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[发明专利]彩膜结构、显示面板及其制备方法和显示装置-CN202010065881.0在审
发明人：高昊;李彦松 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请提供了一种彩膜结构、显示面板及其制备方法和显示装置，包括黑矩阵以及布置在所述黑矩阵开口区域内的彩膜层，以及反射层；所述反射层与所述黑矩阵至少部分重叠，所述反射层被配置为位于所述黑矩阵用于朝向发光源的一侧，使得所述发光源射向所述黑矩阵的光线至少部分地被反射至所述发光源，并经所述彩膜层射出。本申请提供的彩膜结构，通过在黑矩阵靠近发光源一侧的表面设置反射层，在不影响黑矩阵吸收自然光降反射的同时，反射发光源照射到黑矩阵区域的光，使其在彩膜层出光线，减少黑矩阵其对发光源的光能量损耗，从而改善显示面板的产品性能
膜结构显示面板及其制备方法显示装置

[发明专利]黑矩阵组合物、液晶显示面板及其制备方法-CN201911312577.5有效
发明人：白柏 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G03F7/033 文献下载
摘要：本发明提供一种黑矩阵组合物、液晶显示面板及其制备方法，所述黑矩阵组合物用于形成黑矩阵层，其各组分及各组分的重量百分比为：无机填料，5‑10％；碱溶性齐聚物，5‑10％；交联剂，5‑10％；光聚合引发剂，黑矩阵层由黑矩阵组合物制备，该黑矩阵层在温度小于或等于50°时，黑矩阵层为黑色；在温度大于或等于60°时，黑矩阵层为完全透明。因此，在液晶显示面板制备的过程中，液晶显示面板被加热到高温，黑矩阵呈完全透明状态，UV光透过彩膜基板及透明电极层照射到框胶层上，并对所述框胶层进行光照固化处理，而不会被金属走线层遮挡，使得框胶层充分固化且均匀固化
矩阵组合液晶显示面板及其制备方法

[实用新型]一种光电转换效率高的新型黑硅片-CN201920365366.7有效
发明人：何其金;张靖;何飞 -专利权人：江苏德润光电科技有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电设备技术领域，且公开了一种光电转换效率高的新型黑硅片，包括固定框，所述固定框的底部固定连接有数量为两个的连接块，左侧所述连接块的背面活动连接有第一连接杆。该光电转换效率高的新型黑硅片，通过半球形黑硅片与黑硅片本体的配合使用，半球形黑硅片和其内部的真空槽将强了黑硅片本体表面的钝化处理，减少了反射，增强了黑硅片本体光的吸收率，通过粘接膜和隔热膜的配合使用将，隔热膜的位置进行固定，防止其移动，隔热膜将黑硅片本体进行光伏效应时产生的热量与固定框隔绝，防止热量溢散，实现了光电转换率高的目的，进而减小了黑硅片的衰减速度的问题，提高了工作效率，方便使用。
硅片硅片本体光电转换效率隔热膜固定框半球形吸收率本实用新型光电转换率活动连接有钝化处理工作效率光电设备光伏效应连接杆粘接膜真空槽减小反射衰减背面移动

[发明专利]图像传感器-CN201910004072.6有效
发明人：卢铉弼;李昌根;柳济元;李康仙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括半导体基板，该半导体基板包括像素区和光学黑区。该图像传感器包括在像素区中的多个光电转换区。该图像传感器包括在半导体基板的第一表面上的布线结构。该图像传感器包括在光学黑区中在半导体基板的第二表面上的光屏蔽层。此外，该图像传感器包括光屏蔽壁结构，该光屏蔽壁结构在像素区与光学黑区之间在半导体基板中并且连接到光屏蔽层。
图像传感器

[实用新型]显示装置-CN202320269854.4有效
发明人：刘洋;黄清英 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种显示装置，包括显示面板和背光模组；显示面板包括多个子像素和多个黑矩阵，黑矩阵设置于相邻的子像素之间；背光模组包括：光源；导光结构，导光结构具有相对的出光面和反光面，该导光结构用于将光源的光在其内部传导；出光面上包括多个出光部和多个反光部，出光部用于将导光结构内部的光出射，而反光部用于将导光结构内反射至反光部上的光反射回导光结构内；其中，沿显示装置的厚度方向，反光部的正投影与至少部分黑矩阵的正投影重叠，出光部的正投影与至少一个子像素的正投影重叠。
显示装置

[发明专利]彩色滤色片及具有该彩色滤色片的显示装置-CN201710153996.3有效
发明人：杨同华;万冀豫;张思凯;冯贺 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明公开一种彩色滤色片及具有该彩色滤色片的显示装置，其包括基板、黑矩阵以及多组挡墙；黑矩阵设于基板，黑矩阵包括垂直交叉布置的多条数据线和多条栅线，以界定具有多个像素区域的矩阵图案，矩阵图案外周设有矩阵边框；多组挡墙分别对应于黑矩阵的多条侧边，每组挡墙的数量为至少一条，且各挡墙分别设于其对应侧边的矩阵边框、数据线或者栅线上。本发明通过在黑矩阵的边框、数据线和栅线上设置挡墙，即在光阻剂涂覆制程中易形成回流现象的区域增加挡墙的结构，以此阻止因表面张力影响导致涂覆在彩色滤色片的光阻剂在黑矩阵的周边区域产生回流现象，从而改善现有液晶面板因光阻剂涂覆厚度差异而造成的显示均一性不佳的问题
彩色滤色片具有显示装置

[发明专利]考虑蓄电池容量限制的孤立型光储柴微电网黑启动方法-CN202011602359.8有效
发明人：李鑫卓;张历;高吉普;林呈辉;刘斌;辛明勇;王宇;徐玉韬;代奇迹;冯起辉;陈敦辉;唐赛秋 -专利权人：贵州电网有限责任公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种考虑蓄电池容量限制的孤立型光储柴微电网黑启动方法，它包括：建立一种考虑蓄电池容量的孤立型光储柴微电网，将柴油发电机作为黑启动电源，蓄电池储能系统和光伏阵列作为非黑启动电源；切除孤立微电网中全部负荷；启动黑启动电源，建立微电网系统的电压和频率；投入部分重要负荷；判断蓄电池荷电状态SOC，荷电状态SOC定义为剩余容量占电池容量的比值，取值范围为0～1，设定SOC1和SOC2分别为蓄电池荷电状态SOC的上下限，根据蓄电池SOC判断的不同，执行不同的控制策略；解决了孤立型微电网由于与主网断开连接，稳定性相对较弱；因此在黑启动时容易造成孤立型微电网黑启动失败等技术问题。
考虑蓄电池容量限制孤立型光储柴微电网启动方法

[发明专利]一种手机玻璃视窗印刷工艺-CN201510921331.3有效
发明人：王亚平;武秀文;张祥林 -专利权人：广东星弛光电科技有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： B41M1/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种手机玻璃的印刷工艺，具体涉及一种手机玻璃视窗印刷工艺，包括如下步骤：A、第一道镜面银logo印刷；B、第二道珠光印刷；C、第三道三层白底印刷；D、第四道哑光黑盖底印刷。镜面银logo层‑珠光层‑三层白底层‑哑光黑盖底层，各层的油墨颜色过渡自然，通过三层白底层‑哑光黑盖底层凸显珠光层的珠光效果，珠光层透过油墨层折射出金属光泽以及宁静典雅的珍珠般效果；各油墨层的总厚度仅为19‑33μm，保持视窗玻璃良好的光透性，而且由于珠光颜料是一种受光功能性颜料，提高视窗玻璃的光透性有助于提高珠光层的珠光效果，呈现不同角度的不同折射光泽，展现图案的层次感以及立体感。
珠光层手机玻璃印刷工艺三层哑光印刷镜面视窗玻璃珠光效果白底层光透性油墨层视窗折射立体感功能性颜料过渡自然金属光泽油墨颜色珠光颜料层次感道珠受光珍珠图案

[实用新型]一种高效黑臭水体采样装置-CN202320601175.2有效
发明人：侯艺文;李晗 -专利权人：山东新达环境保护技术咨询有限责任公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效黑臭水体采样装置，包括水体采样筒、提手和限位螺栓，所述水体采样筒的上侧安装有提手，且水体采样筒的下侧固定有配重环，且水体采样筒在配重环的一侧安装有水嘴，所述水体采样筒的内部固定有温度计该高效黑臭水体采样装置，将对接块与对接槽进行对接，再将限位块与限位槽进行对接，使第一连接罩与第二连接罩覆盖在水体采样筒的外侧，旋转限位螺栓，使日常使用中高效黑臭水体采样装置与硬物发生摩擦时，采样装置筒身的水量刻度线不会划损，水体采样筒的底部挤压卡块，当卡槽与卡块对齐时，使固定罩限制在水体采样筒的底部，防止高效黑臭水体采样装置在桌面滑动。
一种高效水体采样装置

[实用新型]一种基于黑臭水体处理的净化装置-CN202122082055.X有效
发明人：朱鸣晖;尤文亚 -专利权人：常州源升泰市政工程建设有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及黑臭水体处理技术领域，尤其涉及一种基于黑臭水体处理的净化装置，包括底座，底座顶端固定安装有机壳，机壳的两侧分别连接有连接罩，机壳顶端连接安装有进料口，机壳内设有滤板，连接罩顶端均连接安装有第一伸缩电机，第一伸缩电机的输出轴均通过机壳连接有移动架，移动架内设有输出轴竖直向下的第二伸缩电机，第二伸缩电机的输出轴连接有刮板，连接罩内转动连接有料斗，料斗的一端通过连接罩连接有旋转电机，机壳和连接罩底部均设有导热板，机壳和连接罩一侧均连接有空气净化器，空气净化器顶端固定安装有排风机。本实用新型，能够对黑臭水中的污水和污泥进行分开处理，提高了效率，具有一定的实用性。
一种基于水体处理净化装置

[发明专利]包括多个子像素的显示面板、对置基板、阵列基板、操作以及制造显示面板的方法-CN201880002030.2有效
发明人：刘冰洋;陈东川;钱学强;王丹;马新利 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：多个子像素中的每一个包括第一发光部分和第二发光部分。显示面板包括位于基底基板上的黑矩阵。黑矩阵限定多个子像素孔。第一发光部分形成在多个子像素孔以外。第二发光部分形成在多个子像素孔中的对应一个中。黑矩阵在基底基板上的正投影覆盖多个子像素中的每一个的第一发光部分在基底基板上的正投影，并且与多个子像素中的每一个的第二发光部分在基底基板上的正投影实质上不重叠。第一发光部分包括多个电子墨水微胶囊。
包括个子像素显示面板置基板阵列操作以及制造方法

[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN202111467144.4有效
发明人：张晓萍;郑仰利;窦树谦;范利涛;任健;吴昊;张晓洁;王辉;王盛 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明涉及显示设备技术领域，公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板分为显示区、被显示区至少部分包围的透光区以及位于透光区与显示区之间的非显示区；显示面板包括环境光检测组件以及黑矩阵；其中，环境光检测组件位于非显示区，环境光检测组件包括第一检测单元和第二检测单元；黑矩阵位于环境光检测组件的感光侧，黑矩阵在环境光检测组件上的正投影覆盖第二检测单元、且与第一检测单元无重叠。该显示面板能够使得外观与无环境光检测组件的显示面板无差异，进而使得环境光检测组件隐蔽性好，在视觉上改善了亮线不良，并且没有增加产品的成本，应用性强。
一种显示面板显示装置

[发明专利]蓝光响应增强的高效黑硅光伏器件-CN201910602142.8在审
发明人： J·吴;H·M·布伦兹;H-C·阮 -专利权人：可持续能源联盟有限责任公司
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：具有改进的蓝光响应的光伏(PV)器件。PV器件在光接收侧上包含具有发射极层的硅衬底。发射极层所具有的掺杂物水平使得其薄层电阻为90～170欧姆/sq。仅仅通过光接收表面上的纳米结构或黑硅表面，在PV器件中提供抗反射，其中通过扩散形成发射极。以不会导致金或其它高复合金属留在黑硅中的方式，如使用银的金属辅助刻蚀，形成黑硅的纳米结构。进一步处理黑硅，扩大所述孔隙，这样可提供侧向尺寸为65～150纳米的更大的纳米结构，以减少表面面积并且还刻蚀掉发射极的高掺杂部分。
黑硅纳米结构发射极层蓝光响应发射极刻蚀侧向光接收表面薄层电阻光伏器件金属辅助掺杂物高掺杂高复合光接收硅衬底抗反射光伏金属扩散改进

[发明专利]彩膜基板、显示面板和显示装置-CN202010074052.9在审
发明人：秦元贞 -专利权人：绵阳京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该彩膜基板包括基板、第一黑矩阵、彩色滤光膜以及光导出层；基板具有出光面和入光面；第一黑矩阵设于所述基板的入光面；彩色滤光膜间隔设于所述第一黑矩阵之间，所述彩色滤光膜具有出光面和入光面；光导出层设于所述彩色滤光膜的出光面通过光导出层可以增加彩色滤光膜的透光率，从而增加整个彩膜基板的透光率，使图像更为清晰；通过第一黑矩阵可以阻挡光向侧面散射，从而减少相邻像素之间的相互干扰，使图像更为清晰。
彩膜基板显示面板显示装置

[发明专利]一种微结构周期可控的大面积黑硅的制造方法-CN201210523560.6有效
发明人：王作斌;张子昂;王大鹏;于淼;宋正勋;翁占坤;胡贞;许红梅 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提出一种利用激光干涉技术快速制造大面积黑硅的方法。利用特定多光束干涉组合，形成点阵周期光场分布，在含硫化合物气氛环境下，利用较大的干涉光场分布和控制硅材料样品的二维平面位移，结合硅材料的激光刻蚀阈值，直接在硅材料表面快速形成大面积黑硅表面结构。通过对干涉光场的控制，可以获得结构周期可变的黑硅表面结构。同时该方法解决了传统飞秒激光扫描方法难以快速获得大面积黑硅表面结构以及结构周期不可控的局限。另外还具有系统结构简单，加工成本低的优点。
一种微结构周期可控大面积制造方法