专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种提高反应室使用效率的方法-CN201410449044.2有效
  • 刘欣欣;张波 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-09-04 - 2018-08-14 - H01L21/02
  • 本发明涉及集成电路制造领域,具体涉及一种提高反应室使用效率的方法,在进行一道生产工艺前,通过生产工艺控制系统得到进行上述生产工艺的机台上可用反应室数量,并于该生产工艺控制系统中设定参与上述生产工艺的最小反应室的数量而该机台自动化系统继续利用上述可用反应室的属性信息选择符合最小反应室数量的空闲的可用反应室,继续均衡上述空闲的可用反应室将要处理晶圆的数量后,于该空闲的可用反应室中进行生产工艺,从而减少了晶圆等待处理的时间,有效提高了反应室的使用效率
  • 一种提高反应使用效率方法
  • [发明专利]一种提高GaN衬底使用效率的方法-CN201210342056.6无效
  • 陈立人;陈伟;刘慰华 - 聚灿光电科技(苏州)有限公司
  • 2012-09-17 - 2013-01-09 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种提高GaN衬底使用效率的方法,包括如下步骤:1)使用GaN衬底以及气相沉积方法进行制造LED发光二极管外延,在外延生长开始时,外延一层1~50nm的InGaN异质材料层;2)继续外延n型掺杂的GaN缓冲层;并完成后续整个LED结构的外延生长;3)使用晶圆金属键合的方式进行高反射率的导电基板Si片或Cu片与外延表面的键合成一体;4)通过激光剥离的方式,将原GaN衬底在InGaN异质材料层中剥离,外延层与导电基板形成高出光的倒装式LED芯片结构;5)GaN衬底再作为外延衬底重复投入使用。本发明解决了现有技术的难点,提供了一种节约成本、调高效率的高亮度发光二极管的制造方法,相比传统的LED芯片,本发明制造的LED芯片发光亮度至少提高15%。
  • 一种提高gan衬底使用效率方法
  • [实用新型]使用方便燃烧效率高的柴炉-CN201621077765.6有效
  • 敖绍敏 - 敖绍敏
  • 2016-09-26 - 2017-04-19 - F24B1/19
  • 本实用新型提供一种使用方便燃烧效率高的柴炉,包括炉体,在炉体上部的内腔设有一环状供氧盒,环状供氧盒通过供气孔与炉体外壁的空间联通,环状供氧盒的内壁设有通孔,炉体的上端面为一中心空缺的方形金属板,中心空缺处由外向里依次搁置外圆环片它的效果在于1、燃烧效率高;2、适应性强;3、搬动方便。
  • 使用方便燃烧效率

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