)热弯成型处理后的材料进行硬化处理；4)CNC加工：将经步骤3)硬化处理后的材料进行CNC加工切除裙边，得到所述具有三维立体背景图案的手机后盖。本发明的具有三维立体背景图案的手机后盖的加工工艺，制得的手机后盖具有良好三维立体背景图案，表面硬度达5～6H/1kg的铅笔硬度，耐磨性好，耐磨性达到为5000次/1000g以上，抗冲击性强，抗冲击性能达到
背景图案三维立体手机后盖热弯成型硬化处理耐磨性图案印刷抗冲击性能表面印刷表面硬度工艺处理抗冲击性铅笔硬度裙边切除

[发明专利]阳极氧化处理的金属或合金表面进行成像的方法-CN201310050553.3无效
发明人：苏健强 -专利权人：珠海天威飞马打印耗材有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： B41M5/00 文献下载
摘要：本发明公开了阳极氧化处理的金属或合金表面进行成像的方法，该方法包括以下步骤：设计待成像图案的配色方案；采用喷墨打印技术、根据设计的配色方案在阳极氧化处理的金属或合金表面喷涂至少一种颜色的打印用墨水；阳极氧化处理的金属或合金表面的微孔吸附打印用墨水，形成待成像图案；以及对阳极氧化处理的金属或合金表面进行封孔处理，完成成像。本发明采用喷墨打印技术，根据预先设计的配色方案在阳极氧化处理的金属或合金表面进行成像处理，喷墨打印技术的使用不仅可简化成像过程的上色操作，而且与配色方案结合可一次性实现多种颜色的上色处理，有利于在阳极氧化处理的金属或合金表面形成色彩丰富
阳极氧化处理金属合金表面进行成像方法