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[实用新型]一种高效单晶制绒设备-CN201921319021.4有效
发明人：王丽婷;周肃;黄惜惜;邱家梁;白玲玲;贾佳;黄国平;李菁楠;曹华斌;姜利凯;杨忠绪;勾宪芳 -专利权人：中节能太阳能科技有限公司;中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效单晶制绒设备，包括按硅片输送方向依次连接的上料装置、超声清洗槽、水槽A、单晶碱制绒槽、水槽B、酸制绒槽、水槽C、酸洗去银槽、水槽D、酸洗修饰槽、水槽E、碱洗槽、水槽F、酸洗槽、水槽本实用新型的优点是：本实用新型的制绒设备为通过碱制绒与酸制绒结合的方式进行制绒的工艺提供了可实现的制绒设备，形成绒面均匀且反射率低的绒面，具有良好的制绒效果，且可提升电池片的电性能和外观，可在传统单晶制绒设备上进行改造，生产效率高、自动化程度高、环保，有效实现制绒工艺过程，为准单晶电池片的生产提供了有效途径。
一种高效单晶制绒设备

[发明专利]单晶硅片制绒方法-CN201910095888.4有效
发明人：龙维绪;苏晓东;黄洁;查嘉伟 -专利权人：嘉兴尚能光伏材料科技有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片制绒方法，包括：S1、将单晶硅片浸没在碱溶液和第一制绒辅助溶液的混合溶液中进行抛光刻蚀，第一制绒辅助溶液包括绒面刻蚀剂、金属络合剂、第一表面活性剂、第一消泡剂中的一种或多种；S2、将抛光刻蚀后的单晶硅片浸没在碱溶液和第二制绒辅助溶液的混合溶液中进行制绒刻蚀，第二制绒辅助溶液包括绒面成核剂、pH调节剂、第二表面活性剂、第二消泡剂中的一种或多种。本发明通过引入制绒辅助溶液，仅需抛光刻蚀和制绒刻蚀两步工艺即可实现单晶硅片的制绒，大大减少了工艺时间，提高了生产效率；制绒过程中无需使用双氧水，大大减少了碱的耗量，降低了生产成本；降低了硅片表面绒面的反射率
单晶硅片制绒方法

[发明专利]单晶硅片刻蚀抛光方法-CN201711286807.6在审
发明人：余永健;李静;刘露露;衣玉林;穆林森;王冲;王超 -专利权人：苏州润阳光伏科技有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开一种单晶硅片刻蚀抛光方法，该方法包括刻蚀、水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗以及烘干工序，其中，该碱洗工序包括抛光工序和喷淋工序，于一碱槽内进行，该碱槽内设有抛光部和喷淋部，其中，抛光部包括若干滚轮，硅片经过该抛光部时，该若干滚轮对该硅片的下表面进行抛光；喷淋部包括若干喷淋头，该硅片经过该喷淋部时，该若干喷淋头喷淋常温碱液对该硅片的上表面进行处理。本发明适用于单晶硅片刻蚀抛光工序，通过碱槽替代部分酸槽，解决了刻蚀工艺中酸雾难以治理的问题，提高了刻蚀后硅片背面的反射率，分担了仅靠刻蚀槽来提高反射率的压力，降低了酸用量的成本。
单晶硅刻蚀抛光方法

[发明专利]一种用于硅片碱液制绒的添加剂-CN201911342501.7在审
发明人：王力;洪育林;杨文勇 -专利权人：武汉宜田科技发展有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片碱液制绒添加剂，属于光伏技术领域。所得制绒添加剂可以应用于金刚线切割单晶碱液制绒，也可以应用于金刚线多晶碱液粗制绒。与传统醇类添加组分相比，无毒无挥发，反应速率均匀无花斑，控泡效果优异。可以通过调整绒面调节组分A和B比例控制气泡在硅片表面停留和脱离时间，增强制碱绒效果。单晶应用后硅片光电转化率高。多晶应用后，再结合现有黑硅酸制绒技术，可以提高转化效率。
一种用于硅片碱液制绒添加剂

[发明专利]一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法-CN200910027873.0无效
发明人：陈宝昌 -专利权人：扬州华尔光伏科技有限公司
申请日： 2009-05-18 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法，该方法突破了单晶硅片直径的限制，从目前的8英寸向12英寸发展；降低单晶硅片中氧碳元素的含量，提高单晶硅片的电学性能，该方法包括以下步骤：1、采用高纯多晶硅原料；2、使用高纯涂层石英坩埚，最大限度阻隔氧元素的析出渗入熔硅中反应生产新的杂质；3、在高纯氩气和高规格热场环境下生长硅单晶；4、采用直拉式单晶炉制备大直径硅单晶；5、对硅单晶进行切方、滚圆处理；6、采用碱腐工艺去除单晶表面损伤层；7、利用多线切割机，辅以切割线、碳化硅和切削液进行切片加工，生产出超过薄低氧碳的高效单晶硅片。
一种直径低氧太阳能单晶硅制备方法

[发明专利]一种单晶硅片的碱刻蚀抛光方法-CN202111597932.5有效
发明人：李一鸣;吴冰;张震华 -专利权人：绍兴拓邦新能源股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅片的碱刻蚀抛光方法，属于硅片刻蚀技术领域，具体是利用包含研磨颗粒、甘油、有机胺化合物、酒石酸钠、含氟非离子表面活性剂、酒石酸钠的碱性抛光液，通过表面预处理、表面刻蚀抛光、碱清洗、酸清洗、水洗等步骤对单晶硅进行刻蚀抛光，实现了较低温度下的刻蚀抛光，能耗减少，刻蚀抛光效果好，硅片减薄量低，硅片表面反射率、电池的转化效率得到有效提高。
一种单晶硅刻蚀抛光方法

[发明专利]单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用-CN202110953886.1有效
发明人：杨勇;章圆圆;陈培良 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片碱抛光用添加剂，其各组分的质量百分含量为：抛光成分0.01%～1%，分散剂1%～3%，防沉剂1%～5%，保护剂0.05%～0.1%，余量为去离子水。在单晶硅片碱抛光的抛光液中添加本发明的添加剂，可使硅片的背抛面具有高平整度、低比表面积，无线痕，外观呈镜面效果，反射率高，最终电池效率提升0.03%～0.05%，满足PERC电池对抛光的需求。
单晶硅抛光添加剂及其应用

[发明专利]一种单晶硅片背面抛光方法及硅片-CN202110638015.0有效
发明人：韩雅楠;刘海金;庞瑞卿;吕闯;时宝;林纲正;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片背面抛光方法，其包括：提供硅片；在硅片的正面形成水膜；将硅片的背面接触第一酸液，以去除PSG；采用氧化液在硅片的正面形成氧化层；背面接触碱液，抛光硅片的背面；采用第二酸液去除硅片正面的氧化层；其中，所述碱液不与所述氧化层反应。相应的，本发明还公开了一种硅片，其采用上述的单晶硅片正面抛光方法抛光后得到。实施本发明，可提升抛光效率，降低抛光工艺成本。
一种单晶硅背面抛光方法硅片

[发明专利]一种适用于改善类单晶太阳电池外观色差问题的制绒工艺-CN201310341197.0有效
发明人：梅超;张文;黄治国;王鹏;包兵兵;柳杉 -专利权人：上饶光电高科技有限公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于改善类单晶太阳电池外观色差问题的制绒工艺，由下列步骤组成第一步碱抛光；第二步干法制绒；通过改进制绒的方法解决类单晶电池PECVD镀膜后色差问题，该方法工艺简单，效果明显，单晶区域和多晶区域反射率都有大幅减低，有利于类单晶太阳电池光电转换效率的提升尤其是短路电流的增加，外观色差问题改善的同时电池效率有0.1%左右的提升。
一种适用于善类太阳电池外观色差问题工艺

[发明专利]一种单晶硅片的制绒方法及应用-CN202110901704.6在审
发明人：张丽娟;钱恩亮;周树伟;周天翔;章圆圆;陈培良;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片的制绒方法，包括如下步骤：对单晶硅片进行第一次制绒，在硅片表面形成类金字塔结构；对单晶硅片进行第N次制绒，在硅片表面的类金字塔结构上形成细微纳米结构，其中N≥2；第一次制绒的制绒液包括第一制绒添加剂和第一碱溶液的混合溶液，第N次制绒的制绒液包括第二制绒添加剂和第二碱溶液的混合溶液，所述第一制绒添加剂和所述第二制绒添加剂的组分可相同或不相同。本发明对单晶硅片采用多次制绒工艺，且通过调整多次制绒工艺中所用的制绒添加剂的组分，实现了单晶硅片在制绒周期内的绒面特征塔高与塔基几乎无明显变化，反射率波动值小，绒面稳定性好。
一种单晶硅方法应用

[发明专利]一种单晶型镍钴铝酸锂正极材料的制备方法-CN202011626047.0在审
发明人：赵亮亮;张新龙;赵云虎;秦锦 -专利权人：南通瑞翔新材料有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶型镍钴铝酸锂正极材料的制备方法，通过两步烧结的方式，并且在第二步烧结时加入铝源，解决了现有技术中单晶NCA合成难的问题，本发明确定了用于制备单晶镍钴铝酸锂正极材料的两步合成方法，解决了单晶NCA材料在高温合成时产生大量Li5AlO4杂质的问题，本发明合成的单晶NCA材料残碱含量低、电化学性能优异，工艺技术门槛低
一种单晶型镍钴铝酸锂正极材料制备方法

[发明专利]一种电池用单晶硅片的制绒方法-CN201711030295.7在审
发明人：姜翰钦;吴金丹;周小国 -专利权人：德清丽晶能源科技有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种电池用单晶硅片的制绒方法，该制绒方法包括如下步骤将乙烯基吡咯烷酮‑乙烯基咪唑的共聚物，聚乙二醇‑聚丙二醇‑聚乙二醇共聚物，乙二胺四乙酸，单乙醇胺，苯甲酸钠，对甲苯磺酸钠溶解到余量的水中；将步骤1）制得的制绒添加剂加到碱溶液中，混合均匀；将单晶硅片置入步骤2）制得的制绒液中进行制绒，该方法在对单晶硅片进行制绒时，将本专利中的制绒添加剂按照一定比例加入到碱液中，即可实现快速制绒效果。
一种电池单晶硅方法

[发明专利]单晶球形二氧化硅颗粒的制备方法-CN201210551642.1有效
发明人：姜兴茂;张涛;贾泓 -专利权人：常州英中纳米科技有限公司;常州大学
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B29/18 文献下载
摘要：本发明涉及单晶球形二氧化硅颗粒的制备方法，属于化工技术领域。将粒度为5nm～10µm二氧化硅胶体溶液、有机胺或聚醚酰亚胺有机碱均匀混合得到混合溶液，其中以混合溶液的重量份数计，含有1～50份的二氧化硅、3～90份的有机碱、其余为水，共100份；在反应温度为100℃-300℃、搅拌条件下或直接进行水热为0.5～240小时；重力沉降或离心分离；水洗：用去离子水洗去残余的有机碱；干燥：在60℃～80℃干燥；收集包装，得到高纯、单分散球形单晶氧化硅颗粒。该方法生产成本低，制备的氧化硅颗粒具有高纯、无集聚、呈单分散的球形单晶颗粒的优点。
球形二氧化硅颗粒制备方法

[发明专利]一种纳米氧化亚铜立方体单晶的制备方法、应用及冷冻液-CN202210425985.7在审
发明人：王秋祥;罗金杰;白财源 -专利权人：微冻眠（厦门）科技有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米氧化亚铜立方体单晶的制备方法、应用及冷冻液，制备方法包括以下步骤：S1：将铜盐和十二烷基硫酸钠用超纯水溶解并搅拌均匀。S2：加入碱的水溶液进行反应。S3：加入还原剂水溶液进行反应。S4：将步骤S3的反应产物分离并清洗，得到40nm氧化亚铜立方体单晶。其中，所述铜盐、十二烷基硫酸钠、碱和还原剂的质量比为40～90：0～215：16～28：30～45。本发明可以制备40nm氧化亚铜立方体单晶，相比于现有的沉淀法、水热法、溶剂热法制备工艺，具有简便、绿色、低成本的特点，通过本发明方法制备得到的40nm氧化亚铜立方体单晶分散应用的冷冻液中，可以有效地改善冷冻液的传热效率
一种纳米氧化亚铜立方体制备方法应用冷冻

[发明专利]一种单晶铜粉的制备方法-CN201711269097.6有效
发明人：向红印;李清湘;高官明;陈端云;刘银;周少强;董烈寒;黄培德;陈云鹏;白薇;肖义亮;邓杰 -专利权人：深圳市中金岭南科技有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： B22F9/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶铜粉的制备方法，其包括以下步骤：将硫酸铜水溶液和碳酸钠水溶液同时滴加到反应容器中，反应生成碱式碳酸铜，洗涤反应产物，烘干水份；将碱式碳酸铜放置在带式烧结炉上煅烧，得到氧化铜细颗粒；在密闭反应容器内，加入反应溶剂乙二醇、还原剂、反应促进剂，再加入氧化铜细颗粒，并在反应容器内充入保护气体，搅拌并加热反应，得到单晶超细铜粉。将单晶超细铜粉、表面抗氧化分散剂、溶剂混合均匀加入到滚筒分散机中，球磨分散改性处理，然后真空干燥铜粉，得到单晶单分散铜粉。
一种单晶铜粉制备方法