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[发明专利]双层双面平面微线圈制作-CN03111310.9无效
发明人：梁静秋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2003-03-26 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H02K15/04 文献下载
摘要：本发明属于微机械构件，涉及双层双面平面微线圈的制作步骤如下：硅片双面抛光，双面氧化，双面光刻、腐蚀形成通孔；双面生长电铸阴极，厚胶双面光刻、电铸，形成上、下一层微线圈及通孔引线，去胶；进行第二次厚胶双面光刻后电铸磁芯；去胶，刻蚀掉电铸阴极；双面光刻形成绝缘层，双面溅射电铸阴极；进行第三次厚胶双面光刻、电铸形成上、下二层微线圈，去胶；进行第四次厚胶双面光刻、电铸形成上、下附加磁芯；去胶及电铸阴极；制作双面保护层。本发明提供了一种平面微线圈的电磁力大、减少了体积的双层双面平面微线圈制作方法。采用本发明制造的平面电磁微电机可应用于工业、航天、军事、医学及科学研究等领域。
双层双面平面线圈制作

[发明专利]一种MEMS圆片双面步进光刻方法-CN201310505575.4无效
发明人：王文婧;郭群英;吕东锋;徐栋;黄斌;陈璞;陈博;王鹏;何凯旋;刘磊;庄须叶 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS圆片双面步进光刻方法，其特征在于包括以下步骤：a.晶圆片在投影步进光刻机进行正面光刻，制作出对准标记（a、a）以及器件结构；b.在双面光刻机中，将晶圆片背面制作出相应的对准标记（b,b）；c.在投影步进光刻机中，对准晶圆片背面的对准标记（b,b），在晶圆片背面光刻制作对应的器件结构。本发明是结合双面光刻技术，在投影步进光刻工艺加工中实现双面结构制作，采用双面光刻机在背面制作一个对准标记，圆片正反两面使用投影步进光刻机进行较高精度套刻工艺制作。
一种 mems 双面步进光刻方法

[实用新型]一种精准对位的双面光刻系统-CN202222619079.9有效
发明人：王华;陈志特;朱敏;甘泉;黄海浩 -专利权人：广东科视光学技术股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种精准对位的双面光刻系统，包括CCD组件，CCD组件包括：对位相机，并沿着龙门式平台对称设置两个且进行移动，用于对PCB组件定位，本实用新型的双面光刻系统，通过设有两组CCD对准机构，CCD对准机构在X轴和Y轴上可移动以实现定位，使得光刻PCB板两面一致，保证其光刻质量，并可以对PCB板进行双面光刻工作。
一种精准对位双面光刻系统

[发明专利]一种穿通结构的可控硅芯片及其生产方法-CN201811155899.9在审
发明人：周明 -专利权人：江苏明芯微电子股份有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种穿通结构的可控硅芯片及其生产方法，涉及半导体器件的制造技术领域，将硅片经氧化处理、双面光刻穿通隔离窗口、对双面光刻穿通隔离窗口区域进行腐蚀、清洗、穿通隔离区硼掺杂扩散、P1、P2区硼扩散、光刻N+阴极区、N⁺区磷扩散、光刻环形台面沟槽窗口、腐蚀台面沟槽、钝化台面沟槽等步骤，取得穿通结构的可控硅芯片。在双面光刻穿通隔离窗口时，正面光刻的穿通隔离窗口宽度小于反面光刻的穿通隔离窗口宽度。
穿通隔离窗口可控硅芯片双面光刻光刻隔离区腐蚀硅片半导体器件钝化台面环形台面台面沟槽氧化处理正面光刻扩散磷扩散硼掺杂硼扩散阴极区清洗生产制造

[发明专利]用于MEMS的双面微加工方法和MEMS器件-CN201310382203.7有效
发明人：荆二荣;夏长奉 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于MEMS的双面微加工方法和MEMS器件。该方法包括：步骤1：在衬底的第一表面上制作用于双面光刻机的第一对位标记，并制作第一图形；步骤2：利用用于双面光刻机的所述第一对位标记在所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面制作用于双面光刻机的第二对位标记；以及步骤3：在所述第二表面上制作第二图形，其中，在步骤1和/或步骤2中还包括相应地在所述第一表面和/或第二表面上还形成用于步进光刻机的第三对位标记和/或第四对位标记，以采用步进式光刻机制作相应的所述第一图形和根据本发明的用于MEMS的双面微加工方法采用双面光刻机和步进光刻机相结合，提高了双面微加工的特征线宽和套准精度。
用于 mems 双面加工方法器件

[实用新型]一种双面光刻机-CN202023125583.0有效
发明人：张其文 -专利权人：四川鸿源鼎芯科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面光刻机，包括支撑板和桌脚，所述支撑板的上方固定有伸缩杆，且伸缩杆的上方设置有气缸，所述桌脚位于气缸的上方，且桌脚的外侧固定有侧板，所述桌脚的上方固定有工作平台，且工作平台的上方从后往前依次设置有上机体和安装座该双面光刻机，与现有的普通双面光刻机相比，方便调节该双面光刻机工作平台的高度，使得该双面光刻机适应不同身高的工人，方便进行加工，方便将加工产生的废屑，进行收集，方便处理，对电路板进行限位，方便将电路板夹持
一种双面光刻

[发明专利]一种无掩膜光学双面光刻装置-CN202110469869.0在审
发明人：袁翔;刘炳林;施泽平;吴闻彬 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种无掩膜光学双面光刻装置，包括图像光路系统、成像光路系统、基片承载系统及光刻电子系统；本发明通过计算机控制LCD控制器以控制液晶显示LCD模组的信号传输，将计算机生成的图样投射到涂有光刻胶的基片表面，完成无掩膜版的曝光及光刻。本发明采用两套成像光路系统，且两套成像光路系统相对于基片承载系统真空吸盘上的基片呈镜像设置，实现无掩膜多尺度光刻和双面光刻的功能。本发明以低成本实现无掩膜多尺度光刻和双面光刻功能。本发明可用于在基片双面制作图形，有效解决了现有技术中制作压力传感器及背面引线的离子敏感器件需双面精细加工的难题，为中小科研单位应用光刻技术提供了新思路。
一种无掩膜光学双面光刻装置

[实用新型]一种无掩膜光学双面光刻装置-CN202120904396.8有效
发明人：袁翔;刘炳林;施泽平;吴闻彬 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无掩膜光学双面光刻装置，包括图像光路系统、成像光路系统、基片承载系统及光刻电子系统；本实用新型通过计算机控制LCD控制器以控制液晶显示LCD模组的信号传输，将计算机生成的图样投射到涂有光刻胶的基片表面，完成无掩膜版的曝光及光刻。本实用新型采用两套成像光路系统，且两套成像光路系统相对于基片承载系统真空吸盘上的基片呈镜像设置，实现无掩膜多尺度光刻和双面光刻的功能。本实用新型以低成本实现无掩膜多尺度光刻和双面光刻功能。本实用新型可用于在基片双面制作图形，有效解决了现有技术中制作压力传感器及背面引线的离子敏感器件需双面精细加工的难题，为中小科研单位应用光刻技术提供了新思路。
一种无掩膜光学双面光刻装置

[发明专利]体硅微加工工艺的定位方法-CN201410660920.6有效
发明人：荆二荣 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种体硅微加工工艺的定位方法，采用双面光刻和步进式光刻相结合的方法，通过双面光刻机找到步进式光刻机在第一基片的步进式光刻对位标记，然后直接使用步进式光刻机对第二基片进行对位。步进式光刻机的对位精度就相当于下上基片表面的图形的对位精度，因而大大提高了体硅微加工工艺的对位精度。
体硅微加工工艺定位方法

[发明专利]一种自成像双面套刻对准方法-CN200910082586.X有效
发明人：马平;胡松;唐小萍;邢薇;严伟 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种涉及微电子专用设备技术领域用于双面光刻机的自成像套刻对准方法，此方法用于双面光刻机中实现样片与掩模版的套刻对准。该方法利用反射式波带片成像技术，在掩模版标记上方使用单视场显微镜或CCD成像系统对准，实现单曝光头正面套刻对准、正面两次(正反)曝光的双面对准光刻总体技术方案。该方法提供了一种在双面光刻机中仅在掩模版及样片一侧(即正面)使用一套光学系统即可实现双面套刻对准的方法，并有效地解决了其他常用对准方法中存在的结构复杂、操作繁琐以及套刻对准精度低等技术问题。
一种成像双面对准方法

[实用新型]光刻双面薄膜的装置-CN96207860.3无效
发明人：何萌;吕惠宾;周岳亮;陈正豪;崔大复 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 1996-04-16 - 公布日： 1998-02-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件平面光刻工艺领域,特别是涉及用于双面光刻的工具制造技术领域。本实用新型为了保证制备双面膜的感光胶厚度的均匀性和避免对膜造成的机械损伤,从而提供一种由匀胶机片托和台阶型样品光刻架,通过光刻架两端的固定槽用螺钉把匀胶机片托与样品光刻架固定住的装置。利用本实用新型制备双面薄膜,其胶膜厚度均匀,同时可避免对双面膜的机械损伤。
光刻双面薄膜装置

[发明专利]一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法-CN201310342944.2有效
发明人：王泰升;鱼卫星;卢振武;孙强 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法，属于光电技术及微纳加工技术领域，设计掩模板A和掩模板B，分别对应基片的表面a和表面b所需图形，在掩模板A上设计中心对称的内外两层对准标记，内层对准标记在基片尺寸范围内，首先利用掩模板A在基片的表面a进行光刻，接下来利用掩模板A在透明衬底表面进行光刻，将透明衬底上已做好光刻图形的表面与基片做好光刻图形的表面a相对，基片与衬底粘合后，利用掩模板B在基片表面b进行光刻，最后利用加热或溶解的方法将基片与透明衬底分离，得到具有双面对准图形的基片。借助透明衬底完成双面对准，实现利用普通的单面曝光机来实现双面光刻的问题，降低了双面光刻工艺成本。
一种利用单面曝光实现双面对准光刻方法

[发明专利]双面光刻机及双面光刻方法-CN201310003776.4有效
发明人：刘金磊;陈志刚;陈卢佳 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面光刻机，在同一腔体中包括互为镜像对称的第一激光光路和第二激光光路，载片台为夹式结构，第一激光光路和第二激光光路分别用于对晶圆的正面和背面曝光。本发明还公开了一种双面光刻方法。本发明能够实现在同一腔体中进行双面露光，且双面曝光过程中，晶圆的X和Y方向的位置相同，仅需改变晶圆的Z方向的位置，从而能够避免X和Y方向的镜像误差并提高光刻的套刻精度，实现光刻工艺的精度改善。
双面光刻方法

[发明专利]双面光刻围堰封装结构及其制备方法-CN202310497191.6在审
发明人：翟鑫月;张攀峰 -专利权人：广东越海集成技术有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明属于半导体封装技术领域，公开了一种双面光刻围堰封装结构及其制备方法。该双面光刻围堰封装结构包括封装基板、封装晶圆芯片、晶圆玻璃基板和塑封体，封装晶圆芯片设于封装基板上，且封装晶圆芯片与封装基板电性连接，封装晶圆芯片靠近封装基板的一侧设有标记部；晶圆玻璃基板的第一表面设有第一光刻围堰，晶圆玻璃基板的第二表面设有第二光刻围堰，第一光刻围堰和第二光刻围堰相对于晶圆玻璃基板呈对称设置，且第一光刻围堰远离晶圆玻璃基板的一端粘接于封装晶圆芯片上；塑封体包裹于晶圆玻璃基板和封装晶圆芯片的周侧，且第二光刻围堰的高度和塑封体的高度齐平设置。本发明提供的双面光刻围堰封装结构，能提高塑封质量。
双面光刻围堰封装结构及其制备方法

[实用新型]双面光刻围堰封装结构-CN202321052616.4有效
发明人：翟鑫月;张攀峰 -专利权人：广东越海集成技术有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体封装技术领域，公开了一种双面光刻围堰封装结构。该双面光刻围堰封装结构包括封装基板、封装晶圆芯片、晶圆玻璃基板和塑封体，封装晶圆芯片设于封装基板上，且封装晶圆芯片与封装基板电性连接，封装晶圆芯片靠近封装基板的一侧设有标记部；晶圆玻璃基板的第一表面设有第一光刻围堰，晶圆玻璃基板的第二表面设有第二光刻围堰，第一光刻围堰和第二光刻围堰相对于晶圆玻璃基板呈对称设置，且第一光刻围堰远离晶圆玻璃基板的一端粘接于封装晶圆芯片上；塑封体包裹于晶圆玻璃基板和封装晶圆芯片的周侧，且第二光刻围堰的高度和塑封体的高度齐平设置。本实用新型提供的双面光刻围堰封装结构，能提高塑封质量。
双面光刻围堰封装结构

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