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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多域垂直配向型像素结构-CN200810201094.3无效
  • 张月泙;戴孟杰;柳智忠;王明宗 - 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司
  • 2008-10-13 - 2010-06-09 - G02F1/136
  • 一种多域垂直配向型像素结构包括一基板、多条扫描配线、多条数据配线与多个像素单元。其中，扫描配线与数据配线配置于基板上。每一像素单元包括一第一像素电极、一第二像素电极与一双漏极主动组件。此外，双漏极主动组件配置于第一像素电极与第二像素电极之间。双漏极主动组件包括一栅极、一图案化源极、一第一漏极与一第二漏极。其中，栅极电性连接至扫描配线，图案化源极电性连接至数据配线。上述的第一漏极电性连接至第一像素电极。另外，上述的第二漏极延伸至基板与第二像素电极之间。
  • 垂直像素结构
  • [实用新型]一种具有清洁结构的双极螺旋打毛机-CN202320468277.1有效
  • 黄雪明 - 南京御品食品机械有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-08-25 - A22B5/08
  • 本实用新型涉及打毛机技术领域，且公开了一种具有清洁结构的双极螺旋打毛机，该具有清洁结构的双极螺旋打毛机，包括打毛座，所述打毛座的侧壁固定安装有驱动电机，所述驱动电机的输出端固定安装有打毛筒，所述安装板的内部设置有清理组件该具有清洁结构的双极螺旋打毛机，为了更好的对刮刀表面的猪毛进行清理，避免刮刀难以保持高效的清理效率，通过设置有清理组件，在刮刀转动而带动清扫架向左偏转时，使得传动齿轮一与传动齿轮二之间发生相对转动，配合主动锥齿轮和从动锥齿轮的传动效果，以使得螺纹套带动清扫板在竖直方向上进行向下推动，辅助排出刮刀表面的猪毛，避免刮刀表面有猪毛残留，保证装置整体的打毛效率。
  • 一种具有清洁结构螺旋打毛机
  • [实用新型]一种门极间低阻抗的氮化镓器件及其并联结构-CN202121848994.4有效
  • 傅玥;孔令涛 - 南京芯干线科技有限公司
  • 2021-08-09 - 2022-04-19 - H01L29/423
  • 本实用新型涉及一种门极间低阻抗的氮化镓器件及其并联结构，包括氮化镓芯片，所述氮化镓芯片上形成有门极打线盘、源极打线盘和漏极打线盘；所述氮化镓芯片的一端依次设置有所述门极打线盘、源极打线盘和门极打线盘，以形成对称式结构；氮化镓芯片的另一端设置有漏极打线盘；所述氮化镓芯片上设置有门极互联金属层，两个门极打线盘分别与门极互联金属层连接，两个所述门极打线盘通过门极互联金属层相互连接；两个所述门极互联金属层通过金属互联层相连接其能够将双门极氮化镓器件中两个门极打线盘使用金属互联层进行连接，强化了两个门极打线盘之间的电性连接，降低了阻抗；在实际应用中，更方便多个氮化镓器件的并联，结构简单，构思精巧。
  • 一种门极间低阻抗氮化器件及其并联结构
  • [发明专利]像素结构-CN03100939.5有效
  • 吕安序 - 广辉电子股份有限公司
  • 2003-01-08 - 2004-07-28 - G02F1/136
  • 一种像素结构，其适于架构在一基板上，该像素结构包括一扫描配线，配置在基板上；一栅极介电层，配置于基板上并覆盖住扫描配线；一数据配线，配置于栅极介电层上，且数据配线的延伸方向与该扫描配线的延伸方向不同；一保护层，配置于栅极介电层上并覆盖住数据配线；一透明像素电极，配置于保护层上；以及一双漏极薄膜晶体管，配置于基板上，其中双漏极薄膜晶体管具有一栅极、一通道层、一源极以及二漏极，源极与数据配线电连接，二漏极分别与透明像素电极电连接，而栅极与扫描配线电连接。
  • 像素结构
  • [发明专利]半导体集成电路和保护电路-CN201210321254.4无效
  • 深作克彦 - 索尼公司
  • 2012-09-03 - 2013-03-13 - H01L27/02
  • 在此披露的是一种半导体集成电路，包括：具有分别连接到电源配线和接地配线的漏极区和源极区，并且引发激增电流流过漏极区和源极区之间的通道路径和双极路径的箝位MOS晶体管；被配置为提供于电源配线和接地配线之间，其输出端连接到箝位MOS晶体管的栅极端，并且控制通道路径的开关的第一触发电路部分；被配置为提供于电源配线和接地配线之间，其输出端连接到箝位MOS晶体管的阱区，并且控制双极路径的开关的第二触发电路部分；以及连接电源配线和接地配线的每个的内部电路。
  • 半导体集成电路保护电路
  • [实用新型]像素结构-CN03202115.1无效
  • 吕安序 - 广辉电子股份有限公司
  • 2003-01-08 - 2004-03-10 - G02F1/136
  • 一种像素结构，其适于架构在一基板上，该像素结构包括一扫描配线，配置在基板上；一栅极介电层，配置于基板上并覆盖住扫描配线；一数据配线，配置于栅极介电层上，且数据配线的延伸方向与该扫描配线的延伸方向不同；一保护层，配置于栅极介电层上并覆盖住数据配线；一透明像素电极，配置于保护层上；以及一双漏极薄膜晶体管，配置于基板上，其中双漏极薄膜晶体管具有一栅极、一通道层、一源极以及二漏极，源极与数据配线电连接，二漏极分别与透明像素电极电连接，而栅极与扫描配线电连接。
  • 像素结构
  • [实用新型]双路打码信号输出笔芯及触控笔-CN202022066213.8有效
  • 杨帅;詹梓煜;邓建 - 深圳市千分一智能技术有限公司
  • 2020-09-21 - 2020-10-30 - G06F3/0354
  • 本实用新型公开了一种双路打码信号输出笔芯及触控笔，其中，触控笔包括主电路板，主电路板具有第一路打码信号端和第二路打码信号端；双路打码信号输出笔芯包括支架、第一信号发射组件及第二信号发射组件；第一信号发射组件包括第一发射极，第一发射极设于支架一端以构造成笔嘴，并用于与第一路打码信号端信号连接，以向触控屏输出第一打码信号；第二信号发射组件包括第二发射极，第二发射极设于支架上远离笔嘴的一端且与笔嘴间隔设置，并用于与第二路打码信号端信号连接，以向触控屏输出第二打码信号。
  • 双路打码信号输出笔芯触控笔
  • [实用新型]一种可灵活切换隔室的双极膜设备-CN202121689060.0有效
  • 张楠;高道林;舒自学 - 浙江蓝波新材料科技有限公司
  • 2021-07-23 - 2022-02-01 - B01D61/42
  • 本实用新型公开了一种可灵活切换隔室的双极膜设备，该双极膜设备旨在解决现在的多隔室双极膜设备体积较大，反应液不方便相互切换的技术问题；该双极膜设备包括一号腔体、设置于所述一号腔体右侧的二号腔体、设置于所述一号腔体内侧的一号双极膜、固定安装于所述二号腔体内侧的二号双极膜；该双极膜设备采用一号腔体和二号腔体形成两个独立的隔室结构，并可以通过配接腔和配接槽的连接将两个隔室进行收叠，不占据试验空间，反应液与一号双极膜反应后，经过伸展开的配接腔所产生的缝隙进入一号腔体内与一号双极膜进行反应
  • 一种灵活切换双极膜设备
  • [发明专利]半穿透半反射式像素结构-CN03100940.9有效
  • 吕安序 - 广辉电子股份有限公司
  • 2003-01-08 - 2004-07-28 - G02F1/136
  • 一种半穿透半反射式像素结构，适于架构在一基板上，其包括一扫描配线，配置在基板上；一闸介电层，配置于基板上并覆盖住扫描配线；一数据配线，配置于闸介电层上；一保护层，配置于部分闸介电层上并覆盖住资料配线；一透明像素电极，配置于保护层上；一反射像素电极，配置在暴露的闸介电层上；以及一双漏极薄膜晶体管，配置于基板上，其中双漏极薄膜晶体管具有一闸极、一信道层、一源极以及二漏极，源极与资料配线电性连接，二漏极分别与透明像素电极以及反射像素电极电性连接，而闸极与扫描配线电性连接。
  • 穿透反射像素结构
  • [实用新型]半穿透半反射式像素结构-CN03202113.5无效
  • 吕安序 - 广辉电子股份有限公司
  • 2003-01-08 - 2004-03-10 - G02F1/136
  • 一种半穿透半反射式像素结构，适于架构在一基板上，其包括一扫描配线，配置在基板上；一闸介电层，配置于基板上并覆盖住扫描配线；一数据配线，配置于闸介电层上；一保护层，配置于部分闸介电层上并覆盖住资料配线；一透明像素电极，配置于保护层上；一反射像素电极，配置在暴露的闸介电层上；以及一双漏极薄膜晶体管，配置于基板上，其中双漏极薄膜晶体管具有一闸极、一信道层、一源极以及二漏极，源极与资料配线电性连接，二漏极分别与透明像素电极以及反射像素电极电性连接，而闸极与扫描配线电性连接。
  • 穿透反射像素结构
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