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- [发明专利]基片处理装置和导电性配管劣化程度判断方法-CN202110228339.7在审
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饭野正
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东京毅力科创株式会社
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2021-03-02
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2021-09-10
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H01L21/67
- 本发明提供能够容易高精度地检测导电性配管的导电性的劣化的基片处理装置和导电性配管劣化程度判断方法。基片处理装置包括:基片保持部;喷嘴部;对喷嘴部供给处理液的导电性配管;将导电性配管与基准电位连接的接地线;设置在基片保持部的周围的液接收部,其接收从喷嘴部释放的液体;和用于测量导电性配管的导电性的劣化程度的劣化程度测量部,劣化程度测量部包括:对导电性配管供给测量用液体,从喷嘴部释放测量用液体的测量用液体供给部;对液接收部的接液面与基准电位之间施加电位差的电位差施加部;电流计,其在将测量用液体从喷嘴部释放到液接收部时,测量流过在液接收部的接液面与接地线之间经由测量用液体建立的电荷移动路径的电流值
- 处理装置导电性配管劣化程度判断方法
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