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[发明专利]一种应用于单像素成像技术的卷轴式掩膜版装置-CN202310520914.X在审
发明人：冯云鹏;李学燕;程灏波;王丹;李伯仕;李宇杰 -专利权人：河北工程大学;深圳市三孚北理新材料科学研究有限公司;北京理工大学深圳研究院
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于单像素成像技术的卷轴式掩膜版装置。所述卷轴式掩膜版为一块下边缘打孔的垂直于水平面放置的长条形可水平方向移动的掩膜版；所述掩膜版上覆盖有掩膜图案，由透光区和不透光区构成；所述单像素成像系统结构包括成像透镜、卷轴式掩膜版、单像素探测器、数模转换器本发明的卷轴式掩膜版造价成本低，调制速度较快，精度较高。
一种应用于像素成像技术卷轴式掩膜版装置

[发明专利]掩膜版传输装置和方法-CN201210528214.7有效
发明人：郑教增;刘晓;徐伟 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： B65G49/07 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩膜版传输装置，包括第一掩膜版库、第二掩膜版库、预对准机构、第一传输机构和第二传输机构，所述掩膜版通过所述第一传输机构在所述第一掩膜版库、第二掩膜版库与所述预对准机构之间传输，所述掩膜版通过所述第二传输机构在所述掩膜台、所述预对准机构与第二掩膜版库之间传输，所述第一传输机构和所述第二传输机构均包括机械手、单轴运动系统和气缸，所述单轴运动系统和所述气缸分别驱动所述机械手沿互相垂直的两个方向运动。本发明通过单轴运动系统和气缸的叠加使用实现机械手在互相垂直的两个方向上进行运动，采用多个单自由度的系统代替了多自由度的机械手，提供一种运行和控制都更简单高效的掩膜版传输装置和方法。
掩膜版传输装置方法

[发明专利]一种金属掩膜、金属掩膜版及其制造方法-CN201810276313.8在审
发明人：张健;黄俊杰;林治明;王震 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开一种金属掩膜、金属掩膜版及其制造方法，涉及蒸镀技术领域，用于提高显示面板的良率。所述金属掩膜包括掩膜主体部和位于掩膜主体部的相对两侧的两个连接部，连接部包括位于掩膜主体部上的本体部和位于本体部上且背向掩膜主体部延伸的单级台阶部，单级台阶部包括平行于金属掩膜的台阶面。多个金属掩膜构成金属掩膜版时，相邻的两个金属掩膜之间可以通过连接部实现重叠连接，相邻的两个金属掩膜之间不存在间隙，因而无需设置遮蔽条来遮蔽相邻的两个金属掩膜之间的间隙，金属掩膜不会因为遮蔽条的变形而受到挤压，改善金属掩膜的平展度，提高显示面板的良率。本发明用于形成膜层。
金属掩膜掩膜主体遮蔽显示面板台阶部单级良率相对两侧重叠连接平展度台阶面膜层蒸镀平行制造变形挤压延伸

[发明专利]一种掩膜板、曝光装置及其进行曝光的方法-CN201710008479.7在审
发明人：许卓;张逵;王孝林;白雅杰;汪锐;金在光;尚飞;邱海军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜板、曝光装置及其进行曝光的方法，该掩膜板包括至少两个并排设置的用于形成单膜层图案的有效图形的掩膜图案区域，以及与各掩膜图案区域分别对应的至少两组对位标识；每组对位标识中包含的两个对位标识以对应的掩膜图案区域为中心对称设置由于一个掩膜图案区域可以用于对应形成一个单膜层图案的有效图形，通过掩膜板中的至少两个并排设置的掩膜图案区域，即可形成至少两个单膜层图案的有效图形，并且以对应的掩膜图案区域为中心对称设置的每组对位标识中包含的两个对位标识，保证了单膜层图案的有效图形的位置精度。因此，有效减少了掩膜板的数量，从而降低了开发颠覆性创新设计的成本。
一种掩膜板曝光装置及其进行方法

[发明专利]量子点单光子源微柱腔的制备方法及单光子源样片-CN202211459682.3在审
发明人：王文彦;刘丽 -专利权人：北京量子信息科学研究院
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点单光子源微柱腔的制备方法及单光子源样品。其中，该方法包括：在待刻蚀的样片的外延层上生成第一掩膜层，在所述第一掩膜层上生成倒台型的第二掩膜层；以所述第二掩膜层作为掩膜对所述第一掩膜层进行刻蚀，使得所述第一掩膜层形成为圆柱结构；以圆柱结构的所述第一掩膜层作为掩膜
量子光子源微柱腔制备方法样片

[发明专利]一种基于掩膜编码的单阶段实例分割方法-CN202010747003.7在审
发明人：徐枫;章如锋 -专利权人：苏州科本信息技术有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明涉及图像处理领域，特别涉及一种基于掩膜编码的单阶段实例分割方法，包括训练阶段模型和预测阶段模型，其特征在于，按照以下步骤进行：步骤A，双线性插值：将不同尺寸给定的原始掩膜标签去掉类别信息，得到尺寸相同且类别无关的二维掩膜；步骤B，主成分分析编码：根据给定信息冗余的二维掩码，通过正交变换将二维掩膜M编码压缩为向量uN；步骤C，单阶段实例分割器构建：单阶段实例分割器基于单阶段目标检测器FCOS，并进行相应修改；步骤D，非极大值抑制后处理；步骤E，掩膜编码解码。本发明将高度冗余的二维掩膜压缩至特征紧凑的掩膜向量，实现快速而稳定的预测，解决了现阶段实例分割任务随目标数量增加而预测速度减慢的难题。
一种基于编码阶段实例分割方法

[发明专利]环形掩膜版、光场调控方法、单像素成像方法及系统-CN202110250723.7有效
发明人：孙宝清;焦俊鹏;蒋文杰 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G06V10/88 文献下载
摘要：本发明属于光场调控领域，提供了一种环形掩膜版、光场调控方法、单像素成像方法及系统。其中，所述环形掩膜版的形状为环形；所述环形掩膜版上覆盖有掩膜版图案，所述掩膜版图案由透光区和不透光区构成。本发明的环形掩膜版造价成本低，且具有标志识别区，能够通过标记位的方式准确地确定掩膜版方位，进而提高了调制精度。
环形掩膜版调控方法像素成像系统

[发明专利]具有单掩膜预定栅极沟槽和触点沟槽的高密度沟槽金属氧化物半导体场效应管-CN201010113308.9有效
发明人：李亦衡;常虹;李铁生;陈军;安荷·叭剌 -专利权人：万国半导体有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：可通过单掩膜预定栅极沟槽和本体触点沟槽，形成沟槽栅极金属氧化物半导体场效应管器件。在半导体衬底表面上形成一个硬掩膜。在硬掩膜上涂覆一个沟槽掩膜，预定本体触点沟槽和栅极沟槽。然后在硬掩膜顶部涂覆一个栅极沟槽掩膜。栅极沟槽掩膜覆盖着本体触点沟槽，并在栅极沟槽处具有比这些沟槽还宽的开口。按照第二预定深度，刻蚀栅极沟槽，而非本体触点沟槽。本发明可仅使用单掩膜，而不使用复杂的多隔片。
具有单掩膜预定栅极沟槽触点高密度金属氧化物半导体场效应

[发明专利]一种人脸逆光图片的合成方法-CN202011048895.8在审
发明人：马艳 -专利权人：合肥君正科技有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G06T3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种人脸逆光图片的合成方法，包括：S1图像预处理；S2人脸特征点检测：S2.1将正常人脸图像送入人脸检测模型，检测出人脸轮廓点；S2.2将背景图像输入人脸检测模型，检测出背景人脸轮廓点；S3生成封闭人脸轮廓线；S4掩膜构造：S4.1对图像模板M运用泛洪填充算法，生成人脸区域掩膜mask0；S4.2根据对应轮廓点，求解两张图的单应性矩阵；对mask0进行单应性变换；得到变换后掩膜mask1；对人脸图像进行单应性变换；得到变换后人脸图像；S4.3对掩膜mask1取反操作，生成背景区域掩膜mask2；S5目标区域提取：S5.1将变换的人脸图像与掩膜mask1掩膜运算，提取人脸区域得到图像I1；S5.2将背景图像与掩膜mask2掩膜运算，提取逆光背景区域得到图像I2
一种逆光图片合成方法

[发明专利]掩膜基板及具有它的掩膜板-CN201910250955.5在审
发明人：唐军 -专利权人：唐军
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜基板及具有它的掩膜板，其中，该掩膜基板包括基板本体，基板本体具有蒸镀面、与蒸镀面相背的玻璃面及自蒸镀面贯穿至玻璃面的多个蒸镀孔；蒸镀面被构造成经粗化处理后具有预定粗糙度的粗糙面。根据本发明提供的掩膜基板及具有它的掩膜板，蒸镀面被构造成经粗化处理后具有预定粗糙度的粗糙面，如此，一方面，有机材料能够挂在该粗糙面上，不易掉落至下方的蒸发源中，可以确保蒸发源的洁净度，减少有机材料的浪费另一方面，可以提高掩膜板单次使用时间，进而提高生产效率。再一方面，掩膜板单次使用时间越长，则可以减少掩膜板清洗的频率，进而延长掩膜板的使用寿命，进一步降低生产成本。
掩膜板掩膜基板蒸镀面粗化处理单次使用基板本体有机材料粗糙度粗糙面蒸发源蒸镀材料成本生产效率使用寿命玻璃面洁净度掉落掩膜粗糙清洗玻璃贯穿

[实用新型]掩膜基板及具有它的掩膜板-CN201920426839.X有效
发明人：唐军 -专利权人：唐军
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掩膜基板及具有它的掩膜板，其中，该掩膜基板包括基板本体，基板本体具有蒸镀面、与蒸镀面相背的玻璃面及自蒸镀面贯穿至玻璃面的多个蒸镀孔；蒸镀面被构造成经粗化处理后具有预定粗糙度的粗糙面。根据本实用新型提供的掩膜基板及具有它的掩膜板，蒸镀面被构造成经粗化处理后具有预定粗糙度的粗糙面，如此，一方面，有机材料能够挂在该粗糙面上，不易掉落至下方的蒸发源中，可以确保蒸发源的洁净度，减少有机材料的浪费另一方面，可以提高掩膜板单次使用时间，进而提高生产效率。再一方面，掩膜板单次使用时间越长，则可以减少掩膜板清洗的频率，进而延长掩膜板的使用寿命，进一步降低生产成本。
掩膜板蒸镀面掩膜基板本实用新型粗化处理单次使用基板本体有机材料粗糙度粗糙面蒸发源蒸镀材料成本生产效率使用寿命玻璃面洁净度掉落粗糙清洗玻璃贯穿

[发明专利]钙钛矿/硅基异质结叠层电池及其制备方法-CN202310825817.1在审
发明人：李勃超;刘杰;顾小兵;刘波;何永才;何博;李巧艳;纪明星;王兴华;杜威;徐希翔;刘杨 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K71/16 文献下载
摘要：本申请提供一种钙钛矿/硅基异质结叠层电池及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：提供具有第一透明导电氧化物层的硅基底电池；在所述第一透明导电氧化物层上采用碱金属盐溶液制备掩膜版，所述掩膜版不连续覆盖所述第一透明导电氧化物层；在所述掩膜版上沉积介电层以完全覆盖所述掩膜版；使用含有自组装单分子材料的溶液清洗沉积有介电层的掩膜版，以去除所述掩膜版；加热去除所述含有自组装单分子材料的溶液中的溶剂。本申请的制备方法在钙钛矿/载流子传输层界面采用盐溶液掩膜版方式引入碎片化的介电层，一方面提高了太阳能电池的Voc；另一方面提高了太阳能电池的FF。
钙钛矿硅基异质结叠层电池及其制备方法

[发明专利]医学图像处理方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202210845069.9有效
发明人：王思伦 -专利权人：深圳市医未医疗科技有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种医学图像处理方法、装置、计算机设备及存储介质，其中方法包括：获取目标头部三维图像，并根据预设的分割模型，对所述目标头部三维图像进行每个体素的属于目标病灶的概率预测，得到初始病灶三维掩膜；根据预设的第一概率阈值和所述初始病灶三维掩膜生成二值化三维掩膜；根据所述二值化三维掩膜，从所述目标头部三维图像中提取阳性三维图像块；将每个所述阳性三维图像块输入预设的分类模型进行图像块的包含所述目标病灶的概率预测，得到单图像块阳性概率；根据各个所述单图像块阳性概率，对所述二值化三维掩膜进行假阳性抑制处理，得到目标三维掩膜。从而降低了输出的目标三维掩膜的假阳性。
医学图像处理方法装置计算机设备存储介质

[实用新型]无掩膜阻焊曝光机-CN201620208338.0有效
发明人：平洁 -专利权人：江苏影速光电技术有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无掩膜阻焊曝光机，包括至少一组激光器Ⅰ（11）和激光器Ⅱ（12），以及光束会聚器（2）；所述激光器Ⅰ（11）置于光束会聚器（2）上方，所述激光器Ⅱ（12）置于光束会聚器（2）前方；所述光束会聚器（2）后方依次设有凸透镜Ⅰ（3）、凸透镜Ⅱ（4）、反射镜（5）和可旋转单像素成像单元（6）；所述可旋转单像素成像单元（6）正下方设置基板（7）。本无掩膜阻焊曝光机取消了掩膜曝光的方式，取而代之的是扫描式无掩膜曝光。本无掩膜阻焊曝光机在节约成本的同时大幅度提高了曝光效率。
无掩膜阻焊曝光

[发明专利]掩膜版、掩膜版的制造方法及半导体结构的形成方法-CN202310944595.5在审
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩膜版、掩膜版的制造方法及半导体结构的形成方法。具体的，其可以是在基板的一侧的一个表面上形成两层遮光层，其还可以是在基板的两侧的两个表面上分别形成一层遮光层，然后，根据实际曝光设备的单次曝光焦深对两层遮光层之间的空间高度差进行设置，进而实现让位于同一块掩膜版上的两层遮光层在每次单次曝光时，均只有一层遮光层上的图案可以对焦曝光，即，实现了在进行曝光之前对掩膜版上所包含的曝光图案进行对位误差消除，并最终达到减少掩膜版的数量、降低掩膜版和半导体器件的制造成本的目的。
掩膜版制造方法半导体结构形成

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