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[发明专利]一种低氧化程度石墨烯/氧化锌纳米复合膜的制备方法及其用途-CN201610933829.6在审
发明人：刘燕;吴维富;刘占超;胡肖;郭文录 -专利权人：江苏大学
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： B01D69/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种低氧化程度石墨烯/氧化锌纳米复合膜的制备方法及其用途，包括如下步骤步骤1、低氧化程度的氧化石墨烯的制备；步骤2、氧化锌纳米棒的制备；步骤3、低氧化程度石墨烯/氧化锌纳米复合膜的制备。本发明制备的一种低氧化程度的石墨烯/氧化锌纳米复合膜，基于低氧化程度的氧化石墨烯片与氧化锌纳米棒间的静电作用，制备了低氧化程度的氧化石墨烯与氧化锌纳米棒的复合分散液，通过抽滤最终得到了一种低氧化程度的石墨烯/氧化锌纳米复合膜，有效的增加了低氧化石墨烯/氧化锌纳米复合膜的层间距，具有优异的机械性能和水通量，并具有稳定的分离性能，这为水中染料分子去除提供了新的技术手段。
一种氧化程度石墨氧化锌纳米复合制备方法及其用途

[实用新型]一种设有中间分隔支撑的脱硫吸收液氧化循环池-CN201920315161.8有效
发明人：马书尧;邱之涵;徐天殊 -专利权人：南京圣创科技有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： B01D53/50 文献下载
摘要：一种设有中间分隔支撑的脱硫吸收液氧化循环池，包括氧化循环池壳体、筒状低氧化区壳体、氧化分隔板、氧化风分布管、脱硫剂分布管及相应氧化风、吸收液进出口；所述的氧化循环池壳体上设有氧化风出口、高氧化区吸收液入口、低氧化区吸收液入口、氧化风进口、高氧化区吸收液出口、低氧化区吸收液出口、高氧化区脱硫剂加入口；所述的氧化循环池壳体内设有筒状低氧化区壳体将氧化循环池分隔为筒内低氧化区、筒外高氧化区；本实用新型利用中间氧化区壳体对氧化分布器、氧化池顶进行支撑，大大提升了氧化池可靠性，保持高效的氧化性能和调节性能。
一种设有中间分隔支撑脱硫吸收液氧循环

[实用新型]一种低压低氧细胞实验装置-CN201520358556.8有效
发明人：王勇;潘磊;王华锐;崔磊 -专利权人：首都医科大学附属北京世纪坛医院
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C12M1/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种低压低氧细胞实验装置，包括模式选择模块，低压低氧控制模块，低压常氧控制模块，常压低氧控制模块，低氧低二氧化碳控制模块和复合模式控制模块；模式选择模块与低压低氧控制模块、低压常氧控制模块、常压低氧控制模块、低氧低二氧化碳控制模块连接，低压低氧控制模块、低压常氧控制模块、常压低氧控制模块、低氧低二氧化碳控制模与复合模式控制模块连接。
一种低压低氧细胞实验装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN201310559447.8无效
发明人：张志榜 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括氧化物半导体层、栅绝缘层、栅极、氧吸收层、绝缘层以及多个导电电极。氧化物半导体层包括多个低氧区以及位于低氧区之间的通道区。栅绝缘层位于氧化物半导体层与栅极之间，并覆盖通道区而暴露低氧区。氧吸收层位于低氧区上，并具有多个第一开口。第一开口暴露具有第一面积的低氧区。绝缘层覆盖氧吸收层、氧化物半导体层与门栅极，并具有多个第二开口。第二开口位于第一开口内以暴露具有第二面积的低氧区。导电电极位于第二开口中以接触低氧区。
薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]一种低氧化金属粉末及其制备方法和制备用密封球磨机-CN201610792125.1有效
发明人：陈庆谊;刘立新;董文卫;成佳佳;李小阳;李少萌 -专利权人：宝鸡泰力松新材料有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明提出一种低氧化金属粉末及其制备方法和制备用密封球磨机，低氧化金属粉末的含氧量小于0.15％。低氧化金属粉末的制备方法包括以下步骤：S002：将所述低氧化金属粉末的原材料磨碎成粉末，再对所述粉末进行脱氢降氧处理，得到含氧量低于0.15％的低氧化金属粉末结块；S004：将低氧化金属粉末结块在无氧条件下磨碎成粉状低氧化物金属粉末制备用密封球磨机，包括机架、球磨筒和电机，机架上设置有密封筒，密封筒的一端设置有开口，开口上设置有密封盖，另一端设置有轴孔；球磨筒设置在密封筒内，球磨筒的一端设置有料口，料口上设置有料盖
一种氧化金属粉末及其制备方法密封球磨机

[发明专利]用低氧化硼研磨的方法及低氧化硼制品和所使用的组合物-CN94104034.8无效
发明人： C·艾办生-哈亚什;G·T·埃蒙德;史叶国 -专利权人：诺顿公司
申请日： 1994-04-19 - 公布日： 1995-02-22 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：一种从表面去除物质的方法，其步骤是使用含低氧化硼(BxO)组合物的研磨工具或研磨粉末对表面进行研磨，此时低氧化硼(BxO)组合物保持在较低温度。属于低氧化硼(BxO)化合物类的这种磨料出乎意料地表现出了与金刚石类似的高研磨质量，而金刚石却具有本发明低氧化硼(BxO)双倍的硬度。而且，本发明还包括精研和抛光用粉末及精研用浆粹，其中粉末是由致密细晶粒的低氧化硼材料(其KHN100至少约2800kg/mm2，最好至少3800kg/mm2)制成的。
氧化研磨方法制品使用组合

[发明专利]一种低氧发生装置及方法-CN202211180075.3在审
发明人：张荣;钱昌伟 -专利权人：合肥恒诚智能技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： F24F7/003 文献下载
摘要：本发明公开一种低氧发生装置，包括制氮组件、空气组件、二元混合器、新风系统、控制器、多个氧气浓度检测机构、多个二氧化碳浓度检测机构，二元混合器与所述制氮组件、空气组件连接，二元混合器的出气端与新风系统连接，新风系统与低氧房连接，氧气浓度检测机构位于所述二元混合器内，多个氧气浓度检测机构与多个二氧化碳浓度检测机构安装在低氧房内，控制器连接制氮组件、空气组件、新风系统、氧气浓度检测机构、二氧化碳浓度检测机构本发明还公开使用该低氧发生装置的方法。本发明的有益效果：能够快速的维持二氧化碳浓度在预设范围内，避免二氧化碳浓度影响低氧训练的效果，致使低氧训练失真；制取低氧速度更快，更精确。
一种低氧发生装置方法

[发明专利]一种低压低氧细胞实验装置-CN201510284781.6有效
发明人：王勇;潘磊;王华锐;崔磊 -专利权人：首都医科大学附属北京世纪坛医院
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C12M1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种低压低氧细胞实验装置，包括模式选择模块，低压低氧控制模块，低压常氧控制模块，常压低氧控制模块，低氧低二氧化碳控制模块和复合模式控制模块。通过设置模式选择模块、低压低氧控制模块、低压常氧控制模块、常压低氧控制模块、低氧低二氧化碳控制模块，能够根据需要在不同的模式下进行试验，提高了试验模拟的真实性，通过设置复合模式控制模块能够结合不同的试验模式按顺序进行试验
一种低压低氧细胞实验装置

[发明专利]一种粒度分布集中的低氧含量亚微细钨粉的制备方法-CN202210374906.4在审
发明人：龙本夫;王玥;林高安;周喜诚;曹友东;钟志超;柴曌媛;何云南 -专利权人：厦门金鹭特种合金有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种粒度分布集中的低氧含量亚微细钨粉的制备方法，具体包括以下内容：S1、将三氧化钨在氢还原炉中还原得到低氧含量的氧化钨WOX，其中x的范围为2～3；S2、将步骤S1中得到的低氧含量氧化钨过筛，去除残留在氧化钨粉末中的水；S3、将步骤S2中过筛后的低氧含量氧化钨在氢还原炉中还原成钨粉；S4、将步骤S3中得到的钨粉进行过筛与合批。本发明提供的一种粒度分布集中的低氧含量亚微细钨粉的制备方法，生产出的亚微细钨粉球形度高、形貌均匀、结晶完善、粒度分布集中、氧含量低。
一种粒度分布集中低氧含量微细制备方法

[发明专利]制造低氧化铌的方法-CN200410054522.6有效
发明人： C·施尼特尔 -专利权人： H.C.施塔克股份有限公司
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明涉及生产近似组成为NbO的低氧化铌的方法，该低氧化铌特别适合于固体电解质电容器阳极的生产。
制造氧化方法

[发明专利]制造低氧化铌的方法-CN200810109827.0无效
发明人： C·施尼特尔 -专利权人： H.C.施塔克股份有限公司
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明涉及生产近似组成为NbO的低氧化铌的方法，该低氧化铌特别适合于固体电解质电容器阳极的生产。
制造氧化方法

[发明专利]一种高导电率石墨烯的制备方法-CN201110462502.2有效
发明人：刘刚桥;孙培育;吴祯祺;吴刚 -专利权人：东丽纤维研究所(中国)有限公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：包括以下步骤：将低氧化程度的氧化石墨分散在含有芳香醇的溶剂中，得到低氧化程度的氧化石墨烯分散液，对该分散液进行溶剂热还原，制备得到高导电率石墨烯；其中，低氧化程度的氧化石墨中氧元素和碳元素的摩尔比例小于1∶2；该低氧化程度的氧化石墨的X射线衍射谱图中没有石墨的特征衍射峰。
一种导电石墨制备方法

[发明专利]一种低氧化程度的石墨水泥基导电复合材料及其制备方法-CN202210913353.5有效
发明人：陈凯琦;张垚;陈建兵;王建飞;吴过;霍燃平;邹广强;刘震国 -专利权人：北京城建集团有限责任公司;北京安定生物质能源有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C04B28/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种低氧化程度的石墨水泥基导电复合材料及其制备方法，低氧化程度的石墨水泥基导电复合材料按照重量份计，包括：水泥50‑60份，水20‑30份，低氧化程度石墨2‑10份，助剂0.3‑3份。本发明使低氧化程度的石墨，从而在不影响导电性的情况下，降低成本，增加导电水泥新拌浆体的流动性；而且通过对高锰酸钾/石墨质量比的比例的控制，在不影响石墨本征结构的同时，增加其导电性，制备的低氧化程度的石墨水泥基导电复合材料强度不受影响的同时通过相对温和的氧化方法实现石墨的低程度氧化，改善与水泥基体相容性的同时还能保持良好的导电性能。
一种氧化程度石墨水泥导电复合材料及其制备方法

[发明专利]低氧化硼复合材料-CN201110042651.3无效
发明人： G·J·戴维斯;I·希格拉斯;M·赫尔曼;T·沙巴拉拉 -专利权人：六号元素(产品)(控股)公司
申请日： 2006-09-06 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/628 文献下载
摘要：一种断裂韧性改善的低氧化硼复合材料，例如由分布在基料相如AlxByOz中的颗粒状或晶粒状的低氧化硼构成。
氧化复合材料

[发明专利]一种制备低氧氧化钛纳米管阵列的方法-CN201210532541.X有效
发明人：曹辉亮;钱仕;刘宣勇 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备低氧氧化钛纳米管阵列的方法，包括在钛基材表面通过阳极氧化制得二氧化钛纳米管阵列的步骤1，和以所述二氧化钛纳米管阵列为阴极，石墨板为阳极通过电化学还原将所述二氧化钛纳米管阵列还原成低氧氧化钛纳米管阵列的步骤根据本发明的制备方法所制备的低氧氧化钛纳米管为黑色，光吸收效果好；可集成纳米管的定向电子输运性能与低氧氧化钛的窄禁带宽度优势；拓宽氧化钛在光伏、光催化、燃料电池等领域应用。
一种制备低氧氧化纳米阵列方法

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