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- [发明专利]一种提高GaN衬底使用效率的方法-CN201210342056.6无效
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陈立人;陈伟;刘慰华
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聚灿光电科技(苏州)有限公司
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2012-09-17
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2013-01-09
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H01L33/00
- 本发明公开了一种提高GaN衬底使用效率的方法,包括如下步骤:1)使用GaN衬底以及气相沉积方法进行制造LED发光二极管外延,在外延生长开始时,外延一层1~50nm的InGaN异质材料层;2)继续外延n型掺杂的GaN缓冲层;并完成后续整个LED结构的外延生长;3)使用晶圆金属键合的方式进行高反射率的导电基板Si片或Cu片与外延表面的键合成一体;4)通过激光剥离的方式,将原GaN衬底在InGaN异质材料层中剥离,外延层与导电基板形成高出光的倒装式LED芯片结构;5)GaN衬底再作为外延衬底重复投入使用。本发明解决了现有技术的难点,提供了一种节约成本、调高效率的高亮度发光二极管的制造方法,相比传统的LED芯片,本发明制造的LED芯片发光亮度至少提高15%。
- 一种提高gan衬底使用效率方法
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