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[发明专利]低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法-CN201310611739.1在审
发明人：唐武;王雅琴 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料技术。本发明解决了现有低温下沉积的柔性ITO薄膜多处于非晶态的问题，提供了一种低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法，其技术方案可概括为：采用低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法进行制备，得到一种本发明的有益效果是，生成的ITO薄膜具有低温沉积、导电性好、可见光透过率高及附着力强，适用于ITO薄膜。
低温沉积柔性晶态氧化透明导电薄膜制备方法

[发明专利]一种低温沉积氮化硅薄膜的方法-CN201510455600.1在审
发明人：于棚;刘忆军;杜媛婷;常晓娜;吴围;刘婧婧;商庆燕 -专利权人：沈阳拓荆科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：低温沉积氮化硅薄膜的方法，是一种能够在较低温度下制备氮化硅薄膜的方法。采用本方法制备的薄膜主要应用于OLED封装技术。本发明由射频系统提供稳定的射频，下电极通过热偶精确控制一个较低的温度，在基板上通过等离子体技术沉积出氮化硅薄膜，并在沉积结束后通过射频对薄膜表面进行后处理，以增加薄膜表面的致密度。本方法每次沉积过程中基板表面的温升较小，可以采用分层沉积形式，分层沉积不会影响薄膜性能。
一种低温沉积氮化薄膜方法

[发明专利]应变硅工艺中的浅沟渠隔离工艺-CN200480002180.1有效
发明人： M·V·恩戈;相奇;P·R·贝赛尔;E·N·佩顿;林明仁 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-01-13 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种利用浅沟渠隔离(shallow trench isolation，STI)技术制造集成电路(integrated circuit，IC)的方法。该浅沟渠隔离技术用于应变硅(strained silicon，SMOS)工艺中。沟渠的衬垫(liner)是由用以减少锗的脱气(outgassing)的低温工艺中所沉积的沉积层而形成。该低温工艺可以是一种低压气相沉积法(LPCVD)。还可以在衬垫上执行退火(annealing)步骤。
应变工艺中的沟渠隔离工艺

[实用新型]具沉积层的封装结构-CN202020666930.1有效
发明人：陈宗庆 -专利权人：扬州艾笛森光电有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种具沉积层的封装结构包含支撑座、发光源与低温沉积层。支撑座其内具有凹槽。发光源位于支撑座的凹槽中。低温沉积层覆盖发光源，且低温沉积层为无机层。低温沉积层可作为发光源的保护层，可取代在传统支撑座上部设置玻璃盖板的设计。
沉积封装结构

[实用新型]具沉积式透镜的封装结构-CN202020679821.3有效
发明人：陈宗庆 -专利权人：扬州艾笛森光电有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种具沉积式透镜的封装结构包含支撑座、发光源与低温沉积层。支撑座其内具有凹槽。发光源位于支撑座的凹槽中。低温沉积层覆盖发光源，且低温沉积层的顶面为弧形。低温沉积层可作为发光源的保护层，可取代在传统支撑座上部设置玻璃盖板的设计。
沉积透镜封装结构

[发明专利]一种低温快速韧性渗氮后原位沉积PVD涂层的装置及沉积方法-CN202110836283.3在审
发明人：田修波;张鑫;巩春志 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：一种低温快速韧性渗氮后原位沉积PVD涂层的装置及沉积方法，本发明涉及一种低温快速韧性渗氮后原位沉积PVD涂层的装置及沉积方法。本发明的目的是解决现有问题，首先利用电弧增强辉光放电技术对研磨抛光清洗后的高速钢基体表面进行Ar+、H+等离子体刻蚀清洗；然后往真空室内连续通入高纯氮气、高纯氢气或高纯氮气、高纯氢气和惰性气体氩气，进行等离子体渗氮处理；最后在相近温度下，利用电场增强阴极弧技术原位沉积PVD涂层。本发明在传统设备上增加了辅助阳极，以及在一侧阴极弧源前增加了L型挡板，实现了低温快速韧性渗氮后原位沉积PVD涂层。本发明应用于原位沉积PVD涂层领域。
一种低温快速韧性渗氮后原位沉积 pvd 涂层装置方法

[实用新型]一种阵列式低温电化学样品的沉积装置-CN201721913178.0有效
发明人：王一;汤佳伟;马明明;杨晨;郭祥;罗子江;王继红;丁召 -专利权人：贵州大学
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G01N27/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阵列式低温电化学样品的沉积装置，它包括电解槽（3），电解槽（3）内上端设置有阳极导电电极（1），阳极导电电极（1）上固定有导电阵列式沉积模板（2）；电解槽（3）内底部设置有阴极电极柱（5），样品固定在阴极电极柱（5）上表面；所述阴极电极柱（5）为中空圆柱，管道（4）与电极柱（5）内部连通；中空圆柱内注入有低温液体；解决了现有技术的电化学沉积反应装置没有提供专门的冷却和阵列式反应的条件，导致化学沉积样品需要耗时长久，需要低温下才可以促使反应进行的试验无法顺利进行等技术问题。
阴极电极柱电解槽阵列式低温电化学阳极沉积装置导电电极中空圆柱本实用新型电化学沉积导电阵列低温液体反应装置化学沉积内部连通样品固定上端电极柱上表面沉积耗时冷却试验

[发明专利]多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置及其方法-CN201010293669.6无效
发明人：苏元军;孙琦;高桥英治;董闯;徐军;范鹏辉 -专利权人：大连理工大学;日新电机株式会社;日新电机（大连）技术开发有限公司
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置及其方法，属于半导体材料技术领域。这种沉积装置及其方法通过样品准备、样品制备前处理、沉积、后处理、样品取出等步骤能够生成主晶向为(111)、晶粒直径为数十纳米、多晶硅部分比例超过80%的低温多晶硅薄膜。利用物理气相沉积方法，代替现有等离子体增强化学气相沉积技术，不使用SiH气体前提下，直接沉积出多晶硅薄膜。由于成本低廉的基板（普通玻璃）的熔点较低，可在相对低的温度（小于300℃）条件下，在普通玻璃基板上直接沉积多晶硅薄膜，避免了以往使用基板成本高的缺点，极大地提高了竞争力。
多晶薄膜低温物理沉积装置及其方法

[发明专利]生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法-CN201010588952.1无效
发明人：徐正勋;闫晓剑 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法，属于光电领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种生产成本更低的生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法。本发明生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法包括如下步骤：a、沉积缓冲氧化层或缓冲氮化层；b、沉积非晶硅薄膜层；c、硅图案化；d、用等离子体增强化学气相沉积栅极绝缘层；e、溅射蒸镀栅极导电层，然后图案化；f、离子掺杂处理；g、蒸镀Ni金属层；h、加热，使非晶硅结晶化和活性化；i、沉积ILD及形成通孔图案；j、沉积源/漏金属层及形成数据线图案；k、钝化绝缘膜沉积及形成通孔图案；l、沉积ITO薄膜及形成OLED阳极图案；m
生产低温多晶薄膜晶体管方法

[发明专利]一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法-CN201510957204.9有效
发明人：徐继平;曲翔;刘斌;李耀东;王海涛;程凤伶;刘俊;肖清华;卢立延;盛方毓;边永智;宁永铎;何宇;王雷;张建;刘浩懿 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法，包括低温高速沉积步骤和高温低速沉积步骤；在低温高速沉积步骤中，温度为600℃‑640℃，转速为1.5‑2.5rpm；在高温低速沉积步骤中，温度为660℃‑690本发明的方法通过先低温高速沉积后高温低速沉积的组合方式沉积多晶硅薄膜，能够显著改善BOW/WARP参数。本发明工艺控制简单，有效控制多晶硅薄膜应力，满足硅基材料多晶沉积，特别是8英寸以上大直径硅基材料多晶沉积。
沉积高速沉积多晶硅膜硅基材料多晶硅基制备沉积多晶硅薄膜多晶硅薄膜工艺控制有效控制组合方式

[发明专利]一种具有抑制沉积物形成功能的低温传热介质及其制备方法与应用-CN201910943724.2有效
发明人：冯会良;龙茵;张凯蛟;赵海鹏 -专利权人：中国石油化工股份有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C09K5/10 文献下载
摘要：本发明涉及低温传热介质技术领域，具体涉及一种具有抑制沉积物形成功能的低温传热介质及其制备方法与应用。本发明提供一种具有抑制沉积物形成功能的低温传热介质，包括如下组分：水溶性醇、有机酸缓蚀剂、三唑类缓蚀剂、分散剂、pH调节剂和消泡剂。本发明的低温传热介质采用有机羧酸类缓蚀剂和三唑类缓蚀剂复配形成的复合缓蚀剂，为传热系统中紫铜、黄铜、钢、铁、铸铝、焊锡等金属提供优异的防腐蚀保护；同时具有优异的抑制沉积物形成和吸附的性能，避免沉积物堵塞冷却系统，有利于维持冷却系统的正常运行，延长低温传热介质的使用寿命；且不含硼砂、钼酸盐、亚硝酸盐、磷酸盐等无机盐成分及有机胺，对环境和人体的危害小。
一种具有抑制沉积物形成功能低温传热介质及其制备方法应用

[发明专利]生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法-CN201010521163.6无效
发明人：赵大庸;柳济宣 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法，属于光电领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法，该方法可以改善低温多晶硅薄膜晶体管的高漏电特性。本发明生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法，包括用等离子体增强化学气相沉积或化学气相沉积非晶硅薄膜层步骤，还包括用Ni原子单位蒸镀或溅射蒸镀Ni金属层步骤，其中，先用Ni原子单位蒸镀或溅射蒸镀Ni金属层，然后再用等离子体增强化学气相沉积或化学气相沉积非晶硅薄膜层。
生产底部金属结晶低温多晶薄膜晶体管方法

[发明专利]一种制备低温相锰铋合金的电镀液及其电沉积方法-CN201810962030.9有效
发明人：秦秀芳;睢彩云;许小红;杨明 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明属于电镀技术领域，具体涉及一种制备低温相锰铋合金的电镀液及其电沉积方法。本发明提供的制备锰铋合金的电镀液包括不同物质的量浓度的铋盐、EDTA二钠、可溶性锰盐、可溶性铵盐和硝酸；将其用于电沉积方法制备锰铋合金的步骤为，以铜片为工作电极，Ag/AgCl为参比电极，Pt丝电极为对电极，对电镀液进行沉积，将电沉积后的铜片进行退火，得到低温相锰铋合金，其矫顽力最高可以达到1465Oe。本发明借助EDTA二钠的络合作用，缩小了Mn和Bi还原电位的差距，有利于共沉积生成MnBi合金，实现Bi含量的有效调控，减小了大电压沉积Mn时析氢的影响。同时本发明首次采用电化学共沉积的方式制备MnBi合金在退火后出现低温相，确证了电沉积法制备无稀土永磁MnBi材料的可能性。
锰铋合金电沉积制备低温相电镀液退火共沉积铜片沉积合金电镀技术领域可溶性锰盐可溶性铵盐电化学参比电极工作电极还原电位络合作用稀土永磁有效调控对电极矫顽力硝酸减小丝电析氢铋盐

[发明专利]低温离子镀制备金属基润滑薄膜的方法-CN200610104586.1无效
发明人：胡明;孙嘉奕;翁立军;刘维民;高晓明;李陇旭;汪晓萍;罗正义;杨军;伏彦龙 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2006-09-14 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温离子镀制备金属基润滑薄膜的方法。该方法使用离子镀技术，采用液氮冷却的试样夹具夹持待镀膜基体，在镀膜过程中向试样夹具通入液氮，使基体获得低温，在低温基体表面沉积金属基润滑薄膜。该薄膜制备方法优点是在薄膜沉积过程中使基体获得低温条件，同时不影响直流偏压、靶材电流、电压和沉积气氛分压等主要镀膜参数的选择，采用该方法制备的金属基润滑薄膜与基体结合力较高，润滑性能良好，是一种具有应用潜力的金属基润滑薄膜制备方法
低温离子镀制备金属润滑薄膜方法

[发明专利]低温低压制备氮化硼涂层的方法-CN201610022920.2在审
发明人：李爱军;李琳琳;高铁;王震;彭雨晴;白瑞成;吴彪;贾林涛 -专利权人：上海大学;中航商用航空发动机有限责任公司
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温低压制备氮化硼涂层的方法，用于解决现有技术中，在采用化学气相沉积方法时，所需制备温度较高的问题。以三氯化硼（BCl₃）和氨气（NH₃）为主要原料，在低温条件下进行化学气相沉积，再将所得样品进行高温热处理，经傅里叶红外和X射线衍射检测，制备出了渗透能力更强此方法可用于复合材料氮化硼界面的制备和样品表面涂层的制备，此方法将氮化硼化学气相沉积的沉积温度由1300~1800℃，降到了300~800℃。该方法主要包括：低温化学气相沉积和高温热处理。
低温低压制备氮化涂层方法

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