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[发明专利]低温活化烧结钼坯的生产方法-CN201410327459.2无效
发明人：乔华国;杨斌 -专利权人：青岛裕华电子科技有限公司
申请日： 2014-07-10 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：一种提高产品质量、节省能源以及降低生产设备固定资产的低温活化烧结钼坯的生产方法。技术方案是：其特征是包括下列步骤：（1）（1）成型：将超细钼粉装入钼板坯模中，装粉量为970克，装粉量中包括成型剂，在250吨或以上的油压机上加压成型；（2）预烧：将成型钼坯放入第一钼丝炉进行预烧，预烧温度为1050℃；（3）烧结：将预烧后的钼坯放入第二钼丝炉进行烧结，烧结温度1350℃。
低温活化烧结生产方法

[实用新型]一种氮保护碳酸锂烧结节能辊道窑-CN202320343521.1有效
发明人：丁国友 -专利权人：佛山市金佰利机电有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： F27B9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮保护碳酸锂烧结节能辊道窑，包括：烧结模块，所述烧结模块包括了烧结箱体和内壁体，所述内壁体由耐火材料和氮气输送管组成，且包括了低温预烧内壁和高温烧结内壁，所述低温预烧内壁为平顶结构，所述高温烧结内壁为拱顶结构
一种保护碳酸锂烧结节能辊道窑

[发明专利]球罩形Y2-CN202310417644.X在审
发明人：喻彬;付秀梅;周世斌 -专利权人：成都东骏激光股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C04B35/053 文献下载
摘要：本发明公开了球罩形Y2O3‑MgO纳米陶瓷烧结方法和装置，其中烧结方法包括对成型坯体进行预烧结、烧结和退火：预烧结，所述预烧结温度为1100～1250℃，保温时间为30～120min；烧结，所述烧结温度为1300～1550℃，保温时间为15～90min；退火，所述退火温度为1000～1300℃，保温时间为60～120min；其中预烧结本申请在达到烧结温度前设置预烧结阶段，通过在较低温度的下的预烧结作用，一定程度增强球罩形粉末坯体的强度，从而用以抵御高温烧结下，陶瓷粉末坯体快速烧结所产生的收缩应力。
球罩形 base sub

[发明专利]一种低温烧成仿古琉璃瓦及其制备方法-CN201710510291.2在审
发明人：徐啸飞;方晓俊;许蘅 -专利权人：常州市沃兰特电子有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C04B33/132 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧成仿古琉璃瓦及其制备方法，属于建筑材料领域。本发明将低温烧成仿古琉璃瓦坯体原料称重后，加水混料，并陈化得陈化混合料，经压制成坯，脱模，得瓦坯，将瓦坯烘干、预烧得预烧瓦坯，再经熏蒸、降温、干燥得熏蒸瓦坯，再将低温烧成仿古琉璃瓦釉料原料称重后混料，得釉料，并将所得釉料涂布于熏蒸瓦坯表面，随后干燥得施釉瓦坯，经两次升温和保温后，自然冷却至室温，即得低温烧成仿古琉璃瓦。本发明的有益效果是本发明低温烧成仿古琉璃瓦烧成温度低、烧成时间短，能耗低，产品致密度高，机械性能佳，具有极佳的应用前景，值得推广与使用。
一种低温烧成仿古琉璃瓦及其制备方法

[发明专利]一种制备永磁铁氧体预烧料的方法-CN201510352109.6在审
发明人：匡雪冬;袁小镇;吴永路;邱士星 -专利权人：南京梅山冶金发展有限公司;宝钢集团上海梅山有限公司;上海梅山钢铁股份有限公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明一种制备永磁铁氧体预烧料的方法，特别是涉及一种混杂型铁氧体预烧料的制备方法，该方法特征在于原料上采用了不止一种的氧化铁来源形式；当b型Fe₂O₃掺入后，特别的是采用更低温度预烧，且在二次细磨均使用常规添加剂，未使用稀土或贵金属元素，这降低了成本的同时获得较高性能。
一种制备永磁铁氧体烧料方法

[发明专利]一种低温共烧陶瓷材料及其原料与制备工艺-CN201110022908.9有效
发明人：阳亚辉;朱建华;丁晓鸿;李建辉;陈鲁国;李晶;许欢华 -专利权人：深圳振华富电子有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种不用熔制玻璃、制造成本低、收缩一致性好、非常适合LTCC流延工艺生产的低温共烧陶瓷材料及其原料与制备工艺。所述低温共烧陶瓷材料为30～55重量份的Al2O3、30～55重量份的粉末a与5～20重量份的粉末b的混合预烧体；所述粉末a为预烧体，其组分为：10～25重量份的CaO，1～4重量份的MgO，1～5重量份的Li2O，40～60重量份的SiO2，10～30重量份的B2O3；所述粉末b为预烧体，其组分为摩尔比为2∶1的ZnO与SiO2。
一种低温陶瓷材料及其原料制备工艺

[发明专利]一种低温制备高致密度W-Ti合金溅射靶材的方法-CN202111098241.0有效
发明人：高卡;马天宇;刘东岳;孙德建;赵峻良;张米纳;高阳;樊磊 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温制备高致密度W‑Ti合金溅射靶材的方法，通过前期热压预烧结获得晶粒尺寸较小并具有一定强度和密度的预烧结坯体，再施加振荡热压烧结，调控振荡热压烧结工艺参数如烧结温度、振幅、振荡热压中值由于本发明热压预烧结与振荡热压烧结结合的方式，实现了在较低温度下得到高致密度W‑Ti合金溅射靶材，致密度可达99％以上，基本达到了理论致密化。
一种低温制备致密 ti 合金溅射方法

[发明专利]一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN201510109370.3有效
发明人：刘志甫;李永祥 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C04B35/057 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，低温共烧陶瓷粉体的组成化学式为xR2O‑yR’O‑zM2O3‑wM’O2，其中，R为Li、Na、K中的至少一种，R’为Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cu中的至少一种In、Bi、Nd、Sm、La中的至少一种，M’为Si、Ge、Sn、Ti、Zr中的至少一种，x、y、z、w为质量百分数，x≥0，y≥0，z≥20%，w≥15%，x+y+z+w=1，制备方法包括：根据所述低温共烧陶瓷粉体的组成，分别称量R2O粉体、R’O粉体、M2O3粉体、M’O2粉体，均匀混合后作为原料粉体；将原料粉体置于马弗炉中预烧后研磨，得到低温共烧陶瓷粉体，预烧的工艺参数包括：先在350‑450℃下保温，然后升温，每升高50‑100℃，在该温度下保温一次，最高预烧温度不高于950℃。
粉体低温共烧陶瓷预烧制备低温共烧陶瓷材料原料粉体保温质量百分数研磨马弗炉称量升高

[发明专利]一种锰锌铁氧体废料回收再利用的方法-CN201310743970.6有效
发明人：宋兴连;刘涛 -专利权人：山东凯通电子有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C04B35/38 文献下载
摘要：包括以下步骤：1、超细研磨；2、预烧还原；3、检测及组分调整；4、砂磨制浆；5、造粒。本发明所述方法解决了锰锌铁氧体废料回收利用的超精细粉碎问题，使材料在干磨状态下达到颗粒粒径1微米左右，从而达到低温预反应要求，同时，本发明还解决了低温还原气氛预烧、矿化剂、低温助溶催化剂的选配问题，可将工业生产中产生的锰锌铁氧体废料充分回收再利用
一种铁氧体废料回收再利用方法

[发明专利]一种粉末冶金传动齿轮的生产工艺-CN201710609203.4有效
发明人：曾东云;王德全 -专利权人：重庆江洲粉末冶金科技有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉末冶金传动齿轮的生产工艺，包括混料、压制成形、预烧结处理、镗孔/倒角、去毛刺、本烧结处理、渗碳淬火、喷砂、磨内孔、检验、清洗包装等工序将原来高温烧结后钻孔改为现在的低温预烧结处理，钻孔后再高温烧结，由于低温烧结产品硬度极低，便于钻孔加工。
一种粉末冶金传动齿轮生产工艺

[发明专利]无机功能陶瓷PTC热敏电阻及其低温生产工艺-CN200910021446.1无效
发明人：陈玉富;牛顺祥;曹全喜;赵丽丽 -专利权人：韩城市华龙电子有限责任公司
申请日： 2009-03-09 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明无机功能陶瓷PTC热敏电阻及其低温生产工艺不仅给电子工业提供了性能优良的电阻元件，而且采用了低温烧成的生产工艺，无机功能陶瓷PTC热敏电阻的加工分为一次配料预烧成粉、二次配料预烧成粒、压片烧制和芯片测试四段工艺
无机功能陶瓷 ptc 热敏电阻及其低温生产工艺

[发明专利]一种低温烧结锰锌软磁铁氧体材料的制备方法-CN202011352058.4在审
发明人：瞿德林;王久如;李丛俊 -专利权人：天长市中德电子有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01F1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结锰锌软磁铁氧体材料的制备方法，包括以下步骤：按配方称取主料，与水混合后，经过一次球磨，烘干，保温预烧得到预烧料；再称取适量CaCO3、CoO2O5、Bi2O3添加剂,与上述预烧料混合后，加入2‑膦酸丁烷‑1,2,4‑三羧酸和水，进行二次球磨，得到混合料；将上述混合料与聚乙烯醇粘结剂混合后，先加热保温处理，然后喷雾造粒、压制成型，得到坯料，再经过低温烧结得到锰锌软磁铁氧体材料。本发明通过对锰锌软磁铁氧体配方以及低温烧结工艺的优化，可以在降低烧结温度、减少能耗的同时，使制备的锰锌软磁铁氧体材料具有高饱和磁感应强度、低损耗的优点，软磁性能优良。
一种低温烧结锰锌软磁铁材料制备方法

[发明专利]一种低温烧结磷酸锰锂微波介电陶瓷材料及制备方法-CN201510468530.3有效
发明人：胡星;程子凡;凌志远 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结磷酸锰锂微波介电陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤(1)以Li2CO3、MnCO3、聚磷酸铵为原料，按LiMnPO4分子式配料通过球磨混合，烘干后在600～700℃的空气气氛中预烧3～4小时，得到预烧后的粉料；(2)将预烧后的粉料，添加粘结剂并造粒后，通过单轴加压制成生坯，最后在725～775℃的空气气氛中烧结2～3小时，制得低温烧结磷酸锰锂微波介电陶瓷。
一种低温烧结磷酸微波陶瓷材料制备方法

[发明专利]活性炭硅化法制备多孔碳化硅陶瓷的方法-CN201410005562.5有效
发明人：张小立 -专利权人：中原工学院
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种活性炭硅化法制备多孔碳化硅陶瓷的方法，包括以下步骤：首先，将活性炭和碳化硅粉末按质量比为0.5~3：1混合均匀，并模压成型，获得生坯；然后，将生坯放入真空烧结炉中，并在500-800℃的条件下预烧结0.5-2hr，获得预烧结坯；最后，将预烧结坯放入真空烧结炉中，在预烧结坯坯料周围撒上硅粉，所述硅粉为预烧结坯坯料质量的2~9%，并在1300-1700℃的条件下烧结0.5~3hr，获得遗传有活性炭微孔的多孔碳化硅陶瓷本发明利用活性炭硅化法制备的多孔碳化硅陶瓷具有较高的结合强度，属于低温原位反应的方法，工艺简单，成本低，可规模化生产。
活性炭法制多孔碳化硅陶瓷方法

[发明专利]低温烧结温度稳定型锆酸盐微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN201910538552.0有效
发明人：付志粉;范辉颖;马建立;李璨;吴义龙;高娟 -专利权人：安徽理工大学
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开了低温烧结温度稳定型锆酸盐微波介质陶瓷材料，包含Li2Mg3ZrO62CO3和ZrO2，将原料与玛瑙球、无水乙醇充分混合并球磨6‑10h，干燥，预烧，制得Li2Mg3ZrO6预烧粉；S2：称取原料CaCO3和TiO2，将原料与玛瑙球、无水乙醇进行混合并球磨6‑10h，干燥，预烧，制得CaTiO3预烧粉:Sub>3预烧粉与LiF加入容器中，并添加玛瑙球和无水乙醇进行混合并球磨6‑10h，干燥，然后加入聚乙烯醇水溶液，造粒，过筛，用压片机制成生坯，烧结，制得低温烧结温度稳定型锆酸盐微波介质陶瓷
低温烧结温度稳定型锆酸盐微波介质陶瓷材料及其制备方法