专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体激光器侧泵模块-CN200910024028.8有效
  • 刘兴胜;杨凯;康利军 - 西安炬光科技有限公司
  • 2009-09-24 - 2010-09-15 - H01S3/0941
  • 本发明涉及一种半导体激光器侧泵模块,由一个或多个侧泵模块单元以及一个晶体棒组成,所述侧泵模块单元包括底板、固定于底板上的半导体激光模块、设于半导体激光模块前端的快轴准直镜和设于快轴准直镜后的扩束镜,所述扩束镜后为晶体棒所述半导体激光模块由一个巴条组成,所述侧泵模块单元还包括一个匀化镜,所述匀化镜设于扩束镜和晶体棒之间。该侧泵模块能利用较少的大功率半导体激光阵列作为泵浦源,经过扩束和匀化,使泵浦半导体激光器的光束均匀性和能量密度满足使用要求。
  • 一种半导体激光器模块
  • [实用新型]一种半导体激光器侧泵模块-CN200920034719.1有效
  • 刘兴胜;杨凯;康利军 - 西安炬光科技有限公司
  • 2009-09-24 - 2010-06-23 - H01S3/0941
  • 本实用新型涉及一种半导体激光器侧泵模块,由一个或多个侧泵模块单元以及一个晶体棒组成,所述侧泵模块单元包括底板、固定于底板上的半导体激光模块、设于半导体激光模块前端的快轴准直镜和设于快轴准直镜后的扩束镜,所述半导体激光模块由一个巴条组成,所述侧泵模块单元还包括一个匀化镜,所述匀化镜设于扩束镜和晶体棒之间。该侧泵模块能利用较少的大功率半导体激光阵列作为泵浦源,经过扩束和匀化,使泵浦半导体激光器的光束均匀性和能量密度满足使用要求。
  • 一种半导体激光器模块
  • [发明专利]半导体激光叠阵端泵固体激光-CN201410042957.2在审
  • 郝明明;谢少峰;路国光;雷志锋;赖灿雄;黄云;恩云飞 - 工业和信息化部电子第五研究所
  • 2014-01-28 - 2014-05-07 - H01S3/0941
  • 一种半导体激光叠阵端泵固体激光器,包括半导体激光叠阵、非球面柱透镜、柱透镜阵列、光束分割器、光束重排器、扩束器、聚焦镜以及谐振腔;半导体激光叠阵产生的泵浦光依次入射到非球面柱透镜、柱透镜阵列进行快慢轴方向的准直,准直后的泵浦光进入光束分割器和光束重排器进行光束整形,整形后的泵浦光进入扩束器进行慢轴发散角调整,然后聚焦镜将慢轴发散角调整后的泵浦光聚焦到谐振腔内的激光晶体上,对激光晶体进行泵浦。所述半导体激光叠阵端泵固体激光器经过准直、分割、重排、扩束后通过聚焦镜聚焦到激光晶体上的光斑对称,并且和振荡光模式匹配好,使得输出的激光光束形貌为圆形,光束质量好。
  • 半导体激光叠阵端泵固体激光器
  • [发明专利]单片集成半导体激光阵列的制造方法及装置-CN200810156592.0有效
  • 李静思;贾凌慧;陈向飞 - 南京大学
  • 2008-10-06 - 2009-02-18 - H01S5/40
  • 单片集成半导体激光阵列的制造方法,在激光阵列中的每个激光器DFB光栅结构采用取样布拉格光栅结构,阵列中每个DFB半导体激光器波导里的光栅是取样布拉格光栅,取样布拉格光栅含有对应普通布拉格光栅的等效光栅;DFB半导体激光器的激射波长在此取样布拉格光栅的等效光栅作用带宽里,由取样布拉格光栅的取样结构的取样周期决定,改变取样周期就可改变激射波长。使用刻有各种取样图案的掩模板,增大或减小采样周期,使DFB激光器激射波长靠近或远离中心波长,实现不同的波长激射,实现多通道的多波长激光阵列;本发明在亚微米级精度上实现各种复杂的等效相移,即对应的等效光栅具有
  • 单片集成半导体激光器阵列制造方法装置
  • [实用新型]激光非接触在线检测装置-CN200620078662.1无效
  • 唐大渝;王金娜 - 西安北方光电有限公司
  • 2006-03-27 - 2007-07-04 - G01B11/02
  • 本实用新型涉及一种光学仪器,特别是激光非接触在线检测装置,其特征是:半导体激光器(1)通过输出激光与准直透镜(2)、被测物件(3)、光电阵列器件(4)和接收光学镜头(6)连接;半导体激光器(1)输出激光经准直透镜(2)到被测物件(3)为一直线,经被测物件(3)反射的激光使接收光学镜头(6)与光电阵列器件(4)为一光学直线,所述的两直线成一角度,光电阵列器件(4)与处理显示单元(5)电连接;半导体激光器(1)、准直透镜(2)、接收光学镜头(6)、光电阵列器件(4)与处理显示单元(5)固定在壳体(7)内。
  • 激光接触在线检测装置
  • [发明专利]半导体激光装置-CN201310101392.6有效
  • 余勤跃;樊仲维;扈金富 - 温州泛波激光有限公司
  • 2013-03-26 - 2013-07-10 - H01S5/40
  • 本发明涉及激光技术领域,提供了一种半导体激光装置,该激光装置包括沿光路依次设置的半导体激光阵列、快轴准直镜、变栅距衍射光栅和反射镜;该半导体激光阵列包括至少2个激光发光单元,激光发光单元发出的激光经过快轴准直镜准直后入射到变栅距衍射光栅,并经变栅距衍射光栅衍射后形成平行光入射到反射率为1%-15%的反射镜,反射镜设置为与衍射后的平行光垂直,衍射后的平行光经反射镜透射出超高亮度的激光束。本发明可提供超高亮度的激光光束,且整个装置简单、稳定、可靠。
  • 半导体激光装置
  • [实用新型]半导体激光装置-CN201320141954.5有效
  • 余勤跃;樊仲维;扈金富 - 温州泛波激光有限公司
  • 2013-03-26 - 2013-08-21 - H01S5/40
  • 本实用新型涉及激光技术领域,提供了一种半导体激光装置,该激光装置包括沿光路依次设置的半导体激光阵列、快轴准直镜、变栅距衍射光栅和反射镜;该半导体激光阵列包括至少2个激光发光单元,激光发光单元发出的激光经过快轴准直镜准直后入射到变栅距衍射光栅,并经变栅距衍射光栅衍射后形成平行光入射到反射率为1%-15%的反射镜,反射镜设置为与衍射后的平行光垂直,衍射后的平行光经反射镜透射出超高亮度的激光束。本实用新型可提供超高亮度的激光光束,且整个装置简单、稳定、可靠。
  • 半导体激光装置
  • [发明专利]一种全固态激光-CN201510881000.1在审
  • 唐刚锋;董涛;沈兆国;腾云鹏 - 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所
  • 2015-12-05 - 2016-02-03 - H01S3/131
  • 本发明涉及一种全固态激光器,包括激光谐振腔,激光谐振腔中设有复合激光晶体,对应复合激光晶体设有泵浦光源;泵浦光源包括一个或者至少两个沿谐振腔中光路方向间隔设置的泵浦光单元,泵浦光单元为至少两个半导体沿复合激光晶体周向设置的半导体阵列;泵浦光源包括一个或者至少两个沿激光光路间隔设置的泵浦光单元,泵浦光单元为由至少两个半导体沿复合激光晶体周向设置的半导体阵列;复合激光晶体吸收泵浦光源发出的泵浦光后产生对应的激光,该激光激光谐振腔中进行振荡并射出激光器具有较稳定输出能力,而且使激光器小型化,该装置具有体积小,光束均匀,激光能量微调整容易等特点,并且输出的激光能量得到了大幅度提升。
  • 一种固态激光器
  • [实用新型]一种激光夜视仪用光束匀化装置-CN201320237423.6有效
  • 范蔚;于晶 - 山东中鸿新能源科技有限公司
  • 2013-05-06 - 2013-09-04 - G02B27/09
  • 本实用新型涉及一种激光夜视仪用光束匀化装置,包括半导体激光器和透镜组,半导体激光器和透镜组之间依次设置有微透镜阵列、多棱镜和毛玻璃,所述透镜组包括扩束镜和聚焦镜,半导体激光器发出的激光照射到微透镜阵列上时,经过微透镜阵列后形成很多发光光点,每个发光光点相当于一个小的光源,然后每个小的光源经过多棱镜和毛玻璃之后在远处相互交叠,从而实现光斑匀化,有效克服了激光光束的相干性,经过匀化器件组匀化后的光束再经过扩束镜扩束和聚焦镜的聚焦,从而可实现能量更集中,照射距离更远,激光散斑消除彻底,图像清晰。
  • 一种激光夜视仪用光化装
  • [发明专利]改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光阵列的方法-CN201210413304.1无效
  • 袁丽君;于红艳;周旭亮;王火雷;潘教青 - 中国科学院半导体研究所
  • 2012-10-25 - 2013-01-16 - H01S5/40
  • 一种改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光阵列的方法,包括如下步骤:在SOI片顶层硅层上制作均匀光栅;在硅层上垂直于光栅的方向刻蚀出多个宽度不同的硅波导和两侧的硅挡墙;在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层,硅挡墙和金属层之间为过量金属容纳区,形成SOI波导结构;在一P衬底上采用MOCVD的方法生长III-V族半导体激光阵列结构,该III-V族半导体激光阵列结构中的每个激光器与每个硅波导相对应;在III-V族半导体激光器结构的N面制作金属电极,并在金属电极上光刻腐蚀出光耦合窗口;在P衬底的背面制作金属电极,形成键合激光阵列结构;将SOI波导结构和键合激光阵列结构,采用选区金属键合的方法键合到一起,完成多波长硅基混合激光阵列的制备
  • 改变波导宽度制备波长混合激光器阵列方法

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