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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]像素结构-CN201910643642.6在审
发明人：邱敏轩;陈儒瑾;郑玮铭;李锡烈 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种像素结构，包括基板、第一金属层、第一绝缘层、导电层、第二绝缘层以及第二金属层。第一金属层位于基板上。第一金属层包括数据线以及连接数据线的源极。第一绝缘层覆盖第一金属层。导电层位于第一绝缘层上。第一电极至少部分位于像素结构的开口区中。第二绝缘层覆盖导电层。第二金属层位于第二绝缘层上。第二金属层包括扫描线以及连接扫描线的栅极。栅极重叠于半导体通道。
绝缘层第一金属层导电层半导体通道第二金属层像素结构绝缘层覆盖第一电极扫描线基板源极连接数据线电性连接开口区数据线

[发明专利]像素结构-CN202011072237.2在审
发明人：周思思 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供的像素结构包括衬底、设置在衬底上方的源漏极层、设置在源漏极层上的第一平坦层、以及数据线，其中，数据线和源漏极层异面设置，且数据线所在膜层远离栅极层和源漏极层；通过将数据线设置在远离栅极层和源漏极层的异面膜层上
像素结构

[发明专利]像素结构-CN201910603382.X在审
发明人：陈逸轩;康沐楷;叶政谚;赵广雄;徐维志 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构，其包括第一金属层、栅绝缘层、第二金属层、第一层间绝缘层、第一导电层、第二层间绝缘层以及第二导电层。第一金属层包括栅极以及扫描线。扫描线沿第一方向延伸。
像素结构

[发明专利]像素结构-CN201910748483.6在审
发明人：郑贸薰 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种像素结构，包括通道层、栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极、介电层以及连接电极。
第一区栅极绝缘层通道层连接电极介电层导电性像素结构垂直投影电性连接基板区位覆盖

[发明专利]像素结构-CN202010118750.4在审
发明人：吴明宪;蔡曜骏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种像素结构，包括基板、第一导体、第二导体以及多个管芯。第一导体配置于基板上，包括沿第一方向延伸的多个第一主体部、沿第二方向延伸的多个第一分支部以及沿第一方向延伸的多个第二分支部。
像素结构

[发明专利]像素结构-CN202110493058.4在审
发明人：林晋安;田堃正;吴汧柔 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明公开一种像素结构，其包括第一信号线、第二信号线、主动元件、像素电极、共用电极及吸光层。第一信号线及第二信号线交错设置。主动元件电连接至第一信号线及第二信号线。像素电极电连接至主动元件。共用电极与像素电极部分地重叠。共用电极具有背向基底的第一表面、朝向基底的第二表面及连接第一表面与第二表面的侧壁。吸光层的材料包括一半导体材料。吸光层包括第一吸光图案。此外，另一种像素结构也被提出。
像素结构

[发明专利]像素结构-CN202010778409.1在审
发明人：方翼铭 -专利权人：凌巨科技股份有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构，其利用一共享电极设置于一像素电极的上方，该共享电极设置一第一狭缝，该第一狭缝具有一第一边缘及一第二边缘，该第一边缘与该第二边缘之间具有一第一宽度，该像素电极具有一第一像素边缘位于该第一边缘与该第二边缘之间，该第二边缘与该第一像素边缘之间具有一第二宽度，以该第一宽度大于等于该第二宽度，提升像素结构的光线穿透度。
像素结构

[发明专利]像素结构-CN202110935131.9在审
发明人：赵显敏;金大贤;任铉德;姜钟赫;朴哉柄;李周悦;曹治乌;洪性珍 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H05B33/26 文献下载
摘要：公开了像素结构。所述像素结构包括：基体基底；第一电极，位于所述基体基底上；第二电极，设置为围绕所述第一电极的至少一部分；以及多个LED元件，分别连接到所述第一电极和所述第二电极，并且沿不同的方向径向地布置。
像素结构

[发明专利]像素结构-CN202011024297.7在审
发明人：吴哲耀;周凯茹;江宜达 -专利权人：凌巨科技股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本申请涉及一种像素结构，其包含基板、栅极线、数据线、遮蔽层、第一像素以及第二像素。栅极线沿着第一方向设置于基板上。第一像素以及第二像素沿着第二方向彼此间隔地设置于遮蔽层上，且第一像素与第二像素之间暴露遮蔽层的一部份。本申请的像素结构具有较小的数据线宽度，以降低无效的杂乱电容，实现低耗电的功效。
像素结构

[发明专利]像素结构-CN202210013292.7在审
发明人：陈奕宏;李佳安;林冠亨 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种像素结构，包括依序堆叠的第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、第二有源层、第三半导体层及电极层。
像素结构

[发明专利]像素结构-CN202110171082.6在审
发明人：吴哲耀;周凯茹 -专利权人：凌巨科技股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：一种像素结构，具有穿透区及反射区，包括基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、平坦层、像素电极及反射电极。第一金属层设置于基板上且包括多个第一图案化区域以及第一储存电极。像素电极通过贯穿第二绝缘层与平坦层的接触窗与第二金属层电性连接。反射电极设置于像素电极上且包括多个第三图案化区域。
像素结构

[发明专利]像素结构-CN202210990803.0在审
发明人：汪国杰 -专利权人：惠州华星光电显示有限公司;深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种像素结构，该像素结构包括第一子像素、第二子像素、蓝色子像素，在一重复单元内，第一子像素和蓝色子像素围绕第二子像素排布，且第一子像素、蓝色子像素间隔设置，至少一第一子像素与相邻的蓝色子像素的间隔距离不相等，间隔距离至少包括第一距离和第二距离；通过使至少一第一子像素与相邻的蓝色子像素的间隔距离不相等，间隔距离至少包括第一距离和第二距离，使蓝色子像素较为散乱的排布，通过蓝色子像素呈非线性随机排布，从而减少显示暗纹
像素结构

[发明专利]像素结构-CN202310598832.7在审
发明人：黄孟秋;林弘哲;许倩雯;何昇儒;侯舜龄;郭子维;朱崴豪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开一种像素结构，其包含数个数据线、数个扫描线、数个次像素单元、第一共通线、第二共通线、至少一电极、至少一第一连接电极以及至少一第二连接电极。次像素单元中的每一者具有至少一主动元件、与主动元件电连接的至少一像素电极以及与像素电极分隔的至少一共通电极。第一共通线位于两相邻的次像素单元之间。
像素结构

[发明专利]像素结构-CN201410316916.8有效
发明人：林奕呈;陈钰琪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种像素结构，包括第一导电层、半导体层、绝缘层、第二导电层、保护层及第一电极层。第一导电层包括扫描线及下电极。半导体层包括具有第一通道层、第一源极区及第一漏极区的第一半导体图案。绝缘层位于半导体层上。
像素结构

[发明专利]像素结构-CN201410319829.8有效
发明人：林奕呈;陈钰琪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种像素结构，包括半导体层、绝缘层、第一、二导电层、保护层及第一电极层。半导体层包括第一半导体图案，其具有第一通道区、第一源极区及第一漏极区。绝缘层位于半导体层上。
像素结构

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