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[实用新型]可取式单流凡尔-CN200420013294.3无效
发明人：顾正达;徐成林 -专利权人：阜宁县宏达石化机械有限公司
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： F04B53/10 文献下载
摘要：可取式单流凡尔由外筒、可取凡尔罩、凡尔球、密封球座、密封圈、剪钉等部件组成，密封球座与可取凡尔罩螺纹连接，凡尔球位于密封球座上，可取凡尔罩内，密封圈位于密封球座与外筒之间，剪钉将密封球座固定在外筒内。该可取式单流凡尔主要用于控制井下管柱内液体单向流动，并具有可取出性能。
可取式单流凡尔

[实用新型]新型抽油机单流阀-CN201520215860.7有效
发明人：周艳;马宇博;李红星;王辉;康国光;吉红梅;王文修;刘开明;赵小琴;赵延波;高建国 -专利权人：周艳
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： E21B34/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种采油设备，具体涉及一种新型抽油机单流阀。新型抽油机单流阀，包括阀体、阀座、凡尔球、弹簧和支撑架，阀座的内表面下部呈锥形，阀座的内表面下部沿圆周开有环形槽，弹性密封圈的一部位于环形槽内，弹性密封圈的其余部分紧贴在阀座的内表面上。本实用新型结构简单，阀座下端设置弹性密封圈，弹性密封圈与阀座连接牢固，凡尔球与弹性密封圈发生碰撞时，弹性密封圈发生弹性变形，密封性能好，延长了本实用新型的使用寿命，降低了成本。
新型抽油机单流阀

[发明专利]一种制备金属铪薄膜材料的方法-CN200410098996.0无效
发明人：杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属铪离子束和氮离子束制备一层薄氮化铪作为阻挡衬底与铪离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束同位素纯低能金属铪离子外延生长金属铪薄膜，通过准确控制铪离子束能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属铪薄膜低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延
一种制备金属薄膜材料方法

[发明专利]一种制备金属锆薄膜材料的方法-CN200410101885.0无效
发明人：杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：该方法利用有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度不高的低成本氯化锆为原材料，在用单束的同位素纯低能氩离子轰击清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属锆离子束和氮离子束制备一层薄氮化锆作为阻挡衬底与锆离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束的同位素纯低能金属锆离子外延生长金属锆薄膜，通过准确控制锆离子束的能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属锆薄膜的低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延
一种制备金属薄膜材料方法

[实用新型]一种用于电子线束焊接接地片端子的装置-CN201420490985.6有效
发明人：姜锋;张空军;张兵 -专利权人：苏州市大族激光科技有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01R43/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于电子线束焊接接地片端子的装置，包括治具、输送流道、第一驱动单元、连接块、单轴驱动器、第二驱动单元和回收流道；治具用于放置连接在电子线束上的连接器，连接器上设置有接地片端子；单轴驱动器带动连接块及连接块上的治具规则运动；其有益效果是，每焊接连接器上的一个接地片端子，单轴驱动器就带动整个治具移动一步，然后再对下一个接地片端子进行焊接操作，依次进行焊接，直到整个连接器上的接地片端子全部焊接完成。本实用新型通过单轴驱动器来带动治具的运动，位置控制精确，同时移动速度快，焊接效率高，人工成本低。
一种用于电子线焊接接地端子装置

[实用新型]旋流塔板-CN200620051175.6无效
发明人：杨健 -专利权人：杨健
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种旋流塔板，主要用于烟气脱硫除尘设备中烟气净化。这种旋流塔板包括中心盲板和中心盲板外围的导向圈，导向圈由导向板和固定导向板的围圈组成，所述导向圈至少有两圈，并且外导向圈的导向板数量多于内导向圈的导向板数量。本实用新型可以保证导向板间的最小开口度与最大开口度之差不超过现有旋流板的极限值。因此本实用新型可以使脱硫塔内径和容量成倍扩大，彻底摆脱了单圈旋流板局限脱硫塔容量的困境。
旋流塔板

[发明专利]基于单光束差分检测的光学微流控芯片传感器及测试方法-CN201410145709.0有效
发明人：黄辉;渠波;刘蓬勃;白敏;吴海波;吴丹 -专利权人：黄辉;渠波;刘蓬勃;白敏;吴海波;吴丹
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： G01N21/45 文献下载
摘要：本发明涉及光学检测装置及其测试方法，应用于生化分析领域，特别是一种基于单光束差分检测的光学微流控芯片传感器及测试方法；光学微流控芯片传感器中包括叠层结构，其中包括盖层、衬底、薄层、微流槽；其中，微流槽设置在薄层上，存在两个微流槽或两个以上的微流槽位于不同的薄层上，且在衬底的投影仅相接，或者投影完全重合；因此，不同的微流槽可以置于同一束探测光波内，实现单光束的光学差分检测；本发明的传感器及其测试系统，具备结构简单
基于光束检测光学微流控芯片传感器测试方法

[发明专利]一种改善碳化硅肖特基二极管抗单粒子效应能力的方法-CN202310787715.5在审
发明人：刘翠翠;郭刚;史慧琳;张付强;刘建成 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善碳化硅肖特基二极管抗单粒子效应能力的方法，属于半导体材料技术领域，该方法包括：S1、将待辐照SiC JBS器件分组，将同型号器件固定在多自由度样品运动控制平台上；S2、对样品辐照靶室抽真空；S3、改变加速器质子束流参数，开展不同辐照条件下的验证实验，确定改善SiC JBS器件抗单粒子效应能力的最优参数；S4、重复步骤S1‑S3，获得改善不同型号器件抗单粒子效应能力的最优参数；S5、针对某个型号器件，设置与之匹配的最优加速器质子束流参数，开展批量化辐照；S6、辐照结束后对器件进行室温退火，最后进行电学性能测试和抗单粒子效应能力验证。本发明提供的方法能够快速批量完成SiC JBS半封装器件、裸片以及晶圆的抗单粒子效应能力改善。
一种改善碳化硅肖特基二极管粒子效应能力方法

[发明专利]一种有效提高超导临界磁场的方法-CN202211665399.6在审
发明人：白玉龙;蒋宁;鲍晓旭;赵世峰 -专利权人：内蒙古大学
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：利用低能量沉积方法将单金属超导靶材以团簇束流的方式溅射到衬底制成团簇态的金属薄膜，所述低能量是指金属团簇的着陆能10meV/atom。所述单金属超导靶材可以选择Pb靶材。本发明利用低能团簇束流沉积技术将超导单金属制备成了团簇态的金属薄膜，从而实现了超导临界磁场的极大提升，展示了一种在纳米尺度上调控超导临界磁场的新方法和新途径。
一种有效提高超导临界磁场方法

[发明专利]一种多光纤束的单光场相机三维成像系统及其测量方法-CN202211412386.8在审
发明人：梅迪 -专利权人：梅迪
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01P5/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种多光纤束的单光场相机三维成像系统及其测量方法，所述三维成像系统采用单台相机和配套的若干光纤束、镜头及调节器，即可显著增大光场相机的成像基线，提高光场相机的三维空间分辨率，尤其是景深方向的空间分辨率；并且由于光纤束的使用，光场相机可以远离拍摄场景进行布置，从而使得该三维成像系统可被应用在易造成设备损坏的危险环境中；基于该三维成像系统，实现了利用单台光场相机即可完成高精度三维测量的功能，能够用于流场三维测速或者三维固体外观检测等领域
一种光纤单光场相机三维成像系统及其测量方法

[发明专利]一种高分辨率中子照相系统-CN201910074993.X在审
发明人：吴宜灿;王永峰;李雅男;王文;胡丽琴;王芳;龙鹏程 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G01T3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分辨率中子照相系统，包括中子源、准直器和像探测器系统，所述中子源包括离子源和靶，所述中子源产生的中子束呈线状，所述中子源产生线状中子束的实现方式为以下两种方式中的任意一种：第一种方式为，所述离子源的引出孔为狭缝或排列在一条线上的多个圆孔；第二种方式为，所述离子源的引出孔为单圆孔，所述靶呈V形；采用第一种方式时，所述准直器和所述像探测器系统布局在离子束流垂直方向，采用第二种方式时，所述准直器和所述像探测器系统布局在离子束流方向本发明的高分辨率中子照相系统具有中子源紧凑，可移动，离子束流强高，中子源强度高，靶束斑截面小，照相分辨率高的特点。
中子源中子照相系统探测器系统高分辨率离子束流离子源准直器引出孔中子束线状圆孔照相分辨率中子源强度束斑截面可移动狭缝紧凑

[发明专利]潘宁负离子源陶瓷中子管-CN201210194809.3无效
发明人：乔双 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H05H3/06 文献下载
摘要：离子源采用侧向引出或偏心引出方式，靶上加正高压，在去除引出束流中电子的情况下，引出束流都是单原子负离子，产生中子的束流利用率可以达到100%．采用这种结构的中子管在相同高压和束流下中子产额，比以往中子管提高大约
潘宁负离子源陶瓷中子

[发明专利]用于形成带束、帘布层和胎圈的芯部的方法和设备-CN200580012552.3无效
发明人：理查德·A.·施泰因克;西奥多·M.·洛夫 -专利权人：美国轮胎公司
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： B29D30/16 文献下载
摘要：用于形成帘布层、带束和胎圈的芯部和用于将芯部定位在用于形成弹性轮胎的模子中的方法和设备。芯部建立在内模的心轴上，心轴由硬泡沫芯段形成，硬泡沫芯段围绕中心轮毂置于顶部和底部毂衬之间，中心轮毂包括由此经过并且通过毂衬而形成的流道。用于构造芯部的帘布层形成为编织套筒用于沿着扩张锥体并且在心轴上方通过，所述心轴上方已经定位了分隔层，并且胎圈经过每个套筒端部，所述套筒端部接收通过套筒装配的胎圈定心板，卡住胎圈并且将它定位在心轴侧面上，并且在胎圈和每个心轴侧面上折叠帘布层端部。类似地，形成为带束帘线织物的带束或多条带束沿扩张锥体传递并且传递到心轴冠部上，且分隔层定位在心轴、帘布层和带束或多条带束之间和最终的带束上方，并且轮胎芯部围绕冠部从一侧向另一侧缠绕。
用于形成帘布方法设备

[发明专利]一种基于移动平台的单粒子效应测试装置及方法-CN201910171410.5在审
发明人：莫丹;刘杰;孙友梅;段敬来;姚会军 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于移动平台的单粒子效应测试装置及方法，包括试验桌，还包括：移动平台，设置在试验桌的一侧，移动平台上设有器件夹具，测试器件通过器件夹具固定在移动平台上，以实现测试器件的空间位置平移和转动操作；辐照单元，设置在试验桌的另一侧，用于输出离子束流；测量单元，设置在移动平台和辐照单元之间的试验桌上，用于记录和测量测试器件上单个或多个待测芯片的位置信息和高度信息。本发明能够显著地提高单粒子效应测试的准确性、稳定性和效率，而且可以节省束流时间，大幅度节省用户的试验费用。
移动平台单粒子效应测试测试器件试验桌辐照单元器件夹具测量单元待测芯片高度信息空间位置离子束流试验费用转动操作平移束流测量输出记录试验

[实用新型]一种单流束水表表壳检测工装-CN202121797794.0有效
发明人：张艺欣;杨滨;王振杰;张裕松 -专利权人：宁波水表（集团）股份有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01F25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单流束水表表壳检测工装，表壳包括内槽、以及与内槽侧向连通并与外界连通的第一水流道；单流束水表表壳检测工装包括检测圆柱体和第一检测直杆，检测圆柱体用于同轴置入内槽内；第一检测直杆设置有弧形的第一检测面
一种单流束水表表壳检测工装

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