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[发明专利]GaN基外延薄膜自分裂转移方法-CN201110458460.5有效
发明人：张保平;蔡丽娥;张江勇;江方 -专利权人：厦门大学
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：先在GaN基外延薄膜上蒸镀或溅射一层或多层金属，使之成为欧姆接触层，其中加入高反射率金属起到反射镜作用，再利用光刻方法在金属表面上制作出图形化光刻胶；在样品表面没有光刻胶的部分电镀金属衬底，并采用化学法去除光刻胶；把样品键合到支撑衬底上；采用激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，依据激光剥离技术去除蓝宝石衬底，有电镀金属区域的GaN基薄膜则转移到电镀的厚金属衬底，无电镀金属区域的GaN基薄膜发生分裂形成碎片，结果使GaN不仅可降低成本、简化工艺，而且可避免金属基板切割和解决因切割金属衬底而造成器件短路问题。
gan 外延薄膜分裂转移方法

[发明专利]立体电路与金属件的连接方法和LDS天线-CN201610701271.9有效
发明人：肖国文 -专利权人：广东小天才科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01R13/405 文献下载
摘要：本发明适用于立体电路制备和LDS天线技术领域，公开了一种立体电路与金属件的连接方法和LDS天线。连接方法，包括以下步骤：制备金属件和LDS材料，将LDS材料模塑成型得到LDS基体，并将金属件的至少一部分镶嵌于LDS基体，采用激光镭雕的方式在LDS基体形成电路图形，再采用化学镀的方式在电路图形和金属件的表面形成导电连接层LDS天线，包括金属件和LDS基体，金属件部分镶嵌于LDS基体，LDS基体采用激光镭雕的方式形成有电路图形，至少部分电路图形与金属件相接，通过采用化学镀的方式在电路图形和金属件表面形成有导电连接层。本发明提供的立体电路与金属件的连接方法和LDS天线，其产品可靠性佳且成本低。
立体电路金属件连接方法 lds 天线

[发明专利]一种空间任意弯曲光束产生器的结构与制备方法-CN201610533308.1有效
发明人：张中月;李辉;王刚 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：所述结构为金属矩形块、二氧化硅、金属、二氧化硅的四层结构，所述四层结构的基底层为二氧化硅，基底层上蒸镀金属膜，金属膜上有两条缝隙，金属膜上面蒸镀二氧化硅膜，二氧化硅膜上表面有非周期金属矩形块；本发明的结构通过甩负胶，曝光、显影、定影，垂直蒸镀金属，垂直蒸镀二氧化硅，除胶，甩正胶，再次曝光、显影、定影，再次垂直蒸镀金属和再次除胶制备得到。本发明制备结构能够形成空间任意弯曲光束，且本发明的方法避免了在金属表面刻凹槽，实验设备要求相对低，易于重复使用。
一种空间任意弯曲光束产生器结构制备方法

[发明专利]一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法-CN201610959284.6有效
发明人：曹文田 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法，纳米半导体光折变薄膜材料，包括金属薄膜和铅的硫属化合物薄膜，所述金属薄膜的一面与铅的硫属化合物薄膜的一面接触，其中，所述金属薄膜的金属的功函数大于等于所述铅的硫属化合物薄膜半导体的电子亲合能，或所述金属薄膜与所述铅的硫属化合物薄膜的接触界面形成肖特基结。制备方法，在衬底上生长一层透明的金属薄膜，然后在所述金属薄膜上生长一层铅的硫属化合物薄膜半导体材料。本发明采用金属薄膜与铅的硫属化合物薄膜接合，并在用金属薄膜与铅的硫属化合物薄膜的界面形成肖特基结，从而在薄膜内形成内建电场，对光生载流子移动和再分布，不需外加电场，完全达到光折变材料应用目的。
一种纳米半导体折变薄膜材料及其制备方法

[发明专利]立体电路与金属件的连接方法和LDS天线-CN201610701575.5有效
发明人：肖国文 -专利权人：广东小天才科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01R13/405 文献下载
摘要：本发明适用于立体电路制备和LDS天线技术领域，公开了一种立体电路与金属件的连接方法和LDS天线。连接方法，包括以下步骤：制备金属件和LDS材料，将LDS材料模塑成型得到LDS基体，并将金属件的至少一部分镶嵌于LDS基体，采用激光镭雕的方式在LDS基体形成电路图形，再采用化学镀的方式在电路图形和金属件的表面形成导电连接层LDS天线，包括金属件和LDS基体，金属件部分镶嵌于LDS基体，LDS基体采用激光镭雕的方式形成有电路图形，至少部分电路图形与金属件相接，通过采用化学镀的方式在电路图形和金属件表面形成有导电连接层。本发明提供的立体电路与金属件的连接方法和LDS天线，其产品可靠性佳且成本低。
立体电路金属件连接方法 lds 天线

[发明专利]一种贵金属催化剂颗粒呈梯度分布的MEA制备方法-CN201710326248.0有效
发明人：谷军;邵航宇;李雨龙 -专利权人：河南豫氢动力有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种贵金属催化剂颗粒呈梯度分布的MEA制备方法，具体包括以下步骤：根据需要裁切质子交换膜或碳纸；配制不同浓度的贵金属催化剂颗粒浆料，并充分搅拌；将不同浓度的贵金属催化剂颗粒浆料逐层涂布在质子交换膜或碳纸上，实现贵金属催化剂颗粒在厚度方向上梯度分布。与现有技术相比，本发明有利于降低贵金属的载量，有利于催化剂利用率的提高，依据氧气浓度梯度分布特征，构建梯度分布的活性金属催化层，减少贵金属的用量，即在氧气浓度高的地方采用少的贵金属，在氧气浓度不足的地方，为了使氧气能够充分发生还原反应，采用高含量的贵金属来促进电化学反应，与喷涂法相比，有效避免浪费，降低成本。
一种贵金属催化剂颗粒梯度分布 mea 制备方法

[发明专利]提高焊锡性的方法及装置-CN200510104127.9有效
发明人：张道智;张乔云;游善溥 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-09-19 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： B23K35/22 文献下载
摘要：本发明提供一种提高焊锡性的方法与装置，其中提供的一种提高焊锡性的无铅焊料包含至少一第一金属材料与一第二金属材料，其中该第二金属材料的氧化电位较该第一金属材料为高。本发明还提供了一种具外观识别性的焊接装置，其包含至少一第一金属材料层与一第二金属材料层，其中该第二金属材料形成于该第一金属材料的表面上，且其颜色与该第一金属材料不同。
提高焊锡方法装置

[发明专利]一种陶瓷-金属复合基板制备工艺-CN201610283005.9有效
发明人：王文君;王双喜;张丹;欧阳雪琼 -专利权人：佛山市百瑞新材料技术有限公司
申请日： 2016-05-03 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种陶瓷‑金属复合基板制备工艺，涉及电子封装领域。该复合材料基板由陶瓷片、金属粘结层和金属基板组成，其特征在于所述的制备工艺为，首先在陶瓷片和金属片的一面分别制备出带一定间距和尺寸的纳米棒阵列结构，然后向纳米棒表面沉积或化学镀低熔点金属或合金，最后将两个带纳米棒的表面在低温下叠合压紧，纳米棒与纳米棒在压力的作用下，相互交错插入，纳米棒表面低熔点金属相互渗透扩散形成熔化状态的共晶合金熔体，随后在室温下固化形成结构致密结合牢固的金属粘接层。本发明制备的陶瓷‑金属复合基板不仅导热性能、绝缘性能好，与芯片的热匹配性能优良，而且可实现陶瓷与金属在低温甚至常温下直接粘合，粘接强度高，制备工艺简单，适合大批量生产。
一种陶瓷金属复合制备工艺

[发明专利]锂离子电容器集流体箔材及其制造方法-CN201711420684.0有效
发明人：刘东林;胡昌军;温明生;魏虎鸣;南春雷 -专利权人：赣州市中金高能电池材料股份有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种锂离子电容器集流体及其制造方法，所述方法包括：以物理方式对金属箔表面进行粗糙化处理，在金属箔表面形成均匀的粗糙化纹理，所述物理方式为滚花处理或拉丝处理；将粗糙化处理后的金属箔置入钝化液中进行钝化处理，使金属箔表面形成钝化膜层；在钝化后的金属箔上制作穿孔形成穿孔箔。本发明实施例先采用物理方式在金属箔表面进行粗糙化处理形成粗糙化纹理，再制作穿孔，所获得的金属箔具有更合适的表面粗糙度，与活性材料具有更好的粘结强度，有效避免活性材料脱落。还通过钝化处理在金属箔表面形成钝化膜层，能有效防止金属箔在使用过程中腐蚀变色。
锂离子电容器流体及其制造方法

[发明专利]一种烤瓷牙制作工艺-CN201810009142.2有效
发明人：李子友;赵欣欣;郑治薇 -专利权人：北京圣爱吉友和义齿制作有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： A61C13/083 文献下载
摘要：本发明公开了一种烤瓷牙制作工艺，其技术方案要点是包括如下步骤：a、制作金属内冠；b、对金属内冠进行预处理；步骤b具体包括如下步骤：b1、清洗金属内冠表面；b2、将金属内冠置入烤瓷炉中，真空状态下升温至980℃，保持一分钟后，待烤瓷炉自动降温至500℃，进行自然冷却后取出；b3、对金属内冠进行酸处理；c、不透明遮色层的涂制以及烧结；d、堆筑牙本质；f、烧结处理；g、着色和上釉，完成烤瓷牙的制作。通过采用上述技术方案，对金属内冠进行清洗、烧结以及酸处理等工序，在清理掉金属内冠表面的各种杂质、增加金属内冠表面的不透明遮色层的结合力的同时，通过烧结还能够增强金属内冠本身的结构强度。
一种瓷牙制作工艺

[发明专利]基于石墨烯的加热装置-CN201711306506.5有效
发明人：马少华;秦志伟;卢金;凌庆枝 -专利权人：宁波卫生职业技术学院
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯技术领域，涉及一种基于石墨烯的加热装置，其防护层内设有开口向左的安装腔，安装腔内塞有支撑板，支撑板左侧设有挡板，挡板位于安装腔左侧；支撑板内设有第一容置腔，第一容置腔左侧与通孔相通，通孔位于挡板内；第一容置腔下方与第二容置腔相通，第二容置腔右侧开口；石墨烯电热膜位于第一容置腔内，石墨烯电热膜左端穿过通孔；金属插板位于第二容置腔内，金属插板顶面与石墨烯电热膜贴合，金属插板右侧与金属贴合板连接，金属贴合板右侧与金属导热板贴合，金属导热板与两个金属网格板连接，两个金属网格板分别位于安装腔的上下侧的防护层内。
基于石墨加热装置

[发明专利]支撑柱、微型集音器、CMOS麦克风单晶片-CN201710682053.X有效
发明人：陈健章;梁贻德;林晓逸;杨正光 -专利权人：风起科技股份有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种支撑柱、微型集音器、CMOS麦克风单晶片，支撑柱形成于一可动薄膜下方，用以支撑该可动薄膜，包含：数个第一微形金属柱、基底金属连接柱层与第一氧化包覆层；其中，第一微形金属柱形成于可动薄膜下方，并与可动薄膜形成金属导接；基底金属连接柱层形成于第一微形金属柱下方，与第一微形金属柱导接；第一氧化包覆层完全或部分包覆第一微形金属柱而使第一微形金属柱与空气绝缘而可使支撑柱形成柱状；该可动薄膜形成有至少一个第一穿孔
支撑微型集音器 cmos 麦克风晶片制造方法

[发明专利]一种双端口双层平面螺旋缝隙天线-CN201910283671.6有效
发明人：谭立容;李雪;王抗美;顾斌;朱启文 -专利权人：南京信息职业技术学院
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种双端口双层平面螺旋缝隙天线，包括层叠固定连接的上层基板和下层基板；所述上层基板的上表面设置有微带线A和微带线B；所述上层基板的下表面设置有椭圆形金属环；所述椭圆形金属环的外侧设置有环形缝隙；所述上层基板的下表面余下部分设置有金属层A；所述下层基板的下表面设置有两条螺旋金属臂；所述两条螺旋金属臂的外侧设置有圆环形缝隙；所述圆环形缝隙的外侧设置有金属层B；所述微带线A位于椭圆形金属环上方；所述微带线B通过金属丝与其中一条螺旋金属臂连接。
一种端口双层平面螺旋缝隙天线

[发明专利]金属酞菁-MXene复合材料、超级电容器及其制备方法-CN202010486113.2有效
发明人：许宗祥;李敏章 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C07D487/22 文献下载
摘要：本发明公开了金属酞菁‑MXene复合材料及其制备方法和应用。其中，制备金属酞菁‑MXene复合材料的方法包括：(1)将金属酞菁与第一溶剂混合，得到金属酞菁溶液；将所述金属酞菁溶液加入到水中，得到金属酞菁纳米结构；(2)将所述金属酞菁纳米结构、MXene材料与第二溶剂混合，得到所述金属酞菁‑MXene复合材料。通过采用该方法，可以在MXene层之间引入金属酞菁纳米结构充当层间间隔物，从而有效防止MXene的重新堆叠效应，增加MXene表面上的电化学活性位点，对于电化学氧化还原过程中的离子迁移率也有显著增强效果
金属 mxene 复合材料超级电容器及其制备方法

[发明专利]用于微波电路模块封装的2.5维小型化电磁带隙结构-CN202010290170.3有效
发明人：施永荣;吴启晖;冯文杰;吴永乐;倪啸宇;姜勋 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：该2.5维电磁带隙结构通过多层印刷电路板技术加工而成，其周期单元包括一个中心加载金属化孔的水平金属贴片、若干个金属化孔阵列、四层电路板衬底、一层空气层、金属盖板和金属底座。在水平金属贴片四周加载金属化孔阵列，通过相邻单元之间金属化孔阵列之间的电耦合增强电磁带隙结构周期单元间的等效电容，同时金属化孔阵列也能有效增加周期单元单元的等效电感，最终达到降低电磁带隙阻带的工作频率，
用于微波电路模块封装 2.5 小型化磁带结构