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[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN202310939847.5在审
发明人：高纪凡;王尧;王子港;陈达明 -专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能（常州）科技有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本公开实施例太能电池及其制备方法，在硅基底的正面和背面的至少一面采用交替沉积透明导电基膜和掺杂，制得带掺杂的透明导电层。在本公开实施例中，通过交替沉积和掺杂制得的透明导电层为叠层结构，每次沉积透明导电膜之后紧接着进行掺杂，使得掺杂元素在透明导电层中的深度方向分布更加均衡，避免了掺杂元素局部集中而降低薄膜透光率，进而提升透光率
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]RRAM阻变结构下电极的工艺方法-CN201910914898.6有效
发明人：唐优青;张志刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种RRAM阻变结构下电极的工艺方法，本发明采用改变晶格结构的方法，将沉积TiN的程式改为多次沉积的基础之上，在每层TiN之间插入薄薄一层Ti,阻断TiN晶格的生长，而在依次交替形成的TiN、Ti层中，通过改变沉积工艺条件中的N2、Ar流量比例以及电源功率的方法来达到改变交替形成的TiN、Ti层中相邻TiN层的不同晶格结构，在顶部TiN层使用现有的晶格结构的TiN层，既避免了改变TiN晶格对整个
rram 结构电极工艺方法

[发明专利]一种日盲反射式介质滤光片及其制备方法-CN201510578998.8在审
发明人：王孝东;陈波;王海峰;刘世界;郑鑫;马月英 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：一种日盲反射式介质滤光片及其制备方法，属于光学薄膜技术领域，为满足日盲波段辐射目标的探测和识别系统的需要，该滤光片为LaF₃和MgF₂交替沉积在基底上，靠近基底侧膜层为>，最外层为LaF₃；该方法：将基底装入真空室内，抽真空至3.0×10^-4Pa；将基底加热到150-250℃之间的某一温度，并保持60min；采用电阻蒸发法沉积LaF₃，采用电子束蒸发法沉积MgF₂，LaF₃和MgF₂交替沉积在基底上；LaF₃的沉积速率为0.4～0.6nm/s,MgF₂的沉积速率为0.7～0.9nm/s；每层LaF₃的厚度在10-60nm之间，每层MgF₂的厚度在10-80nm
一种反射介质滤光及其制备方法

[发明专利]三维集成结构及其制备方法-CN202011527835.4在审
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维集成结构,包括：衬底，具有第一沉积空间，所述第一沉积空间依次沉积有第一隔离介质、第一底部金属电极层、第一绝缘介质和第一顶部金属电极层，形成第一纳米电容；交替层，设置于所述第一顶部金属电极层，所述交替层具有第二沉积空间，所述第二沉积空间依次沉积有第二底部金属电极层、第二绝缘介质和第二顶部金属电极层，形成第二纳米电容；以及导电组件。
三维集成结构及其制备方法

[实用新型]一种多层薄膜的沉积装置-CN201020215457.1无效
发明人：赵彦辉;肖金泉;郎文昌;于宝海;华伟刚 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本实用新型属于金属材料表面沉积超硬多层涂层技术领域，具体为一种钛/氮化钛多层薄膜的沉积装置。它是在同一个真空室中，通过交替通入不同气体，开启电弧蒸发源沉积超硬多层薄膜，可以实现多层薄膜厚度的精确控制。在该沉积装置通入氩气和氮气的管路上接有气体质量流量控制器、时间继电器和气体质量流量显示仪，气体质量流量控制器连接时间继电器，时间继电器连接气体质量流量显示仪。本实用新型解决了电弧离子镀沉积多层薄膜时采用手动控制气体流量而导致的多层中各单元层厚度不均匀的问题，采用气体质量流量控制器来实现氩气、氮气等多路气体的交替通入，从而保证单元层厚度的精确控制，以使沉积的超硬多层薄膜达到提高硬度和耐磨性的要求
一种多层薄膜沉积装置

[发明专利]一种新型纳米多层结构复合阻氚涂层-CN201910945436.0在审
发明人：任峰;胡璐璐;殷然;蔡光旭;蒋昌忠 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型纳米多层结构复合阻氚涂层，通过物理气相沉积方法，利用设备中的两个靶材，交替沉积两种材料实现多层膜，得到周期性交替生长的纳米多层结构复合涂层，基于纳米多层结构的特点，涂层中引入丰富的横向界面可以捕获氚
多层结构扩散浓度梯度物理气相沉积周期性交替复合涂层横向界面交替沉积扩散渗透扩散势垒新型纳米阻氚涂层阻氚性能多层膜界面处渗透率靶材捕获陷阱复合阻挡束缚生长引入

[发明专利]一种泥水分质分离处理的装置及方法-CN201811200754.6在审
发明人：赵峰 -专利权人：赵峰
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C02F11/121 文献下载
摘要：本发明提供一种泥水分质分离处理的装置及方法，其主要特征是由泥水分流井连接至少两组泥水分质处理池，每组泥水分质处理池依次由沉淀污泥沉积消化池、漂浮污泥截留消化池、污水处理池组合构成，两组沉淀污泥沉积消化池和漂浮污泥截留消化池交替降解稳定化处理该装置及方法把混合污泥中的沉淀污泥、漂浮污泥分质处理，通过两组交替工作实现污泥的稳定化处理。
一种泥水分离处理装置方法

[发明专利]三维存储器的制备方法-CN202110245220.0有效
发明人：刘力恒;长江;徐伟;许波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种制备三维存储器的方法，该方法包括：在衬底的一侧上交替堆叠牺牲层与电介质层以形成叠层结构；形成贯穿所述叠层结构并延伸至衬底中的栅极线隙；去除牺牲层以形成栅极间隙；在栅极线隙的内壁与栅极间隙的内壁上形成沉积层；以及交替执行干法刻蚀处理和湿法刻蚀处理以去除沉积层的至少一部分，以在栅极间隙处形成具有目标深度的凹槽。
三维存储器制备方法

[实用新型]一种泥水分质分离处理的装置-CN201821669229.4有效
发明人：赵峰 -专利权人：赵峰
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C02F11/121 文献下载
摘要：本实用新型提供一种泥水分质分离处理的装置，其主要特征是由泥水分流井连接至少两组泥水分质处理池，每组泥水分质处理池依次由沉淀污泥沉积消化池、漂浮污泥截留消化池、污水处理池组合构成，两组沉淀污泥沉积消化池和漂浮污泥截留消化池交替降解稳定化处理该装置把混合污泥中的沉淀污泥、漂浮污泥分质处理，通过两组交替工作实现污泥的稳定化处理。
泥水消化池沉淀污泥分质处理两组稳定化处理漂浮分离处理污泥截留分质污泥沉积本实用新型污水处理池工作实现混合污泥分流井降解

[发明专利]一种体感滤光片-CN201510216475.9有效
发明人：王明利 -专利权人：苏州奥科辉光电科技有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种体感滤光片，包括基板，以交替的TiO2和SiO2为镀膜材料的第一镀膜层与第二镀膜层，基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间；第一镀膜层由内而外依次由TiO2层与SiO2层交替沉积共66层，包括33层TiO2层与33层SiO2层，最内层为TiO2层直接沉积在基板的一侧表面，最外层为SiO2层；第二镀膜层由内而外依次由TiO2层与SiO2层交替沉积共80层，包括40层TiO2层与40层SiO2层，最内层为TiO2层并直接沉积在基板的另一侧表面，最外层为SiO2层。
一种滤光

[发明专利]沉积装置-CN201811580898.9有效
发明人：文在晳;李丞赈;许昌九 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够提高掩模与基板之间的紧贴性的沉积装置，该沉积装置包括：掩模支撑部，用于支撑掩模；以及至少一个第一磁化部，位于所述掩模支撑部的上方，并且朝向所述掩模支撑部交替提供极性彼此相反的磁力。
沉积装置

[发明专利]硅深孔刻蚀方法-CN201710146151.1有效
发明人：胡竞之 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供的硅深孔刻蚀方法，其包括第一阶段，交替进行第一沉积步骤和第一刻蚀步骤至少一次；其中，通过提高第一沉积步骤和第一刻蚀步骤中的腔室压力，降低第一刻蚀步骤中的下电极功率，来提高刻蚀选择比；第二阶段，采用氧气进行干法清洗工艺，以去除第一阶段中残留的沉积物和反应产物；第三阶段，交替进行第二沉积步骤和第二刻蚀步骤至少一次；其中，通过降低第二沉积步骤和第二刻蚀步骤中的腔室压力，提高第二刻蚀步骤中的下电极功率
硅深孔刻蚀方法

[发明专利]一种极性MgO有序薄膜的制备方法-CN200610144107.9无效
发明人：郭沁林;薛名山 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-11-27 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： C01F5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种极性MgO有序超薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：首先使镁源在抽成真空的真空室内蒸发并沉积在衬底表面，当衬底表面上沉积一个原子层厚的镁层后，向真空室内通入氧气并将衬底温度从室温升高至400℃，待衬底温度稳定后停止通氧，使衬底自然冷却至室温，再依次重复上述两过程交替在衬底表面沉积镁层、氧层。本发明方法在室温下优先沉积一个单原子层的镁层，可以有效地阻止氧与衬底的直接相互作用破坏衬底的晶格对称性，而镁原子层与氧原子层的交替沉积，避免了在热力学平衡作用下(100)面与(111)面的竞争生长，有利于
一种极性 mgo 有序薄膜制备方法

[发明专利]一种等化学计量比三元氧化物薄膜的制备方法-CN202010584754.1在审
发明人：汤振杰 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C01G27/02 文献下载
摘要：Sub>x)0.5(NOx)0.5的制备方法，利用原子层沉积系统先在基底上沉积1个M循环，而后再沉积1个N循环，如此交替重复生长，实现薄膜组分的等化学计量比，操作简单，可控可调。
一种化学计量三元氧化物薄膜制备方法

[发明专利]一种间歇式连续提取皮江法炼镁中的结晶镁的方法及装置-CN202110983445.6有效
发明人：孙院军;柏小丹;孙军;丁向东;李金阳 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C22B26/22 文献下载
摘要：一种间歇式连续提取皮江法炼镁中的结晶镁的方法及装置，将扇形叶片插入冷凝管中，扇叶面正对结晶管的轴向，轴向相邻扇面之间既有上下交替还有左右交替，使镁蒸气呈现三维波浪式或“S”型路径行进，延长结晶路径，增加结晶面积这样显著增加了结晶镁的沉积面积，增加了沉积机会，提高了结晶效率。随着时间的持续，大量的结晶镁沉积在扇叶前后面上。通过金属杆的热传导和循环水量控制，交替将冷却扇叶温度保持在650℃(镁金属的熔点)以上。
一种间歇连续提取皮江法炼镁中的结晶方法装置

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