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[发明专利]具有电荷固定层的半导体器件-CN201710722606.X有效
发明人：南泌旭;金亨俊;金成吉;崔至薰;金智美;金泓奭;安宰永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层、穿透栅电极和层间绝缘层的沟道层、在栅电极与沟道层之间的栅极电介质层、填充沟道层的内部的至少一部分的填充绝缘体、在沟道层与填充绝缘体之间并且包括高k材料和/或金属的电荷固定层、以及连接到沟道层并在填充绝缘体上的导电焊盘。导电焊盘可以与电荷固定层物理分离。
具有电荷固定半导体器件

[发明专利]具有表面反型固定界面电荷的功率器件-CN201710087033.8在审
发明人：李琦;陆诗维;李海鸥;首照宇;陈永和;杨年炯;李思敏;张法碧;高喜;傅涛 -专利权人：桂林电子科技大学;广西科技大学
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有表面反型固定界面电荷的功率器件，该功率器件包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上；场氧层内还设有变掺杂的固定界面电荷区；固定电荷区的电荷极性与有源层离子所属的极性相反；固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。反型固定界面电荷之间相互作用，在场氧层中形成连续尖峰电场，该尖峰电场改善了有源层的电场分布，从而有效提高器件的击穿电压。同时，由于漂移区离子部分电力线终止于反型固定界面电荷，有源层优化掺杂浓度提高，导通电阻下降。
具有表面固定界面电荷功率器件

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置-CN201610849607.6有效
发明人：孟虎 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括：衬底基板；在衬底基板上形成有固定电荷结构；在形成有固定电荷结构的衬底基板上形成有有源层、源极、漏极和栅极，有源层分别与源极和漏极连接；其中，固定电荷结构上的电荷为固定电荷，固定电荷结构包括：第一固定电荷块和第二固定电荷块，源极在第一固定电荷块上的正投影位于第一固定电荷块所在区域内，漏极在第二固定电荷块上的正投影位于第二固定电荷块所在区域内，且固定电荷结构与有源层接触。本发明无需使用高功函数的贵金属作为源、漏极，即可在源、漏极和有源层之间形成良好的欧姆接触，降低了薄膜晶体管的制造成本。
薄膜晶体管及其制造方法阵列显示装置

[发明专利]半导体隔离结构及其形成方法-CN202011228956.9在审
发明人：田中义典;张维哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体隔离结构，包括：衬底，具有第一沟槽及第二沟槽分别在衬底的第一区及第二区；填充层，位于第一沟槽以及第二沟槽中；衬层，在第一沟槽及第二沟槽的侧壁与底面；固定负电荷层，位于第一沟槽及第二沟槽中的填充层与衬层之间；以及固定正电荷层，位于第一沟槽中的固定负电荷层与衬层之间。在第一沟槽之中的衬层、固定正电荷层、固定负电荷层及填充层形成第一隔离结构。在第二沟槽之中的衬层、固定负电荷层及填充层形成第二隔离结构。本发明实施例的半导体隔离结构及其形成方法，可以减少PMOS装置的漏电流，并且可以避免正电荷引发NMOS装置的驼峰效应。
半导体隔离结构及其形成方法

[发明专利]复合膜及其制备方法-CN202110920033.8在审
发明人：李翔;袁红霞 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合膜及其制作方法，所述复合膜由依次层叠设置的第一膜层和第二膜层组成，所述复合膜用于设置于基底上；其中，所述第一膜层所带固定电荷的极性和所述第二膜层所带固定电荷的极性相反；所述第一膜层的厚度、所述第二膜层的厚度、所述第一膜层的面电荷密度和所述第二膜层的面电荷密度与所述基底的电荷密度相关。本申请提供的复合膜及其制备方法，能够根据半导体器件的需要调整复合膜的固定电荷密度，从而提高半导体器件的性能。
复合及其制备方法

[发明专利]电荷补偿耐压结构垂直氮化镓基异质结场效应管-CN201510410936.6有效
发明人：杜江锋;刘东;白智元;潘沛霖;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明公开了电荷补偿耐压结构垂直氮化镓基异质结场效应管，该器件特别之处在于还包括位于势垒层、沟道层、电流阻挡层及n‑GaN缓冲层外侧的电荷补偿绝缘层，并且在电荷补偿绝缘层与势垒层、沟道层、电流阻挡层及n‑GaN缓冲层界面处存在高密度的固定电荷；电荷补偿绝缘层由绝缘电介质构成。由于电荷补偿绝缘层与n‑GaN缓冲层界面处存在高密度的固定电荷，耐压时该界面负电荷可使得靠近的n‑GaN缓冲层反型，形成的p+柱将消耗n‑GaN缓冲层中的电子，使得缓冲层形成p+n超结结构并被完全耗尽，充分优化后缓冲层中的电场在垂直方向可保持3MV/cm基本不变，器件击穿电压达到GaN材料耐压极限。
电荷补偿绝缘层耐压异质结场效应管电流阻挡层氮化镓基固定电荷沟道层缓冲层界面处势垒层垂直器件击穿电压绝缘电介质超结结构电场负电荷反型耗尽消耗优化

[发明专利]一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件-CN201410833251.8在审
发明人：朱辉;李琦;徐晓宁 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件，包括衬底层、有源层以及处于衬底层和有源层之间的绝缘介质埋层，在绝缘介质埋层与有源层接触的表面的靠边区域设置了一个高浓度固定电荷区，高浓度固定电荷区面积占绝缘介质埋层与有源层接触的表面面积的50％-75％,高浓度固定电荷区电荷的浓度为1×1017～1×1018/cm2。本发明生产工艺简单，固定电荷掺杂浓度工艺容差比较大，受高温工艺影响小，与常规CMOS/SOI工艺完全兼容。应用本发明的功率器件，其耐压由于介质埋层电场的增强而大幅提高。
一种具有介质固定电荷 soi 功率器件

[发明专利]固体拍摄装置以及固体拍摄装置的制造方法-CN201310202507.0无效
发明人：渡边龙太;宇家真司 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固体拍摄装置具备光电变换元件、固体电荷层、氮化硅膜和氧化硅膜。光电变换元件将入射光光电变换成与受光量相应的量的电荷并积累。固定电荷层被设置在光电变换元件的受光面侧，并保持负的固定电荷。氮化硅膜被设置在固定电荷层的受光面侧。氧化硅膜被设置在固定电荷层和氮化硅膜之间。
固体拍摄装置以及制造方法

[发明专利]多级电离消电荷防雷装置-CN201910640427.0在审
发明人：宫全胜;李德东;张利华;巩瀚方;陈玉学;赵君;吴孟恒;周庆根;王建国;张思洋 -专利权人：宫全胜;李德东
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01T19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种多级电离消电荷防雷装置，包括：雷云底部电荷引聚单元，其包括引聚雷云电荷网针盘、引聚电荷金属针及电荷固定及传导杆，在引聚雷云电荷网针盘上方固定安装引聚电荷金属针，引聚雷云电荷网针盘下部固定于电荷固定及传导杆上；多级电离处理单元：其包括至少两层电离极板及其之间的绝缘层，最上层电离极板与雷云底部电荷引聚单元的传导杆下端固定安装；地面异性电荷引聚单元：包括引聚地面异性电荷网针盘、引聚电荷金属针，引聚地面异性电荷网针盘与多级电离处理单元的最下层电离极板固定安装，在引聚地面异性电荷网针盘下表面固定安装引聚电荷金属针。本多级电离消电荷防雷装置引聚雷电荷效果佳且结构稳定牢固、成本低。
电荷网针多级电离异性电荷金属针防雷装置传导杆电离极板处理单元绝缘层结构稳定下表面最上层最下层两层下端

[实用新型]多级电离消电荷防雷装置-CN201921111434.3有效
发明人：宫全胜;李德东;张利华;巩瀚方;陈玉学;赵君;吴孟恒;周庆根;王建国;张思洋 -专利权人：宫全胜;李德东
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01T19/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多级电离消电荷防雷装置，包括：雷云底部电荷引聚单元，其包括引聚雷云电荷网针盘、引聚电荷金属针及电荷固定及传导杆，在引聚雷云电荷网针盘上方固定安装引聚电荷金属针，引聚雷云电荷网针盘下部固定于电荷固定及传导杆上；多级电离处理单元：其包括至少两层电离极板及其之间的绝缘层，最上层电离极板与雷云底部电荷引聚单元的传导杆下端固定安装；地面异性电荷引聚单元：包括引聚地面异性电荷网针盘、引聚电荷金属针，引聚地面异性电荷网针盘与多级电离处理单元的最下层电离极板固定安装，在引聚地面异性电荷网针盘下表面固定安装引聚电荷金属针。本多级电离消电荷防雷装置引聚雷电荷效果佳且结构稳定牢固、成本低。
多级电离电荷防雷装置

[发明专利]固体摄像装置及其制造方法-CN201510535605.5在审
发明人：荒川贤一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：实施方式所涉及的固体摄像装置具有：第1导电型的第1半导体层；光电二极管区域，在所述第1半导体层表面形成有第2导电型的第2半导体层；第1层间绝缘膜，形成于所述第1半导体层上及所述光电二极管区域上；第1固定电荷膜，形成于所述第1层间绝缘膜上，具有所述第2导电型的电荷；1层或多层第2层间绝缘膜，形成于所述第1固定电荷膜上；以及第2固定电荷膜，形成于所述第2层间绝缘膜上，具有所述第2导电型的电荷。
固体摄像装置及其制造方法

[发明专利]钝化增强的图像传感器和表面钝化方法-CN202211513664.9在审
发明人：孙世宇;郑源伟 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：多层膜在凹陷区域上并且与凹陷区域共形，并且包括相邻高κ材料层的N层组。N层组的同一层组的每对相邻高κ材料层包括(i)具有外部固定电荷密度的外层，和(ii)位于外层与凹陷区域之间的具有内部固定电荷密度的内层。外部固定电荷密度和内部固定电荷密度中的每一个是负的。内部固定电荷密度的负值度大于外部固定电荷密度的负值度。
钝化增强图像传感器表面方法

[发明专利]背钝化的IBC太阳能电池结构及其制备方法-CN201210559845.5无效
发明人：柳伟 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：该电池的硅片的背面具有n+重掺杂层、p+重掺杂层，在n+、p+重掺杂层上具有n+、p+区钝化膜，n+区钝化膜为带固定正电荷的单层钝化膜或者最内层薄膜带固定正电荷的叠层钝化膜；p+区钝化膜为带固定负电荷的单层钝化膜或者最内层薄膜带固定负电荷的叠层钝化膜其制备方法是：首先在硅片的背面制作n+、p+重掺杂层；然后分别利用两块具有镂空的掩膜板在n+重掺杂层和p+重掺杂层上沉积n+区钝化层和p+区钝化层。电池背面因n+、p+区钝化膜所带的不同固定电荷分别在n+、p+重掺杂层感应出感应电荷，该种电荷感应使电池表面形成场效应钝化，提高了电池背面的钝化效果。
钝化 ibc 太阳能电池结构及其制备方法

[发明专利]形成且操作辅助电荷存储元件之方法-CN200510131482.5有效
发明人：郭明昌;吴昭谊;李明修;徐子轩 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种形成一辅助电荷记忆(AC内存)单元之方法。该方法使用一包括二侧电荷设陷层之二侧电荷陷阱记忆单元。一电荷系形成在该二侧电荷设陷层之至少一部份中。该二侧电荷设陷层中之一侧(AC侧)恒具有一固定高临限电压(Vt)位准，该电荷系用于AC记忆单元之辅助电荷。该另一侧(资料侧)系用于记忆体操作。
形成操作辅助电荷存储元件方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202210185515.8在审
发明人：崔德铉;许镇盛;李润姓;赵常玹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括：衬底；在衬底上或衬底中的至少一个处的沟道层；在衬底上的绝缘层；在绝缘层上的铁电层；在绝缘层和铁电层之间的界面上的固定电荷层，固定电荷层包括第一极性的电荷；以及在铁电层上的栅极。
半导体器件制造方法

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