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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010981821.3在审
发明人：王锐;刘昭;邵克坚;张大明;肖为引 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，提供衬底，衬底上形成有停止层以及介质层，介质层中形成有沟槽，在沟槽中形成第一填充层，在第一填充层中形成通孔，通孔贯穿第一填充层和介质层至停止层上。而后，去除第一填充层，刻蚀停止层，形成贯穿至衬底的沟槽‑通孔结构，在沟槽‑通孔结构中形成第二填充层。这样，在介质层中形成沟槽，而后在沟槽底部的介质层中形成贯穿介质层至停止层的通孔，在刻蚀停止层后便可以形成贯穿至衬底的沟槽‑通孔结构，无需在金属硬掩模层上形成沟槽，因而无需在介质层上形成金属硬掩模层，节省工艺成本
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]扇出型晶圆级封装结构的封装方法-CN202010935518.X在审
发明人：赵海霖 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：并粘合于粘合层上；采用塑封层封装半导体芯片；去除粘合层，并于半导体芯片上形成重新布线层，以实现各半导体芯片的互连；重新布线层包括至少一层依次层叠的子重新布线层，形成子重新布线层的方法包括：于半导体芯片上形成介质层；采用光刻工艺在介质层中形成通孔；对形成有通孔的介质层进行烘烤，消除通孔周围的介质层的翘曲；对介质层进行固化；于通孔中及介质层上形成与通孔对应的图形化的金属布线层并于其上形成金属凸块。该方法可有效改善通孔周围介质层的形貌，消除通孔周围介质层的翘起，提高后续形成的重新布线层与半导体芯片的电连接性能。
扇出型晶圆级封装结构方法

[发明专利]双镶嵌结构形成方法-CN200810117726.8有效
发明人：王新鹏;沈满华;孙武;尹晓明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双镶嵌结构形成方法，包括：在基底上形成介质层及贯穿所述介质层的通孔；形成覆盖所述介质层并填充所述通孔的抗蚀剂层；图形化所述抗蚀剂层，暴露所述介质层的部分表面及填充所述通孔的抗蚀剂层；以覆盖所述介质层的部分表面的抗蚀剂层为掩模，执行主刻蚀操作，去除部分深度的所述介质层及填充所述通孔的抗蚀剂层，使填充所述通孔的抗蚀剂层高于剩余的所述介质层；利用氟碳气体执行平行于所述基底的刻蚀操作；去除部分深度的填充所述通孔的抗蚀剂层，使获得的填充所述通孔的抗蚀剂层与剩余的所述介质层高度相同
镶嵌结构形成方法

[实用新型]宽带域多频天线-CN202020518700.0有效
发明人：商黎荣;李亚;韩钰彦 -专利权人：浙江嘉康电子股份有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种宽带域多频天线，包括若干馈电针、第一介质片、接地电极片、第一电极片、第二介质片、第二电极片、第三介质片、第三电极片；第一介质片开设有第一通孔，接地电极片对应第一通孔的位置开设有第二通孔，第一电极片对应第一通孔的位置开设有第三通孔，第一电极片于第三通孔的周向外侧设置有环形的焊接环；馈电针穿过接地电极片的第二通孔、第一介质片的第一通孔及第一电极片的第三通孔，并与焊接环焊接形成凸起的焊点；第二介质片的底面对应焊点的位置凹陷设置有沉孔，焊点位于沉孔中。
宽带域多频天线

[发明专利]层叠陶瓷电子部件及其制造方法-CN200910165207.3无效
发明人：小岛达也;广濑修 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2009-08-13 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠陶瓷电子部件的制造方法，该制造方法能够防止电介质层与通孔电极之间产生间隙，并切实地使通孔电极和内部电极导通，并能够有效防止电介质层等中产生构造缺陷。层叠陶瓷电容器(1)为：电介质层(11)和内部电极(12)交替层叠，内部电极(12)通过电介质层(11)介于其中而相对配置，并用通孔电极(14)进行连接。其制法为：首先，在电介质层(11)用陶瓷生片和内部电极(12)用导电糊所形成的层叠体上形成通孔，对其进行烧成，得到形成有电介质层(11)和内部电极(12)的层叠体；接着，将通孔电极(14)用导电糊充填于该层叠体的通孔的内部，并进一步施以烧付处理，从而形成通孔电极(14)。
层叠陶瓷电子部件及其制造方法

[发明专利]PCB通孔填孔工艺-CN202011473903.3在审
发明人：郭达文;刘长松;文伟峰 -专利权人：红板（江西）有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：一种PCB通孔填孔工艺，包括以下步骤：(1)、压合；(2)、镭射钻盲孔，两次镭射激光盲孔将PCB打穿，形成一个外宽内窄、自外向内逐渐收缩的通孔；(3)、填孔电镀，将激光加工后所形成的通孔填平；(4)、外层线路成型本发明PCB通孔填孔工艺的有益效果在于：此工艺制作的通孔孔径小，只有机械钻孔的一半，流程设计也没有机械钻孔的复杂。且孔内全填铜，可以承载较大的电流，散热性能好；通孔表面还可以设计焊盘、走线等，能够提高PCB的布线密度。
pcb 通孔填孔工艺

[实用新型]一种制冷用截止阀-CN201520035544.1有效
发明人：熊燕群;任卫东 -专利权人：浙江中宝自控元件有限公司
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： F16K1/00 文献下载
摘要：本实用新型包括阀体和阀杆，阀体上设置有相互连通的第一介质通孔、第二介质通孔和阀杆安装孔，阀杆插装于所述的阀杆安装孔，第一介质通孔和第二介质通孔分别插装有连接接管，阀杆的前端部设置有径向外凸的环形凸起，使阀杆形成阶梯轴形，阀杆后段靠近端部处套装有O型密封圈；阀杆安装孔的前段直径较大，且与所述第一介质通孔的直径一致，所述阀杆安装孔的前段设置有第一内螺纹，所述的第一介质通孔的后段设置有与所述第一内螺纹结构一致的第二内螺纹，所述的阀杆前端部的环形凸起的外圆面设置有外螺纹，所述的第一介质通孔的前端通过焊接固定有一与该第一介质通孔同轴的套管。
一种制冷截止阀

[发明专利]一种高效散热器结构-CN202010032551.1有效
发明人：王宝根;姚美琴;陈钢 -专利权人：杭州慈源科技有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： F28D1/02 文献下载
摘要：本发明涉及散热器技术领域，公开了一种高效散热器结构，包括散热器本体，所述散热器本体包括陶瓷膜基体，陶瓷膜基体内部分布有微孔，所述陶瓷膜基体的中心设有介质通孔，所述陶瓷膜基体上位于介质通孔的周围设有若干散热通孔，所述介质通孔的内壁设有一层致密的氧化铝封闭涂层，所述介质通孔的一端设有进液接头，介质通孔的另一端设有出液接头。
一种高效散热器结构

[发明专利]在晶圆上形成互连通孔失败的补救方法-CN200910054933.8有效
发明人：刘致云;邹胜;王春华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在晶圆上形成互连通孔失败的补救方法，其中所述晶圆包括：衬底，以及所述衬底上形成有第一通孔的第一介质层，包括以下步骤：通过化学机械研磨去掉部分刻蚀失败的第一通孔及其相应部分的介质层；在剩余的介质层上淀积介质物，并填充剩余部分第一通孔，形成第二介质层，且所述淀积介质物的厚度不小于去掉的介质层的厚度；刻蚀所述第二介质层，在所述第二介质层中形成第二通孔。该补救方法，可以成功挽回因通孔刻蚀失败而报废的晶圆，避免相关的经济损失。并保证修复后形成通孔的质量，使其后的半导体产品制造工艺流程不受影响，确保了最终产品的良品率。
晶圆上形成互连失败补救方法

[发明专利]具有导电通孔的基板-CN201580011643.9在审
发明人： H·B·蔚;D·W·金;J·S·李;S·顾 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：基板包括加有电介质聚合物(215)的衬里的多个通孔(210)，该电介质聚合物(215)具有基本均匀的厚度。该基本均匀的厚度在加有电介质聚合物层衬里的通孔内提供了内腔，该内腔在该通孔内基本上处于中心。由此，后续将金属(220)沉积到每个加有电介质聚合物层衬里的通孔的内腔中提供了具有基本上处于中心的金属导体的导电通孔。
具有导电

[发明专利]一种小型化准同轴互联结构-CN201811578496.5在审
发明人：贾世旺;刘巍巍;韩威;江肖力;梁栋;魏浩;赵飞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01P3/18 文献下载
摘要：其包括介质柱体，介质柱体内设有第一金属填充通孔和多个第二金属填充通孔，第一金属填充通孔位于介质柱体的轴心处，多个第二金属填充通孔均匀分布于第一金属填充通孔的外围同心圆上；第一金属填充通孔和第二金属填充通孔之间设有两圈空气介质填充结构，内圈空气介质填充结构包括均匀分布于内圈圆周上的多个埋孔，外圈空气介质填充结构包括均匀分布于外圈圆周上的多个弧形埋腔，内圈圆周和外圈圆周均与第一金属填充通孔构成同心圆。
金属填充通孔空气介质内圈填充同心圆互联结构介质柱体外圈圆周同轴传输结构电子工程端口匹配功能器件射频模块介质柱宽频带轴心处埋孔互联体内外围

[实用新型]一种小型化准同轴互联结构-CN201822166852.4有效
发明人：贾世旺;刘巍巍;韩威;江肖力;梁栋;魏浩;赵飞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01P3/18 文献下载
摘要：其包括介质柱体，介质柱体内设有第一金属填充通孔和多个第二金属填充通孔，第一金属填充通孔位于介质柱体的轴心处，多个第二金属填充通孔均匀分布于第一金属填充通孔的外围同心圆上；第一金属填充通孔和第二金属填充通孔之间设有两圈空气介质填充结构，内圈空气介质填充结构包括均匀分布于内圈圆周上的多个埋孔，外圈空气介质填充结构包括均匀分布于外圈圆周上的多个弧形埋腔，内圈圆周和外圈圆周均与第一金属填充通孔构成同心圆。
金属填充通孔空气介质内圈填充同心圆本实用新型互联结构介质柱体外圈圆周同轴传输结构电子工程端口匹配功能器件射频模块介质柱宽频带轴心处埋孔互联体内外围

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111127890.9在审
发明人：贝帮坤;金兴成;杨晓芳;马凤麟 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：第一介质层，所述第一介质层开有通孔；MTM下极板，设于所述通孔的下部；MTM介质层，设于所述MTM下极板上；MTM上极板，设于所述通孔的上部，且位于所述MTM介质层上。本发明的MTM结构的介质层设于通孔中，介质层的侧壁被第一介质层包覆，因此不会裸露在外，可以避免介质层的侧壁沾污(inline defect)问题，防止inline defect导致的短路，从而实现芯片良率的提升MTM结构设于通孔中，因此和孔一样大小，不再受加工余量(process margin)的限制，节省了MTM结构的面积，提高了电路集成度。
半导体结构及其制造方法

[实用新型]嵌入式连接器-CN201520724289.1有效
发明人：王公殿 -专利权人：宁波兴瑞电子科技股份有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01R13/405 文献下载
摘要：本实用新型涉及通信元件领域，提供了一种嵌入式连接器，包括绝缘介质、金属导体与中心导体，绝缘介质与中心导体设于金属导体内，中心导体穿设于绝缘介质，且绝缘介质包括第一绝缘介质与第二绝缘介质，第一绝缘介质固定连接于第二绝缘介质，金属导体的一端设有一用以防止第一绝缘介质旋转的通孔，第一绝缘介质、第二绝缘介质与金属导体为同轴设置，第一绝缘介质的顶端固定于通孔内，且中心导体沿金属导体的轴线方向穿设于金属导体，且中心导体的端部通过通孔暴露于外部通过在金属导体上设置通孔，通过将第一绝缘介质的顶端卡合固定于通孔内，将绝缘介质固定，防止绝缘介质的旋转，从而降低了绝缘介质因高温收缩对产品的影响。
嵌入式连接器

[发明专利]基于多孔蜂窝板结构的宽带双向辐射天线-CN201810550255.3有效
发明人：杨锐;闫诗义;高东兴;杨佩;张澳芳 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01Q1/12 文献下载
摘要：本发明提出一种基于多孔蜂窝板结构的宽带双向辐射天线，包括介质板、金属地板、支架和馈源，所述介质板中设置有多个通孔和相位校准通孔，所述每个通孔，从介质板的中心沿径向分布，且每个通孔的半径沿介质板径向线性排布，所述每个相位校准通孔，位于介质板的边缘处，且每个相位校准通孔的半径呈线性排布，所述金属地板位于介质板的下表面，所示馈源包括第一馈源和第二馈源，所述的第一馈源通过支架固定在介质板的上半空，所述的第二馈源设置在介质板边缘的侧面
基于多孔蜂窝板结宽带双向辐射天线

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