专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]防伪装置-CN201520868449.X有效
  • 朱宰贤;张普胜;李东津 - 纳诺布雷克株式会社
  • 2015-11-03 - 2016-06-01 - G09F3/02
  • 本实用新型公开一种防伪装置,包括:磁性可变物质包含部,包含当所施加的磁场发生变化时,反射光或透射光发生变化的磁性可变物质;磁场发生部,产生可施加于磁性可变物质的磁场;及间隔层,设置于磁性可变物质包含部和磁场发生部之间并调节磁性可变物质包含部和磁场发生部的间隔;从而通过调节间隔层的厚度调节施加于磁性可变物质的磁场的强度,以此改变从磁性可变物质包含部反射或透射的光。
  • 防伪装置
  • [实用新型]防伪装置-CN201520868661.6有效
  • 朱宰贤;张普胜;李东津 - 纳诺布雷克株式会社
  • 2015-11-03 - 2016-06-01 - G09F3/02
  • 本实用新型的一种防伪装置,包括:磁性可变物质包含部,包含当所施加的磁场发生变化时,反射光或透射光发生变化的磁性可变物质;磁场发生部,产生可施加于磁性可变物质的磁场;及间隔层,设置于磁性可变物质包含部和磁场发生部之间并调节磁性可变物质包含部和磁场发生部的间隔;从而通过调节间隔层的厚度调节施加于磁性可变物质的磁场的强度,以此改变从磁性可变物质包含部反射或透射的光。
  • 防伪装置
  • [实用新型]防伪装置-CN201520868664.X有效
  • 朱宰贤;张普胜;李东津 - 纳诺布雷克株式会社
  • 2015-11-03 - 2016-10-12 - G06K19/06
  • 本实用新型公开一种防伪装置,包括:磁性可变物质包含部,包含当所施加的磁场发生变化时,反射光或透射光发生变化的磁性可变物质;磁场发生部,产生可施加于磁性可变物质的磁场;及间隔层,设置于磁性可变物质包含部和磁场发生部之间并调节磁性可变物质包含部和磁场发生部的间隔;从而通过调节间隔层的厚度调节施加于磁性可变物质的磁场的强度,以此改变从磁性可变物质包含部反射或透射的光。
  • 防伪装置
  • [实用新型]防伪装置-CN201520868662.0有效
  • 朱宰贤;张普胜;李东津 - 纳诺布雷克株式会社
  • 2015-11-03 - 2016-08-10 - G09F3/02
  • 本实用新型公开一种防伪装置,包括:磁性可变物质包含部,包含当所施加的磁场发生变化时,反射光或透射光发生变化的磁性可变物质;磁场发生部,产生可施加于磁性可变物质的磁场;及间隔层,设置于磁性可变物质包含部和磁场发生部之间并调节磁性可变物质包含部和磁场发生部的间隔;从而通过调节间隔层的厚度调节施加于磁性可变物质的磁场的强度,以此改变从磁性可变物质包含部反射或透射的光。
  • 防伪装置
  • [实用新型]离子阱-CN202020149983.6有效
  • 林毅恒;李岳;肖正国;杜江峰 - 中国科学技术大学
  • 2020-01-23 - 2020-10-27 - H01J3/04
  • 一种离子阱,应用于离子阱技术领域,包括:磁场发生装置、光场发生装置和可变电场发生装置,磁场发生装置,用于产生离子所需的约束磁场,光场发生装置,用于产生形状可变的光场,可变电场发生装置,用于通过该光场,利用光伏效应,产生可变约束电场,该可变约束电场的电势分布与该光场分布一致,以通过该约束磁场和该可变约束电场分别操控每个离子,可任意束缚和操控每个离子。
  • 离子
  • [发明专利]防止伪造及变造的装置-CN201380030269.8在审
  • 朱宰贤 - 纳诺布雷克株式会社
  • 2013-06-10 - 2015-03-25 - G01D15/12
  • 本发明涉及的防止伪造及变造的装置,其特征在于,具备:磁性可变物质含有部,其含有磁性可变物质,当所施加的磁场发生变化时,所述磁性可变物质的反射光或透射光发生变化;磁场产生部,用于产生可向磁性可变物质施加的磁场;以及动作部,当施加外部刺激时,改变向磁性可变物质施加的磁场的强度、方向以及特性中的至少一种,从而改变磁性可变物质的显示状态。
  • 防止伪造变造装置
  • [发明专利]防止伪造变造装置-CN201510375526.2有效
  • 张普胜;李东津;朱宰贤 - 纳诺布雷克株式会社
  • 2015-06-30 - 2019-09-24 - G02F1/19
  • 根据本发明的防止伪造变造装置,包括磁性可变物质含有部(100),其含有磁性可变物质(10),当所施加的磁场(B)发生变化时,所述磁性可变物质(10)的反射光或透射光(L)发生变化;磁场产生部(200),设置于磁性可变物质含有部(100)的下部,产生向磁性可变物质(10)施加磁场(B);以及颜色可变部(500,600,700),设置于磁性可变物质含有部(100)的上部,或介于磁性可变物质含有部(100)和磁场发生部(200)之间,通过外部刺激(E,P)使从磁性可变物质含有部(100)反射或透射光发生变化(L1‑>L2‑L7)。
  • 防止伪造变造装置
  • [发明专利]离子阱及离子束缚方法-CN202010078223.5在审
  • 林毅恒;李岳;肖正国;杜江峰 - 中国科学技术大学
  • 2020-01-23 - 2021-07-23 - H01J3/04
  • 一种离子阱,应用于离子阱技术领域,包括:磁场发生装置、光场发生装置和可变电场发生装置,磁场发生装置,用于产生离子所需的约束磁场,光场发生装置,用于产生形状可变的光场,可变电场发生装置,用于通过该光场,利用光伏效应,产生可变约束电场,该可变约束电场的电势分布与该光场分布一致,以通过该约束磁场和该可变约束电场分别操控每个离子。
  • 离子束缚方法
  • [发明专利]一种频率和场强可变的匀强磁场发生器及其控制方法-CN202210439539.1有效
  • 林德焱;赵雪亭;陈小芸;肖权;张子豪 - 武汉理工大学
  • 2022-04-25 - 2023-03-21 - H01F7/06
  • 本发明涉及一种频率和场强可变的匀强磁场发生器及其控制方法,所述频率和场强可变的匀强磁场发生器包括交流电源模块、线圈模块、可变电容模块和控制电路模块,交流电源模块、线圈模块和可变电容模块依次电连接,控制电路模块分别与交流电源模块、可变电容模块电连接,其中,控制电路模块根据设定的磁场频率和磁场幅值,确定补偿电容值和谐振电流幅值,驱动可变电容模块调节电容值,并驱动交流电源模块调节电压频率和幅值,使线圈模块产生频率、场强可变的匀强磁场本发明利用补偿电容和亥姆霍兹线圈的自感组成谐振网络实现稳流输出,使亥姆霍兹线圈产生频率和磁感应强度可调的磁场
  • 一种频率场强可变磁场发生器及其控制方法
  • [发明专利]可变磁阻传感器的净化方法和装置-CN201510459832.4在审
  • 彦斯·贝肯;罗伯特·丁力;胡壮丰 - 观致汽车有限公司
  • 2015-07-30 - 2015-12-09 - B08B7/00
  • 本发明公开了一种可变磁阻传感器的净化方法和装置,所述可变磁阻传感器至少包括:永磁铁和线圈。所述方法包括:磁化所述线圈,以在所述线圈周围产生磁化磁场,所述磁化磁场用于与所述永磁铁周围的固定磁场进行叠加,以使得所述可变磁阻传感器周围的总体磁场在至少一个时间段为零,从而去除由于所述固定磁场的吸引力而吸附在所述可变磁阻传感器上的铁质颗粒因此,本发明的实施例可以自动地清洁可变磁阻传感器,而无需将可变磁阻传感器从安装位置手动地拆除下来,这显著地降低了维护成本。
  • 可变磁阻传感器净化方法装置
  • [发明专利]反射型可变光衰减器-CN201180035334.7有效
  • 小野博章;中田英则;河合博贵;大田犹子;中村太郎 - 湖北工业株式会社
  • 2011-06-27 - 2016-10-26 - G02F1/09
  • 本发明提供一种使法拉第转子磁饱和的机构等小型化、简化的可变光衰减器。该可变光衰减器沿光轴依次设置光输入输出口、双折射元件(11)、可变偏振波旋转机构(14)、反射体(15)。可变偏振波旋转机构包括:永久磁铁(21),该永久磁铁对法拉第转子(20)的面内方向施加固定磁场,以便实现磁饱和;以及螺旋管(22),其对法拉第转子的光轴方向施加可变磁场。另外,永久磁铁的固定磁场在容易磁饱和的<211>方向施加。由此,可通过1000e左右的小磁场实现饱和,永久磁铁可采用磁力弱的铁氧体类,可变磁场小也无妨,因此可通过空芯的线圈而实现。
  • 反射可变衰减器

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