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[发明专利]一种纳米尺度光电响应测量系统及方法-CN202010143560.8在审
发明人：陈庚亮;席宁 -专利权人：深圳市智能机器人研究院
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米尺度光电响应测量系统及方法，其中系统包括激励光源、纳米探针传感器、纳米移动平台和控制模块，所述纳米探针传感器包括纳米悬臂和纳米探针，所述纳米移动平台与纳米悬臂刚性相连，所述控制模块与纳米移动平台连接；所述激励光源用于将光源照射至光电器件上；所述纳米移动平台用于控制纳米探针在光电器件上方移动；所述纳米探针用于采集光电器件上预设区域的光致镜像力；所述控制模块用于控制纳米移动平台，并根据采集的光致镜像力获取光电器件的光电响应值本发明通过采集光致镜像力的方式测量光电器件的光电响应值，避免了外界噪声产生的影响，提高了测量的灵敏度和光电响应空间分辨率，可广泛应用于光电响应测量领域。
一种纳米尺度光电响应测量系统方法

[发明专利]用于仿生视觉系统的柔性光电感知器件及其制备方法-CN202211266469.0在审
发明人：张海忠;陈得森;邱鹏 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-10-15 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H10K30/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于仿生视觉系统的柔性光电感知器件，包括柔性衬底、底部栅电极、底部介电层、光电响应层、源电极、漏电极、顶部介电层和顶部栅电极，所述底部栅电极、底部介电层、光电响应层、顶部介电层和顶部栅电极依次叠设在柔性衬底上，所述源电极、漏电极分别设于光电响应层上，与光电响应层形成电接触；所述光电响应层位于顶、底部介电层中间，形成DGBC器件架构；所述光电响应层采用可调谐带隙的TIPS‑并五苯有机半导体材料，以实现光电响应波长与人眼可感知光波长相匹配该柔性光电感知器件有利于模拟生物突触行为，实现仿生光电感知功能。
用于仿生视觉系统柔性光电感知器件及其制备方法

[发明专利]一种多功能的硅基光电神经突触器件及其制备方法-CN202210385701.6在审
发明人：皮孝东;黄世杰;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能的硅基光电神经突触器件，包括氧化物上硅层，所述氧化物上硅层由氧化层和硅衬底组成，其中，氧化层位于硅衬底上；光电响应层，所述光电响应层位于所述氧化层上，所述光电响应层为半导体钙钛矿薄膜；以及顶电极，所述顶电极位于光电响应层上，所述顶电极为惰性金属材料。该硅基光电神经突触器件该器件能够在较低能耗和低串扰下进行电信号写入，已完成多个光调控功能。本发明还提供了多功能的硅基光电神经突触器件的制备方法。该制备方法成本低，容错高，操作简便等优点。
一种多功能光电神经突触器件及其制备方法

[发明专利]一种光电探测器以及制备方法-CN202011028876.9有效
发明人：翁玮呈;丁维遵;刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器以及制备方法，包括：衬底；光响应器件，位于衬底的表面，其中，光响应器件设置有第一电极、第二电极和光信号接收窗口；钝化层，包括至少一层钝化子层，覆盖光响应器件的侧面以及光响应器件远离衬底一侧的表面，其中，钝化层设置有开口结构，开口结构暴露光信号接收窗口；增透膜，覆盖开口结构的底面和侧面，且延伸至钝化层远离光响应器件一侧的表面。本发明实施例提供的技术方案提高了光电探测器的光电转换效率，并有效降低了器件的暗电流。
一种光电探测器以及制备方法

[发明专利]单根硒微米管光电探测器及其制备方法和响应度增强方法-CN201610361275.7在审
发明人：胡凯;方晓生 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-05-28 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于材料及光电器件技术领域，具体为一种单根硒微米管光电探测器及其制方法和响应度增强方法。本发明采用蒸发‑转移‑生长的方法，合成长度在0.1~5 mm、宽度在1~30μm之间的t‑硒六角微米管结构；将制备的微米管分离后得到单根的硒微米管转移到固体基片上，并构筑光电器件。硒单根微米管光电器件具有优良的紫外‑可见范围内的光电探测性能和毫秒量级的快速响应时间。在上述硒微米管光电探测器表面用小型离子溅射仪溅射Au纳米粒子，利用表面等离子体共振，实现从300~700 nm的响应度的提高。本发明器件克服了传统光电器件复杂的工艺，可以实现光电器件的快速构筑。同时，利用Au纳米粒子实现广光谱响应度增强的方法可以广泛的应用于广光谱探测器上。
单根硒微米光电探测器及其制备方法响应增强

[发明专利]一种具有高光电流响应的紫磷烯半导体光电器件及其制备方法和应用-CN202211714506.X在审
发明人：叶晓慧;郑希;齐明;陈萌瑧;魏苗苗;强豪;杨智元 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高光电流响应的紫磷烯半导体光电器件及其制备方法和应用，属于半导体器件与光电传感技术领域。首先采用激光液相剥离的方法对化学气相输运法制备的紫磷块体进行小尺寸、少层数的紫磷烯制备，其次将紫磷烯滴涂至导电玻璃表面，然后对其进行热处理，成功制备了具有高光电流响应的紫磷烯光电半导体材料及简易光电器件，将薄层紫磷烯均匀分布在导电玻璃表面，可以高效实现磷族材料的高效、宽光谱、可调节光电流响应，可为新一代光电材料的制备及光电器件发展及应用提供解决方案。
一种具有电流响应紫磷烯半导体光电器件及其制备方法应用

[发明专利]一种铪掺杂氧化锌的光电探测器及其制备方法-CN201911404847.5在审
发明人：叶葱 -专利权人：武汉明芯储能光电科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种铪掺杂氧化锌的光电探测器及其制备方法，器件结构为FTO/Hf‑ZnO/CH3NH3PbI3/spiro‑OMe TAD/Au，该器件展示了8.95％的光电转换效率。同时，此器件展示了较好的光电响应性能，其值在0偏压下高达7.0A/W；而真空退火的器件的探测度最高，达到1002的响应度。本发明操作步骤简单，实验成本低廉，制作的探测器具有较高的响应度和探测灵敏度。
一种掺杂氧化锌光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种改进凹透镜模块的APD光电器件及其制作方法-CN201910461803.X有效
发明人：高建威;江海波 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明是属于光电探测技术领域，用于光电器件的入射面或背面，具体为一种改进凹透镜模块的APD光电器件及其制作方法。所述制作方法包括制作APD光电器件，在APD光电器件的正面淀积透明材料；通过光刻方式在透明材料上制作出圆孔图形；使用等离子刻蚀机在图形处进行深槽刻蚀，利用反应离子刻蚀机进行同性刻蚀，从而刻蚀出凹透镜的外形；对刻蚀后的APD光电器件进行清洗，并在其正面制作出正面电极孔；在凹透镜上淀积金属铝，从而形成反射镜；对APD光电器件进行减薄抛光，再对其背面制作增透膜。本发明能够集成于硅基光电探测器，且有效增加光电器件的响应度；并极大提高硅基光电器件在红外波段的响应度。
一种改进凹透镜模块 apd 光电器件及其制作方法

[发明专利]印刷透明碳纳米管光电薄膜及其在光电器件中的应用-CN201610076038.6在审
发明人：宁洪龙;朱峰;陶瑞强;胡诗犇;姚日晖;兰林锋;王磊;徐苗;邹建华;陶洪;彭俊彪;吴为敬 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本发明属于光电材料与器件领域，具体公开了一种印刷透明碳纳米管光电薄膜及其在光电器件中的应用。本发明印刷透明碳纳米管光电薄膜中的碳纳米管采用的是尿素或臭氧处理，可以显著提升碳纳米管的光电响应特性；与常规的酸处理和加入表面活性剂的处理碳纳米管的方法相比，不仅可提升性能，而且可以避免腐蚀器件，增加器件可靠性本发明印刷透明碳纳米管光电薄膜具有更高的光电响应性能，可作为光电材料用于制备光电器件，例如电致变色或远红外成像光电器件，包括近红外激光设备、红外通讯设备、电致变色智能窗等。
印刷透明纳米光电薄膜及其器件中的应用

[实用新型]一种光电子器件频率响应的测试装置-CN202222134288.4有效
发明人：张玮 -专利权人：上海索萤科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电子器件频率响应的测试装置，涉及检测设备技术领域，包括底板，所述底板上固接有底盘，底盘上转动连接有转动柱，底盘上还固设有与转动柱连接的旋转组件，转动柱的顶端固接有固定臂，固定臂两端的内部均嵌设安装有电动推杆一，两个电动推杆一的伸缩轴分别与活动连接在固定臂两端内部的活动臂固接，此光电子器件频率响应的测试装置，区别于现有技术，可将光电子器件固定住，保持光电子器件在测试过程中的稳固性，且能够避免夹块对光电子器件造成夹伤的问题，可实现对光电子器件的频率响应检测工作，在拆装光电子器件时无需停止测试工作，在面对数量较多的光电子器件测试时工作效率可得到大幅度提高。
一种光电子器件频率响应测试装置

[实用新型]光电池器件-CN201621030283.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：鸿之微科技（上海）有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型涉及光能转换技术，公开了一种光电池器件。本实用新型的光电池器件仅使用一层黑磷层，不但结构简单，而且响应光谱较宽，光响应电流对偏振光相位角度具有正弦或余弦的响应特性。此外，设置防反射膜可以具有较高的光电转换效率。
光电池器件

[发明专利]同时获取光响应图像和反射率图像的方法、装置、系统及存储介质-CN201811246608.7有效
发明人：张子邦;钟金钢;姚曼虹 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时获取光响应图像和反射率图像的方法、装置、系统及存储介质。其包括，生成一系列哈达玛基底图案，将哈达玛基底图案转化为结构光场，结构光场被投影至待测光电器件，待测光电器件表面的反射光被传送至光电探测器，信号采集器同时采集待测光电器件及光电探测器的电信号，根据结构光场与电信号的关联性计算重建待测光电器件的光响应图像及反射率图像本发明的方法、装置及系统能够同时采集光响应图像及反射率图像，并且两种图像的视场相同，便于图像融合，实现对光电器件的快速质量筛查和缺陷检测，并且装置简单、易实现。
同时获取响应图像反射率方法装置系统存储介质

[发明专利]一种利用β相氧化镓晶体制备负光电导日盲探测器的方法-CN202210160573.5在审
发明人：辛倩;颜世琪;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用β相氧化镓晶体制备负光电导日盲探测器的方法，包括：(1)制备n型掺杂氧化镓衬底：通过机械剥离n型掺杂Ga2O3晶体，获得原子级平整的洁净表面，获得的氧化镓晶片；(2)依次通过清洗步骤(1)获得的氧化镓晶片、光刻定义电极图形、生长电极制备得到负光电导日盲探测器；本发明首次在氧化镓光探测器件中观测到紫外波段的负光电导现象器件负光电导性能优异，在254nm光的照射下，器件表现出高的负响应，响应度达14.6A/W，响应速度快，对周期性开/关光开关响应稳定、可逆。氧化镓晶体的负光电导特性为其在光电器件上的应用提供了新的可能性。
一种利用氧化晶体制备电导探测器方法

[发明专利]一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法-CN201310609114.1无效
发明人：李豫东;郭旗;汪波;文林;玛丽娅·黑尼;任建伟 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法，该方法涉及装置是由卤素灯光源室、单色仪、投射镜头、矩形分划板、反射镜、平行光管、成像物镜、三维样品调整台和待测光电成像器件制成，本发明利用单色仪输出均匀的单色光，并经过投射物镜将放置在平行光管焦面位置的矩形分划板照亮，再经过反射镜改变光路方向后射入到平行光管，平行光管输出的准直单色光通过成像物镜将矩形分划板成像到光电成像器件的光敏面上，根据所采集的图像信息得出光电成像器件的光谱响应，再将光电成像器件受高能粒子辐照后，再进行测试一次，即可得到器件的光谱响应辐射损伤，本发明所述的方法结构紧凑，操作简单方便。
一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤测试方法

[发明专利]光电转换器件及其制作方法、显示装置-CN202010351527.4在审
发明人：张愉;江淼;姚江波;陈黎暄;张鑫 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本申请提供一种光电转换器件及其制作方法、显示装置，所述光电转换器件包括基板以及位于基板上的薄膜晶体管单元层，光电转换器件包括一感光侧，薄膜晶体管单元层包括：有源层、位于有源层两端并与有源层电性连接的源漏极金属层、及光子晶体功能层，设置于有源层远离感光侧的一侧；通过在有源层远离感光侧的一侧设置光子晶体功能层，将入射的光线通过光子晶体功能层反射到有源层，实现有源层对光线的二次刺激响应，对光电转换器件进行增益并提高响应性能，此外，光子晶体功能层还可将有源层不能响应的其它波段的光线转换为有源层可以响应波段的光线，进一步提高了光电转换器件对光线的利用率和对不同波段光线的适应性。
光电转换器件及其制作方法显示装置

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