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[发明专利]局部掺杂前表面场背接触电池及其制备方法和组件、系统-CN201610740237.2有效
发明人：林建伟;孙玉海;季根华;刘志锋;刘勇;张育政 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及一种局部掺杂前表面场背接触电池及其制备方法和组件、系统。本发明的局部掺杂前表面场背接触电池，包括N型晶体硅基体，N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为局部掺杂n+前表面场和前表面钝化减反膜，N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为交替排列的背表面p+掺杂区域和背表面n+掺杂区域、背表面钝化膜和背表面金属电极。其有益效果是只在N型晶体硅基体的前表面局部区域进行n+掺杂，其余区域不掺杂，从而制得局部掺杂的前表面场，这种结构既降低了前表面场自身的复合又能给N型晶体硅基体提供优异的场钝化效果，所制电池具有较高的开路电压
局部掺杂表面接触电池及其制备方法组件系统

[实用新型]局部掺杂前表面场背接触电池及其组件和系统-CN201620956112.9有效
发明人：林建伟;孙玉海;季根华;刘志锋;刘勇;张育政 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种局部掺杂前表面场背接触电池及其组件和系统。本实用新型的局部掺杂前表面场背接触电池，包括N型晶体硅基体，N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为局部掺杂n+前表面场和前表面钝化减反膜，N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为交替排列的背表面p+掺杂区域和背表面n+掺杂区域、背表面钝化膜和背表面金属电极。其有益效果是只在N型晶体硅基体的前表面局部区域进行n+掺杂，其余区域不掺杂，从而制得局部掺杂的前表面场，这种结构既降低了前表面场自身的复合又能给N型晶体硅基体提供优异的场钝化效果，所制电池具有较高的开路电压
局部掺杂表面接触电池及其组件系统

[发明专利]全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的形成方法-CN201610050192.6有效
发明人：李中兰 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的形成方法，采用间接磷源法形成前表面场和钝化氧化层，包括一步空管运行饱和步骤及紧接一步空管运行饱和步骤之后的氧化步骤；该方法所得前表面场的表面浓度可达3E17cm‑3到1E18cm‑3，结深为0.1μm‑0.2μm，所得前表面场同时覆盖了一层5nm到15nm的热氧化硅薄层。应用本发明所述超低表面浓度前表面场的IBC电池，其短波段的内量子效率高达95%以上。
电极太阳电池表面浓度形成方法

[发明专利]一种全背电极n型电池前表面场和后表面场同时形成的工艺-CN201310005240.6无效
发明人：陶龙忠;邢国强;董经兵;杨灼坚;夏正月;朱彦斌 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种全背电极n型电池前表面场和后表面场同时形成的工艺，包括步骤：（1）表面制绒；（2）双面磷扩散；（3）背面局部区域保护；（4）背面单面去除保护层外磷硅玻璃层；（5）腐蚀去除保护层外的磷扩散层；（6）去除保护层和磷硅玻璃层，形成前表面场和背表面场。本发明通过改进制备工艺使电池在生产过程中同时形成前表面场和背表面场，能够有效节约制备时间，降低生产成本，有利于提高市场竞争力。
一种电极电池表面同时形成工艺

[发明专利]一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备方法-CN201610050185.6有效
发明人：李中兰 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备方法，采用直接磷源法形成前表面场和钝化氧化层，包括步骤在800℃‑810℃于氮气和氧气气氛中装硅片进舟，再在800℃‑950℃于氮气、氧气以及携带磷源的氮气气氛中进行磷源沉积所得前表面场的表面浓度可达1E18cm‑3到5E18cm‑3，结深为0.1μm‑0.2μm。应用本发明所述超低表面浓度前表面场的IBC电池，其短波段的内量子效率高达95%以上。
一种电极太阳电池表面浓度制备方法

[发明专利]一种局部背表面场n型太阳能电池-CN201410638596.8在审
发明人：刘志锋;尹海鹏;张俊兵;孙寿亮;张峰;单伟 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;晶澳太阳能有限公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种局部背表面场n型太阳能电池，包括n型硅基体，在n型硅基体的前表面上设有p+发射区、前表面介质层和正极金属电极，在n型硅基体的背表面上设有n+背表面场、背表面介质层和负极金属电极，所述的n+背表面场是由选择性的n+掺杂区域形成的局部n+背表面场。本发明中的n型太阳能电池由于采用局部的背表面场结构，可以极大的降低由于背表场掺杂所带来的少子复合，与以往常规的全背表面场n型太阳能电池相比可以极大的提高电池的开路电压，并且短路电流也有一定的提升。
一种局部表面太阳能电池

[实用新型]一种低光衰太阳能电池结构-CN201420731710.7有效
发明人：张敬敬;王立建;蔡岳峰 -专利权人：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低光衰太阳能电池结构，包括：用于支撑的N型晶硅基体；覆盖在所述N型晶硅基体上表面的n+前表面场；沉积在所述n+前表面场上的减反钝化膜；附着在N型晶硅基体下表面的p+发射结；沉积在p+发射结下表面的钝化膜；栅线分布在N型晶硅基体上方的银电极且银电极的下表面穿过减反钝化膜及n+前表面场并与N型晶硅基体的上表面接触；附着在钝化膜下表面的铝背场，铝背场的上表面延伸出凸台且所述凸台栅线分布，所述凸台穿过钝化膜并嵌入p+发射结内；本实用新型采用掺硼铝浆推结技术在N型太阳能级硅片衬底上形成背部p+发射极，前表面采用磷扩散的方式形成n+前表面场，电池片的效率明显提高，完全达到了低光衰的目的。
一种低光衰太阳能电池结构

[发明专利]一种背抛光太阳能电池工艺-CN201310304597.4在审
发明人：郭翠丽 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种背抛光太阳能电池工艺制备：包括：(1)选取P型多晶硅片，进行背表面抛光制备；(2)进行表面绒面制备；(3)磷扩散形成前表面场；(4)去除磷硅玻璃；(5)前表面沉积氮化硅膜；(6)丝网印刷背电极、铝背场及正电极
一种抛光太阳能电池工艺

[发明专利]一种局域前表面场N型太阳电池的制作方法-CN200910214460.3无效
发明人：沈辉;杨灼坚;洪瑞江;梁宗存;陶龙忠 -专利权人：中山大学
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种局域前表面场N型太阳电池的制作方法，该方法利用铝硅合金化过程或高温硼扩散过程形成背表面p-n结，激光掺杂形成前表面局域重掺杂N型区域作为前表面场，并用化学镀或电镀方法在上述重掺杂N型区域上制作前电极
一种局域表面太阳电池制作方法

[发明专利]一种局部背场的制备工艺-CN201210533511.0无效
发明人：鲁伟明 -专利权人：泰州德通电气有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种局部背场的制备工艺，包括以下步骤：a、将硅片清洗制绒；b、将清洗后的硅片进行扩散；c、将扩散后的硅片去背结并且将背表面抛光；d、将背面抛光的硅片前表面沉积氮化硅减反射膜，背面底层沉积非晶硅、氧化铝或者氧化硅薄膜，上层沉积氮化硅薄膜；e、在背表面印刷铝浆，前表面印刷银浆；f、烧结形成局部背场。这种局部背场的制备工艺可以实现背场钝化膜的自开孔，减少了生产工序，降低了生产成本。
一种局部制备工艺

[实用新型]一种新型细胞场刺激电极-CN201922376111.3有效
发明人：刘再联;谢绍建 -专利权人：广州佰途生物科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C12M1/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及细胞实验技术领域，且公开了一种新型细胞场刺激电极，包括显微镜载物台适配器，所述显微镜载物台适配器的前表面固定安装有数量为两个的安装座，两个所述安装座的相对面均活动安装有连接轴，两个所述连接轴远离安装座的一端均与细胞槽底座活动连接，所述细胞槽底座的前表面开设有浴槽，所述细胞槽底座的前表面固定安装有位于细胞槽底座上方的电极固定件。该新型细胞场刺激电极，改变了传统的采用钙溶液或者针式电极去刺激，无法均匀给予杆状的心肌细胞的一种面积式的场电刺激，使场电刺激均匀，方便了新型细胞场刺激电极达到可解决细胞的刺激电极无法满足场电刺激的缺陷，
一种新型细胞刺激电极

[发明专利]钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构-CN201110052803.8有效
发明人：陈艳 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-03-05 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：在N型直拉单晶硅基体背面的P型发射结的非金属接触区的发射极通过磷扩散层形成浮动结，浮动结与背面金属栅线之间通过介质膜隔离，浮动结表面做钝化膜。基体正面为N型前表面场，N型前表面场的正面为金字塔绒面结构，表面具有钝化N型前表面场的SiNx层，电池片正背面都有金属栅线。
钝化太阳能电池掺杂方法电池结构

[发明专利]一种低成本n型双面太阳电池及其制备方法-CN201310001832.0有效
发明人：汪保卫;沈辉 -专利权人：中山大学
申请日： 2013-01-05 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本n型双面太阳电池，所述太阳电池前表面为硼扩散形成的硼发射极，硼发射极上面沉积有钝化层和减反射层，太阳电池背表面的背电极接触位置为局部磷背场，其余为非掺杂区域，非掺杂区域上面沉积有钝化层，前表面制备有金属前电极，背表面制备有金属背电极。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明利用激光掺杂含磷薄膜或涂敷的磷源，形成局部n+掺杂区域，同时保持钝化效果，无需二次高温磷扩散和其它掩膜过程，就可同时形成前表面场和背表面场，简化双面n型太阳电池的制备工艺和降低制造成本
一种低成本双面太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法-CN201910635917.1在审
发明人：高嘉庆;宋志成;郭永刚;屈小勇;吴翔;马继奎;张博 -专利权人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本专利提供了一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法，包括N型单晶硅片为基体，所述单晶硅片前表面设置有硼掺杂层，所述单晶硅片前表面硼掺杂层上设置有AL2O3钝化层，在所述单晶硅片前表面AL2O3钝化层上设置有SiNx减反射层；所述单晶硅片背表面场为磷掺杂层，所述单晶硅片背面发射极为硼掺杂层，所述单晶硅片背表面设置有SiO2钝化层，所述单晶硅片背面发射极表面设置有AL2O3钝化层，所述单晶硅片背面场表面设置有SiNx钝化层，电池前表面采用FFE浮动结结构在有效降低表面载流子复合的同时可提供背表面场的宽度比例，降低工艺难度；可有效降低电池正反面的少子复合率，进而提升电池转换效率。
一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法

[实用新型]一种叉指型背接触太阳电池结构-CN201921108975.0有效
发明人：高嘉庆;宋志成;郭永刚;屈小勇;吴翔;马继奎;张博 -专利权人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本专利提供了一种叉指型背接触太阳电池结构，包括N型单晶硅片为基体，所述单晶硅片前表面设置有硼掺杂层，所述单晶硅片前表面硼掺杂层上设置有AL2O3钝化层，在所述单晶硅片前表面AL2O3钝化层上设置有SiNx减反射层；所述单晶硅片背表面场为磷掺杂层，所述单晶硅片背面发射极为硼掺杂层，所述单晶硅片背表面设置有SiO2钝化层，所述单晶硅片背面发射极表面设置有AL2O3钝化层，所述单晶硅片背面场表面设置有SiNx钝化层，电池前表面采用FFE浮动结结构在有效降低表面载流子复合的同时可提供背表面场的宽度比例，降低工艺难度；可有效降低电池正反面的少子复合率，进而提升电池转换效率。
一种叉指型背接触太阳电池结构

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