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[发明专利]一种具有PN叠型耐压层结构的可关断晶闸管-CN202310406370.4在审
发明人：陈万军;周彭炜;夏云;刘超;孙瑞泽;郑崇芝;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有低关断损耗以及高可关断电流的可关断晶闸管(GTO)，Gate turn‑off Thyristor,简称GTO。相对于传统的可关断晶闸管，本发明在器件的采用PN叠型耐压层结构，其位于N型电场截止层上方以及P型基区下方，其由低掺杂的P型漂移区和低掺杂的N型漂移区相叠构成。在关断时，本发明可关断晶闸管电场峰值位于P型漂移区和N型漂移区的交界处，电场分别向阳极方向和阴极方向拓展，因此电场建立的更快，关断损耗更低。同时电场峰值位置的改变降低了最大电场，从而增加了可以关断的最大电流。本发明的有益成果：改善了关断时的电场分布，关断时关断损耗显著降低，同时最大可关断电流得到显著提升。
一种具有 pn 耐压结构可关断晶闸管

[发明专利]一种模块化多电平换流器的半桥式子模块-CN201810829269.9在审
发明人：胡四全;范彩云;韩坤;王帅卿;张志刚;姚钊;宣佳卓 -专利权人：许继集团有限公司;许继电气股份有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种模块化多电平换流器的半桥式子模块，包括第一全控型可关断器件、第二全控型可关断器件和电容，第一全控型可关断器件、第二全控型可关断器件和电容依次连接形成回路，第一全控型可关断器件反并联有第一二极管，第二全控型可关断器件无内置二极管，外置有反并联的第二二极管，且第二二极管的最大承受功率大于设定值，第二二极管的两端并联有旁路开关，第二全控型可关断器件的两端引出半桥式子模块的正极和负极。本发明的半桥式子模块拓扑结构与传统半桥式子模块拓扑结构相比，无半控型可关断器件，而采用大功率二极管，控制简单灵活。且该半桥式子模块的拓扑结构能够较大幅度地降低子模块中IGBT成本和研制难度。
可关断器件全控型二极管半桥拓扑结构模块化多电平换流器反并联电容大功率二极管正极承受功率旁路开关依次连接负极子模块并联半控内置外置灵活

[实用新型]可关断型可控硅-CN94204295.6无效
发明人：许正山 -专利权人：许正山
申请日： 1994-03-07 - 公布日： 1995-05-10 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：可关断型可控硅。本实用新型属于一种半导体元件，特别是可关断的可控硅。该可控硅是在常规单向可控硅基础上，从无控制极的那个基区引出一只关断控制极，使用时只需将关断控制极与正极接通，就可将导通的可控硅关断。本实用新型结构简单、成本低、关断控制容易，尤其适宜在直流高电压大电流的情况下使用，同时还具备单向可控硅的应用领域。
可关断型可控硅

[发明专利]一种具有强动态雪崩抗性的可关断晶闸管-CN202310407779.8在审
发明人：陈万军;周彭炜;夏云;刘超;孙瑞泽;郑崇芝;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有强动态雪崩抗性的可关断晶闸管(GTO)，Gate turn‑off Thyristor,简称GTO。相对于传统的可关断晶闸管，本发明的耐压层结构采用了和N型电场截止层相反的掺杂电荷构成P型漂移区，P型漂移区采用的掺杂浓度远低于N型电场截止层，同时也远低于P型基区的掺杂浓度，为主要耐压层。在关断时，本发明的可关断晶闸管耗尽区内部的电荷极性和通态电流带来的额外载流子极性相反，通态电流的增加不会增加器件内部的电场峰值，因此不会发生动态雪崩效应，大大提升了可以关断的电流。
一种具有动态雪崩抗性可关断晶闸管

[发明专利]一种能阻断直流故障的柔直换流器、子模块及其保护方法-CN202010636620.X有效
发明人：李睿;彭程;蔡旭 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本发明公开了一种能阻断直流故障的柔直换流器、子模块及其保护方法，子模块包括：四全控型可关断器件、四二极管、两双向晶闸管、两附加二极管、两电容；第一、第二全控型可关断器件及第一电容依次连成回路；第三全控型可关断器件、第一双向晶闸管、第四全控型可关断器件、第二双向晶闸管及第二电容依次连成回路；二极管分别与全控可关断器件反并联；第一附加二极管阴极与第一电容正极相连；第二附加二极管阴极与第一附加二极管阳极相连，阳极与第二双向晶闸管、第二电容阴极以及负输出端子相连；第二、第一全控型可关断器件连接的端子作为正输出端子。
一种阻断直流故障换流模块及其保护方法

[发明专利]四极可关断晶闸管-CN93104247.X无效
发明人：方益树 -专利权人：方益树
申请日： 1993-04-16 - 公布日： 1994-10-19 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明是采用半导体制造工艺制成的四极可关断晶闸管，有独立的导通门极G1和关断门极G0，其内部构造分成三个部分P型层13-N型层14-P型层15-P型层16-N型层17五层主晶闸管、P型层20-N型层21-P型层22-N型层23四层副晶闸管及P型层18-N型层19硅二极管。副晶闸管仅在关断瞬间工作，其关断电流和功率都小于现有可关断晶闸管。本发明可用于电子、电器等控制领域，尤其在变频调速、逆变电源等方面更具有明显的优点。
四极可关断晶闸管

[发明专利]一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路-CN201010123544.9有效
发明人：刘树林;曹晓生;杨波;王媛媛 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路。它主要由一个P沟道增强型开关器件、一个N沟道增强型开关器件和接在该两个开关器件栅极上的电阻组成，并且P沟道增强型开关器件的漏极与N沟道增强型开关器件的漏极相接。该两个开关器件在脉冲宽度调制信号的控制下交替导通，并将N沟道增强型开关器件的漏、源极间电压反向加在耗尽型开关器件的栅、源极间来控制耗尽型开关器件的开通和关断。本驱动电路的特点是可快速开通和快速关断耗尽型开关器件。不仅解决耗尽型开关器件用于现有开关电源或开关功率变换器的驱动问题，同时还解决了耗尽型开关器件的快速关断问题。
一种快速耗尽开关器件驱动电路

[实用新型]一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路-CN201020130489.1无效
发明人：刘树林;曹晓生;杨波;王媛媛 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路。它主要由一个P沟道增强型开关器件、一个N沟道增强型开关器件和接在该两个开关器件栅极上的电阻组成，并且P沟道增强型开关器件的漏极与N沟道增强型开关器件的漏极相接。该两个开关器件在脉冲宽度调制信号的控制下交替导通，并将N沟道增强型开关器件的漏、源极间电压反向加在耗尽型开关器件的栅、源极间来控制耗尽型开关器件的开通和关断。本驱动电路的特点是可快速开通和快速关断耗尽型开关器件。不仅解决耗尽型开关器件用于现有开关电源或开关功率变换器的驱动问题，同时还解决了耗尽型开关器件的快速关断问题。
一种快速耗尽开关器件驱动电路

[发明专利]可关断晶闸管-CN95116824.X无效
发明人：Ｆ·鲍尔;Ｓ·艾兴尔 -专利权人：亚瑞亚.勃朗勃威力有限公司
申请日： 1995-09-01 - 公布日： 1998-10-14 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明提出一种ＧＴＯ，此种ＧＴＯ从阳极一侧主平面（２）起包括一个阳极发射区（６）、一个抑止层（１１）、一个ｎ－基区（７）、一个Ｐ－基区（８）和一个阴极发射区（９）。阳极发射区（６）制成透明发射区并且具有阳极短路区（１０）。借助抑止层、透明阳极发射区和阳极短路区的组合得到一种ＧＴＯ，它可以在较高的开关频率下工作，其基片厚度可以减小而其开关损耗并不增加。
可关断晶闸管

[实用新型]正弦波转速控制型软启动器-CN201120322687.2有效
发明人：魏明 -专利权人：魏明
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H02P23/14 文献下载
摘要：一种交流异步电动机正弦波转速控制型软启动器，其特征是：调压主电路由双向可关断半导体开关元件或单向反并联可关断半导体开关元件与续流电容并联组成，可关断半导体开关元件采用高频PWM控制，软启动器输出电压为正弦波型
正弦波转速控制启动器

[实用新型]一种机械式快速关断阀-CN202123056010.1有效
发明人：郭云章 -专利权人：江苏锐鸿机械有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： F16K1/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种机械式快速关断阀，具体为一种机械式快速关断阀，包括快速关断主阀体和改良型阀门结构，快速关断主阀体的内部安装有改良型阀门结构，改良型阀门结构包括有第一阀门、第二阀门和阀杆安装架总成，且阀杆安装架总成嵌入安装在第一阀门、第二阀门之间，同时第一阀门、第二阀门呈对称式分布，与此同时第一阀门、第二阀门之间粘贴安装有密封环，通过设置的改良型阀门结构通过对现有的快速关断阀的阀门结构进行改进，利用设置的第一阀门和第二阀门的双阀门结构可使得其一方面可实现双向关断，不仅密封效果更佳，还可有效的防止单一阀门出现破裂后造成介质泄漏，具有预防性，另一方面可使得整个关断过程中运行更为稳定、可靠。
一种机械式快速关断阀

[发明专利]一种子模块、相单元、电压源型多电平换流器及控制方法-CN201310222489.2有效
发明人：曹冬明;董云龙;汪楠楠;李钢 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本发明公开一种子模块，包括相互并联的第一支路和第二支路；第一支路包含相互串联的一个储能元件和至少一个可关断器件，至少有一个可关断器件正向串联在第一支路中；第二支路包括至少一个充电电路和至少两个可关断器件，所有可关断器件相互串联，且至少一个可关断器件与其它可关断器件反向串联，而充电电路与可关断器件并联，并使任意一个反向串联的可关断器件均在某一个充电电路的两端之间。此结构通过可关断器件的反向串联，在直流故障闭锁换流器时可以抑制甚至阻止交流系统向直流网络注入故障电流。本发明还公开一种前述子模块的控制方法，以及由该子模块组成的相单元及控制方法，以及由所述相单元组成的电压源型多电平换流器及控制方法。
种子模块单元电压源型多电平换流控制方法

[实用新型]门极可关断晶闸管关断特性测试装置-CN88207032.0无效
发明人：吕征宇;汪槱生 -专利权人：浙江大学
申请日： 1988-06-10 - 公布日： 1989-06-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：门极可关断晶闸管关断特性的新型测试装置，采用谐振放电方式测试门极可关断晶闸管的关断特性。与电阻负载型的测试装置相比，本装置具有可测容量范围大、改变量程容易、检测时方便可靠、功耗低、体积小、重量轻、制作简便、造价低廉等优点，而且稍作变动后还能测试大功率晶体管等器件的关断特性，以及一些电力电子器件的其它特性
门极可关断晶闸管特性测试装置

[发明专利]一种负压断路关断型CMOS射频整流器-CN201811097892.6在审
发明人：韦保林;韩怀宇;李兴旺;徐卫林;韦雪明;段吉海;岳宏卫 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明公开一种负压断路关断型CMOS射频整流器，包括负压产生单元、电平移位单元和可断路关断射频整流单元；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入负端接负射频信号RF‑；电平移位单元的的电源极接电源V_DD，电平移位单元的控制端接控制信号V_CTR；负压产生单元的输出连接电平移位单元的输入端；电平移位单元的输出接可断路关断射频整流单元的输入端；可断路关断射频整流单元的输出端作为整个整流器的输出端。本发明在使能状态时具有较高的PCE，在关断状态时具有较低的P_OFF，电路结构简单，设计容易，版图面积小，降低生产成本。
断路关断射频电平移位单元整流单元负压产生单元整流器射频信号输出端输入端负压电路结构关断状态控制信号输出连接输入负端输入正端电源极控制端状态时使能电源输出

[实用新型]一种负压断路关断型CMOS射频整流器-CN201821544135.4有效
发明人：韦保林;韩怀宇;李兴旺;徐卫林;韦雪明;段吉海;岳宏卫 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本实用新型公开一种负压断路关断型CMOS射频整流器，包括负压产生单元、电平移位单元和可断路关断射频整流单元；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入负端接负射频信号RF‑；电平移位单元的的电源极接电源V_DD，电平移位单元的控制端接控制信号V_CTR；负压产生单元的输出连接电平移位单元的输入端；电平移位单元的输出接可断路关断射频整流单元的输入端；可断路关断射频整流单元的输出端作为整个整流器的输出端。本实用新型在使能状态时具有较高的PCE，在关断状态时具有较低的P_OFF，电路结构简单，设计容易，版图面积小，降低生产成本。
断路关断射频电平移位单元整流单元负压产生单元整流器本实用新型射频信号输出端输入端负压电路结构关断状态控制信号输出连接输入负端输入正端电源极控制端状态时使能电源输出

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