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[发明专利]一种太阳能叠片电池及太阳能叠片组件-CN201810660989.7在审
发明人：朱加明;郭志球;王娟;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能叠片电池及太阳能叠片组件，电池包括正面电极和背面电极，正面电极包括多条相互平行的细栅和多条相互平行的主栅，细栅与主栅相互垂直：主栅上设置有多个间隔分布的第一分段电极，背面电极上设置有与第一分段电极相对应的第二分段电极；细栅的宽度从靠近主栅一端到远离主栅一端逐渐变小。本申请公开的上述技术方案，主栅以及背面电极上均设置有多个呈间隔分布的分段电极，细栅的宽度从靠近主栅一端到远离主栅一端逐渐减小，使得细栅与主栅之间的接触面积增大，以降低断点发生的概率，而且分段电极和细栅的渐变结构还可以减少太阳能电池浆料和导电材料的用量
主栅细栅分段电极太阳能背面电极叠片电池叠片组件间隔分布正面电极平行太阳能电池浆料有效受光面积导电材料渐变结构面积增大逐渐变小逐渐减小断点垂直电池概率申请

[实用新型]一种太阳能叠片电池及太阳能叠片组件-CN201820984483.7有效
发明人：朱加明;郭志球;王娟;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能叠片电池及太阳能叠片组件，电池包括正面电极和背面电极，正面电极包括多条相互平行的细栅和多条相互平行的主栅，细栅与主栅相互垂直：主栅上设置有多个间隔分布的第一分段电极，背面电极上设置有与第一分段电极相对应的第二分段电极；细栅的宽度从靠近主栅一端到远离主栅一端逐渐变小。本申请公开的上述技术方案，主栅以及背面电极上均设置有多个呈间隔分布的分段电极，细栅的宽度从靠近主栅一端到远离主栅一端逐渐减小，使得细栅与主栅之间的接触面积增大，以降低断点发生的概率，而且分段电极和细栅的渐变结构还可以减少太阳能电池浆料和导电材料的用量
主栅细栅分段电极太阳能背面电极叠片电池叠片组件间隔分布正面电极平行太阳能电池浆料有效受光面积本实用新型导电材料渐变结构面积增大逐渐变小逐渐减小断点垂直电池概率申请

[发明专利]一种栅尺安装组件及检测器-CN202110613174.5在审
发明人：朱开峰 -专利权人：飞创直线模组（苏州）有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： F16B2/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅尺安装组件及检测器，属于栅尺安装技术领域，栅尺安装组件包括安装轨道，所述安装轨道的一侧设置有安装槽，所述安装槽沿第一方向延伸且首端和尾端相贯通，所述安装槽的相对两侧壁均凸设有卡接部，所述安装槽与所述卡接部之间形成安装空间，栅尺被配置为从所述首端或所述尾端插入所述安装空间，卡接部与栅尺的外表面抵接，实现栅尺的稳固安装，栅尺无需采用胶粘的方式固定，栅尺可以方便的从安装空间内插入和抽取，提高了栅尺的重复利用率；栅尺可以通过安装轨道的调节实现安装位置的调节，提高了栅尺的安装精度。
一种安装组件检测器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510658801.1有效
发明人：郑恩爱;崔正达;中西俊郎;金有彬;南甲镇;李同规;焦广泛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在逻辑器件区域上的第一鳍型场效应晶体管(FinFET)包括从基板突出的第一半导体鳍以及三栅结构，该三栅结构具有第一栅介电层和在第一栅介电层上的第一栅电极。在I/O器件区域上的第二FinFET包括从基板突出的第二半导体鳍以及双栅结构，该双栅结构具有第二栅介电层和在第二栅介电层上的第二栅电极。第一和第二栅介电层具有不同的厚度。相关的器件和制造方法也被讨论。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种栅尺安装组件及检测器-CN202121219782.X有效
发明人：朱开峰 -专利权人：飞创直线模组（苏州）有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： F16B2/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种栅尺安装组件及检测器，属于栅尺安装技术领域，栅尺安装组件包括安装轨道，所述安装轨道的一侧设置有安装槽，所述安装槽沿第一方向延伸且首端和尾端相贯通，所述安装槽的相对两侧壁均凸设有卡接部，所述安装槽与所述卡接部之间形成安装空间，栅尺被配置为从所述首端或所述尾端插入所述安装空间，卡接部与栅尺的外表面抵接，实现栅尺的稳固安装，栅尺无需采用胶粘的方式固定，栅尺可以方便的从安装空间内插入和抽取，提高了栅尺的重复利用率；栅尺可以通过安装轨道的调节实现安装位置的调节，提高了栅尺的安装精度。
一种安装组件检测器

[实用新型]一种格栅消能装置-CN202220713176.1有效
发明人：王琼;孙秀燕;李智 -专利权人：王琼
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： E02B8/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种格栅消能装置，属于水利工程技术领域，其包括挑坎，挑坎倾斜向上设置的迎水面，迎水面上设置有格栅消能机构；格栅消能机构具有由第一格栅、底板和第二格栅依次连接形成的三角形框架结构，底板贴靠在挑坎的迎水面上，第一格栅向水流下游倾斜向上设置，第二格栅向水流下游倾斜向下设置；本实用新型提供的格栅消能装置，一部分水流将透过三角形的栅孔下泄，然后从第二格栅的栅孔内斜上冲出；另一部分水流将顺着第一格栅三角形栅孔周围的格栅面向上向下流，这部分水流依次冲击到第一格栅大体呈台阶状上升的格栅面上速度逐渐削减；从第一格栅尾部冲出的水流将与从第二格栅冲出的水流进一步碰撞削减能量，达到下泄水流消能目的。
一种格栅装置

[发明专利]OTP存储单元、OTP存储单元的制作方法及芯片-CN201410443812.3有效
发明人：余达强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：其中，该OTP存储单元包括设置于衬底上的有源区，设置于有源区上的选择栅结构，与选择栅结构平行地设置于有源区上的浮栅结构，以及覆盖有源区的裸露表面的控制栅层。该OTP存储单元通过设置覆盖有源区的裸露表面的控制栅层，并通过对控制栅层施加电压，从而在浮栅结构和有源区之间形成了垂直于有源区方向的电场，且该电场能够提高电子从浮栅结构中移入或移出的速率，进而减少了电子从浮栅结构中移入或移出所需的时间
otp 存储单元制作方法芯片

[发明专利]P型MOS闪存存储单元、存储器及其制备方法-CN201510689863.9在审
发明人：孙艳辉;张冠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供一种P型MOS闪存存储单元、存储器及其制备方法，所述P型MOS闪存存储单元包括浮栅，所述浮栅包括浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层为P型掺杂多晶硅层。采用P型多晶硅层作为浮栅，由于P型多晶硅层中的电子及空穴均位于能量较低的价带或导带与价带之间的带隙中，电子从所述浮栅跃迁至隧穿氧化层及半导体衬底需要较大的能力，可以有效地防止电子从浮栅中的流失，进而改善器件的数据存储性能
mos 闪存存储单元存储器及其制备方法

[发明专利]具有改善的可制造性的显示基板-CN201710356073.8在审
发明人：朴承铉;宋俊昊;宋溱镐;李宰学 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：显示基板包括设置在基底上的栅电极；设置在基底上并且覆盖栅电极的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上并且交叠栅电极的半导体层；设置在半导体层上并且连接到半导体层的源电极和漏电极；设置在栅绝缘层上、连接到漏电极、并且从漏电极延伸的像素电极；与像素电极绝缘并且交叠像素电极的公共电极；以及设置在栅绝缘层和像素电极之间的半导体图案，半导体图案交叠像素电极。半导体图案包括与半导体层相同的材料并且从半导体层延伸。
具有改善制造显示

[发明专利]从栅藻制备碳氢烃的方法-CN201910195707.5在审
发明人：李睿;张波;陈海涛 -专利权人：东北农业大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C07C67/303 文献下载
摘要：本发明描述了一种由栅藻制备烃的方法，方法包括通过将湿栅藻与醇按比例混合，热处理混合物以产生可再生油中间体，通过加催化剂加氢处理可再生油中间体以产生烃。本发明还涉及从可再生油中间体制备生物柴油和氨的工艺。
可再生油栅藻制备按比例混合催化剂加氢中间体制备热处理生物柴油混合物从栅碳氢

[发明专利]蓄电池板栅结构-CN201710391416.4在审
发明人：张开红;姚云华;顾然然;陆毅;汪章杰 -专利权人：天能电池（芜湖）有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01M4/72 文献下载
摘要：本发明提供一种蓄电池板栅结构，包括板栅外框和板栅条，所述板栅条设置在板栅外框内，所述板栅条上设置有柄头，所述板栅条中部设置有改向斜条，通过改向斜条将板栅条从五条改为四条，改变板栅条的分布密度。通过改向斜条对板栅条的方向进行修改，使板栅上半部的板栅密度增加，提高板栅上部的铅膏利用率，进而延长蓄电池的使用寿命。
蓄电池结构

[实用新型]蓄电池板栅结构-CN201720609912.8有效
发明人：张开红;姚云华;顾然然;陆毅;汪章杰 -专利权人：天能电池（芜湖）有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01M4/72 文献下载
摘要：本实用新型提供一种蓄电池板栅结构，包括板栅外框和板栅条，所述板栅条设置在板栅外框内，所述板栅条上设置有柄头，所述板栅条中部设置有改向斜条，通过改向斜条将板栅条从五条改为四条，改变板栅条的分布密度。通过改向斜条对板栅条的方向进行修改，使板栅上半部的板栅密度增加，提高板栅上部的铅膏利用率，进而延长蓄电池的使用寿命。
蓄电池结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110482479.7有效
发明人：李乐 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层，栅极层形成于半导体层上，栅极层包括主栅和扩展栅，主栅两侧的半导体层中分别形成有源极区和漏极区，扩展栅至少从主栅向源极区方向延伸，体接触区形成于源极区中，体接触区从源极区向漏极区方向延伸至靠近扩展栅的一侧与扩展栅接触，栅极离子掺杂区形成于栅极层中，栅极离子掺杂区从扩展栅的靠近体接触区的一侧至少延伸至主栅中
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种金融防伪票据-CN201811498270.4有效
发明人：韩培良;周海涛 -专利权人：擎雷（上海）防伪科技有限公司
申请日： 2017-09-09 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： B42D25/328 文献下载
摘要：一种金融防伪票据，包括：光学可变防伪元件，所述光学可变防伪元件包括载体箔片，第一格栅元件，第二格栅元件，薄层元件以及光散射元件；所述第一格栅元件以及第二格栅元件分别设置于光散射元件的两侧；所述第一格栅元件以及第二格栅元件具有不同的光学性质，在透视下，从光学可变防伪元件上方观察，呈现第一格栅元件图案；从光学可变防伪元件下方观察，呈现第二格栅元件图案。
一种金融防伪票据

[发明专利]改善短沟效应的栅控半导体器件-CN201410292065.8在审
发明人：王元刚;冯志红;敦少博;吕元杰;房玉龙;徐鹏;宋旭波;谭鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善短沟效应的栅控半导体器件，涉及半导体高频器件技术领域。包括栅结构，所述栅结构通过两条以上的栅根进行支撑，所述栅根的总长度与单栅根的栅控半导体器件的栅根长度相同。所述栅控半导体采用多栅根的栅结构，且多栅根的长度总和与常规的单栅根长度相等，利用多个栅根从源到漏在沟道处引入多个势垒，缓解DIBL（漏端引入的势垒降低）效应，从而缓解器件的短沟效应。
改善效应半导体器件