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[实用新型]一种光控多晶硅还原炉电源-CN201520082432.1有效
发明人：王清华;张滔滔 -专利权人：重庆大全泰来电气有限公司
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H02M1/092 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光控多晶硅还原炉电源，包括：多组光控型可控硅组，每组光控型可控硅组包括相对设置的第一光控型可控硅和第二光控型可控硅，第一光控型可控硅的阳极与第二光控型可控硅的阴极连接，第一光控型可控硅的阴极与第二光控型可控硅的阳极连接；变压器，设有多组抽头，变压器的抽头与光控型可控硅组相对应，每组抽头与对应的光控型可控硅组的输入端连接；光控可控硅功率控制器，光控可控硅功率控制器分别与多组光控型可控硅组中的光控型可控硅的控制极连接；负载，负载的第一端与多组光控型可控硅组的公共输出端连接；N排，N排与负载的第二端连接。
一种光控多晶还原电源

[发明专利]一种应用于SOI工艺集成电路芯片的静电保护装置-CN202010008161.0在审
发明人：姜一波;毕卉;李大锦;施程 -专利权人：常州工学院
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用于SOI工艺集成电路芯片的静电保护装置，包括半导体衬底、埋氧层、P型阱区、P型体接触区、N型阱区、N型接触区和P型接触区，P型阱区、P型体接触区、N型阱区、N型接触区和P型接触区均位于所述埋氧层之上的硅膜区内，P型体接触区的一部分伸入所述N型阱区，P型体接触区伸入所述N型阱区部分与N型阱区和P型接触区构成侧边触发BJT，P型阱区、N型阱区、P型接触区和N型接触区构成的PNPN结构构成可控硅，侧边触发BJT作为可控硅的触发机构，解决了SOI工艺中利用可控硅或者类可控硅作为静电保护装置时开启电压不可控且电压过大的问题，达到调制SOI工艺中可控硅或者类可控硅开启电压的目的，大幅度降低SOI工艺中可控硅或类可控硅的开启电压。
一种应用于 soi 工艺集成电路芯片静电保护装置

[发明专利]一种可控棘轮装置-CN202010561259.9在审
发明人：阮南虎 -专利权人：阮南虎
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： F16D41/066 文献下载
摘要：本发明涉及一种可控棘轮装置，包括可控棘轮机构，所述可控棘轮机构包括可控齿圈、可控芯轮、滚子限位座、楔紧腔控制机构；所述可控芯轮包括可控滚子、滚子弹性体，所述可控芯轮在可控滚子的楔紧腔位置开设有容纳槽，所述可控滚子两端设置可控轴；所述滚子限位座设置在可控芯轮的前后两端，所述滚子限位座上设置有腰型孔，所述可控轴与所述腰型孔间隙配合，所述腰型孔控制所述可控轴使得所述可控滚子处于“楔紧”位置或处于“脱楔”位置；当滚子杠杆受力翘起建立可控楔紧腔，同时腰型孔控制所述可控轴使得所述可控滚子处于“楔紧”位置时，可控滚子可起到楔紧作用。
一种可控棘轮装置

[实用新型]一种可控棘轮装置-CN202021141003.4有效
发明人：阮南虎 -专利权人：阮南虎
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： F16D41/066 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可控棘轮装置，包括可控棘轮机构，所述可控棘轮机构包括可控齿圈、可控芯轮、滚子限位座、楔紧腔控制机构；所述可控芯轮包括可控滚子、滚子弹性体，所述可控芯轮在可控滚子的楔紧腔位置开设有容纳槽，所述可控滚子两端设置可控轴；所述滚子限位座设置在可控芯轮的前后两端，所述滚子限位座上设置有腰型孔，所述可控轴与所述腰型孔间隙配合，所述腰型孔控制所述可控轴使得所述可控滚子处于“楔紧”位置或处于“脱楔”位置；当滚子杠杆受力翘起建立可控楔紧腔，同时腰型孔控制所述可控轴使得所述可控滚子处于“楔紧”位置时，可控滚子可起到楔紧作用。
一种可控棘轮装置

[发明专利]一种可控硅整流器的静电放电保护装置-CN201910899074.6在审
发明人：董文静 -专利权人：徐州启祥电气有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控硅整流器的静电放电保护装置，可控硅整流器包括位于半导体衬底中的第一n型区域。可控硅整流器还包括位于半导体衬底中的与第一n型区域相邻的第一p型区域。可控硅整流器还包括n型接触区和位于第一n型区中的p型接触区。可控硅整流器还包括n型接触区和位于第一p型区中的p型接触区。可控硅整流器还包括具有比第一p型区域更高的电阻率的阻挡区域。阻挡区域位于第一p型区域的n型接触区域和p型接触区域之间用于减小可控硅的触发电压整流器。
可控硅整流器阻挡区域衬底半导体静电放电保护装置触发电压电阻率可控硅整流器减小

[外观设计]小夜灯（可控型）-CN201830731781.0有效
发明人：马志龙 -专利权人：马志龙
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：小夜灯（可控型）；2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于照明；3．本外观设计产品的设计要点：在于图案、形状与色彩；4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图；5．
小夜灯可控

[发明专利]包括硅可控整流器的静电放电保护装置-CN201610537492.7有效
发明人：吉多·沃特·威廉·夸克斯;赖大伟 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种包括硅可控整流器的静电放电保护装置。在一个例子中，该硅可控整流器包括位于半导体衬底中的第一n型区。该硅可控整流器还包括在该半导体衬底中与该第一n型区相邻而定位的第一p型区。该硅可控整流器另外包括位于该第一n型区中的n型接触区和p型接触区。该硅可控整流器还包括位于该第一p型区中的n型接触区和p型接触区。该硅可控整流器另外包括电阻率比该第一p型区更高的阻挡区。该阻挡区位于在该第一p型区中的该n型接触区和该p型接触区之间，用于降低该硅可控整流器的触发电压。
包括可控整流器静电放电保护装置

[发明专利]一种通用控制方法-CN200410004383.6有效
发明人：刘向东;赵建明 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2004-02-17 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： G05B19/00 文献下载
摘要：本发明为一种通用控制方法，该方法关键在于：各个被控制设备根据其工作方式，从整型变量、浮点型变量、布尔型变量、枚举型变量、字符串型变量以及二进制型变量中确定至少一种类型变量作为该被控制设备的可控变量，并将该可控变量的描述保存在该被控制设备上，该方法包括以下步骤：步骤A：控制设备从各个被控制设备上获取该被控制设备可控变量的描述；步骤B：利用控制设备执行对被控制设备的控制操作，控制设备根据控制操作中所操作的可控变量的类型，设置该被控制设备可控变量的值；步骤C：控制设备将设置的可控变量的名称，以及该可控变量的新值发送到被控制设备，被控制设备根据该可控变量的名称以及可控变量的新值进行控制操作。
一种通用控制方法

[发明专利]一种具有过压保护功能的双向可控硅及其制造方法-CN202110567148.3在审
发明人：邹有彪;王全;倪侠;徐玉豹 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有过压保护功能的双向可控硅及其制造方法，通过在双向可控硅的P型掺杂基区一下部形成N型电压调制掺杂区一，在P型掺杂基区二上部形成N型电压调制掺杂区二，这样P型掺杂基区一、N型电压调制掺杂区一、N型半导体衬底、N型电压调制掺杂区二、P型掺杂基区二形成一个双向的TVS器件结构，本发明的具有过压保护功能的双向可控硅通过在双向可控硅内集成双向TVS器件，利用TVS器件快速响应、过压钳位的特点，保护双向可控硅免受瞬态过压损坏
一种具有保护功能双向可控硅及其制造方法

[发明专利]双曲面锯齿型阻尼可控式减载屏障-CN201610243276.1有效
发明人：罗锟;雷晓燕;冯青松;刘林芽;曾少辉 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： E01F8/00 文献下载
摘要：本发明公开一种双曲面锯齿型阻尼可控式减载屏障，该双曲面锯齿型阻尼可控式减载屏障包括声屏障板、立柱和混凝土底座；声屏障板固定在两根立柱之间的卡槽内，立柱通过底部预留的钢筋固定在混凝土底座上，声屏障板包括两块双曲面板、变异蜂巢隔声体和多级阻尼可控螺栓，声屏障板由两块双曲面板通过端部焊接而成，双曲面板内均匀分布有正六边形孔洞。本发明的优点在于双曲面锯齿型阻尼可控式减载屏障的隔声效果好。双曲面锯齿型阻尼可控式减载屏障双向减载，效果好；双曲面锯齿型阻尼可控式减载屏障重量轻，强度高。双曲面锯齿型阻尼可控式减载屏障是一种组合结果，安装拆卸方便。
双曲面锯齿阻尼可控式减载屏障

[发明专利]提高功率半导体器件动态测试效率的电路-CN202210268852.3在审
发明人：张文亮;李文江;雷小阳;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：，测试电路本体包括开关K1以及开关K2，还包括设置于开关K1所在支路的第一可控型半导体开关电路以及设置于开关K2所在支路的第二可控型半导体开关电路，开关K1闭合且第一可控型半导体开关电路内的可控型半导体开关处于导通状态时，开关K1以及第一可控型半导体开关电路所在的支路处于通路状态；开关K2闭合且第二可控型半导体开关电路内的可控型半导体开关处于导通状态时，开关K2以及第二可控型半导体开关电路所在的支路处于通路状态。
提高功率半导体器件动态测试效率电路

[发明专利]NPN双极型晶体管辅助触发的互补型SCR结构-CN201010040055.7无效
发明人：李明亮;董树荣;韩雁;宋波;苗萌;马飞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-01-19 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种NPN双极型晶体管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD防护；利用第一可控硅和第二可控硅中的各一个双极型晶体管构成第三可控硅本发明采用NPN双极型晶体管降低各个可控硅的触发电压，特别适用于深亚微米工艺集成电路的片上ESD防护。
npn 双极型晶体管辅助触发互补 scr 结构

[发明专利]PNP双极型晶体管辅助触发的互补型SCR结构-CN201010040059.5无效
发明人：李明亮;董树荣;韩雁;宋波;苗萌;马飞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-01-19 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种PNP双极型晶体管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD防护；利用第一可控硅和第二可控硅中的各一个双极型晶体管构成第三可控硅本发明采用PNP双极型晶体管降低各个可控硅的触发电压，特别适用于深亚微米工艺集成电路的片上ESD防护。
pnp 双极型晶体管辅助触发互补 scr 结构

[实用新型]一字型布置的分级式可控高抗装置-CN201320010653.9有效
发明人：郑楠;李润秋;龚兴国;王劲武;康建国;余波;葛明;王代荣;李龙才;尹大千;伍晓伦;吴怡敏;蔡德江;朱大鹏;龚林珺 -专利权人：陕西省电力公司规划评审中心;西北电网有限公司;中国电力工程顾问集团西南电力设计院
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一字型布置的分级式可控高抗装置，该装置包括可控高抗本体和可控高抗控制部分，所述的可控高抗本体布设在可控高抗控制部分侧面，且可控高抗本体与可控高抗控制部分连接。本实用新型将可控高抗本体布设在可控高抗控制部分侧面，即两者采用“一字型”的布置方式，其相比于常规可控高抗本体和控制部分采用“面对面”布置型式显得更美观清晰，且更节省占地，具有良好的经济效益。
字型布置分级可控装置

[实用新型]一种具有保护功能的辅助电源-CN201820027576.0有效
发明人：郑其木;谢征君 -专利权人：深圳市微电能科技有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有保护功能的辅助电源，包括AC/DC模块、DC/DC模块、输出保护模块，其中所述输出保护模块包括可控型开关器件、第一电阻、第二电阻，所述可控型开关器件的一端连接至所述DC/DC模块的正输出端；所述可控型开关器件的另一端为所述输出保护模块的正输出端连接至MCU芯片的电源端，本实用新型的具有保护功能的辅助电源，可控开关器件的导通和断开，能有效地防止供电电源电路反接对MCU芯片造成损坏。另稳压二极管保护可控型开关器件，避免可控型开关器件的栅极的偏压过高造成损坏。
开关器件可控型输出保护模块保护功能辅助电源本实用新型正输出端电阻供电电源电路可控开关器件稳压二极管一端连接电源端有效地导通反接断开

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