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- [发明专利]光生伏打装置-CN200410029431.7有效
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寺川朗;浅海利夫
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三洋电机株式会社
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2004-03-17
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2004-09-29
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H01L31/04
- 本发明提供一种光生伏打装置,设置有晶体系半导体,在所述晶体系半导体的表面上形成、实质上真性的第一非晶质半导体层,以及在所述第一非晶质半导体层的表面上形成的第一导电型的第二非晶质半导体层,在所述第一非晶质半导体层中有氢浓度的峰,由于由此能够增加第一非晶质半导体层中氢原子的量,所以通过该增加的氢原子与作为第一非晶质半导体层中的缺陷的硅原子的悬空键的结合,能够使该悬空键惰性化,由此提供输出特性提高的光生伏打装置。
- 光生伏打装置
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