专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器-CN201510380084.0有效
  • 廖小平;王小虎 - 东南大学
  • 2015-07-01 - 2017-12-05 - H03B5/04
  • 本发明的硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器用具有悬臂梁栅的MOS管代替传统的MOS管。悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器由交叉耦合的悬臂梁栅NMOS管,谐振LC回路和恒流源构成。该交叉耦合振荡器中的悬臂梁栅NMOS管是制作在P型Si衬底上,该悬臂梁栅MOS管的栅极是悬浮在栅氧化层上方的,形成悬臂梁栅,悬臂梁栅下方设计有下拉电极板,下拉电极板接地,相对于传统MOS管在截止时栅极氧化层很薄,导致栅极氧化层中的场强很大会产生一定的栅极漏电流,该交叉耦合振荡器中的悬臂梁栅MOS管关断时,悬臂梁栅是悬浮的,栅极氧化层中的场强比较小,栅极漏电流大大减小,从而使得该硅基悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器的功耗得到有效的降低
  • 硅基低漏电悬臂梁mos交叉耦合振荡器
  • [发明专利]硅基低漏电流固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器及制备方法-CN201510379030.2有效
  • 廖小平;王小虎 - 东南大学
  • 2015-07-01 - 2017-11-17 - H03B5/12
  • 本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器及制备方法,用具有固支梁栅的MOS管代替传统的MOS管。固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器由交叉耦合的固支梁栅NMOS管,谐振LC回路和恒流源构成。该交叉耦合振荡器中的固支梁栅NMOS管是制作在P型Si衬底上,该固支梁栅MOS管的栅极是悬浮在栅氧化层上方的,形成固支梁栅,固支梁栅下方设计有下拉电极板,下拉电极板接地,固支梁栅的锚区用多晶硅制作在栅氧化层上,该交叉耦合振荡器中的固支梁栅MOS管关断时,固支梁栅是悬浮的,栅极氧化层中的场强比较小,因此该振荡器在工作时的栅极漏电流大大减小,从而使得该硅基固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器的功耗得到有效的降低。
  • 硅基低漏电流固支梁栅mos交叉耦合振荡器制备方法
  • [实用新型]高带外抑制的管状滤波器-CN202222011158.1有效
  • 余雷;蒋正卿;马丁 - 斯必能通讯器材(上海)有限公司
  • 2022-08-02 - 2022-12-20 - H01P1/20
  • 本实用新型公开了一种高带外抑制的管状滤波器,包括壳体、接头、内导体和交叉耦合器;其中,壳体内部空心,以形成滤波器腔体;接头分别设置在壳体的两端;内导体设置在壳体内,且内导体的两端分别与位于壳体两端的接头连接;内导体在滤波器腔体内至少形成三个谐振腔;交叉耦合器位于滤波器腔体内,且交叉耦合器至少耦接三个谐振腔,从而形成交叉耦合。本实用新型通过在壳体内设置交叉耦合器来在非相邻的谐振腔间引入交叉耦合,以产生传输零点来实现较高的带外抑制,无需通过增加阶数来实现增加带外抑制的效果,有效解决了现有技术中管状滤波器通过增加阶数来实现增加带外抑制效果
  • 高带外抑制管状滤波器
  • [发明专利]耦合谐振滤波器及其调试方法-CN201910560888.7有效
  • 王中锋;汪飘;孔方方;吴保义;刘自富 - 福建星海通信科技有限公司
  • 2019-06-26 - 2021-12-03 - H01P1/203
  • 本发明公开了耦合谐振滤波器及其调试方法,包括谐振、同轴传输线、金属膜片以及滤波器外导体,谐振位于滤波器外导体内,同轴传输线的两端分别穿过滤波器外导体且同轴传输线的两端分别与滤波器外导体可移动连接;同轴传输线的两端分别连接有一个金属膜片,金属膜片正对谐振;本发明能够在不打开滤波器外壳的情况下通过抽拉同轴传输线调整交叉耦合的金属膜片与谐振之间的距离,从而调整耦合大小,良好的解决了传统腔体内交叉耦合结构滤波器只能通过打开滤波器外壳才能调整交叉耦合结构所带来的调试困难的问题
  • 耦合谐振滤波器及其调试方法
  • [发明专利]一种滤波器及通信设备-CN202010601604.7在审
  • 马基良 - 大富科技(安徽)股份有限公司
  • 2020-06-28 - 2021-12-28 - H01P1/208
  • 本申请公开了一种滤波器及通信设备,该滤波器包括:壳体以及滤波支路;壳体具有相互垂直的第一方向以及第二方向;滤波支路设置在壳体上,由依次耦合的九个滤波腔组成;滤波支路的第一滤波腔与第三滤波腔之间感性交叉耦合,以形成滤波支路的一个感性交叉耦合零点,滤波支路的第五滤波腔与第七滤波腔之间设置有容性交叉耦合元件,以形成滤波支路的一个容性交叉耦合零点,其中滤波支路的带宽范围为3400MHz~3600MHz。通过此种方式,在通带高端和通带低端各自产生一个交叉耦合零点,能够提高滤波器的带外抑制性能。
  • 一种滤波器通信设备
  • [发明专利]一种滤波器及通信设备-CN202010409075.0在审
  • 马基良 - 大富科技(安徽)股份有限公司
  • 2020-05-14 - 2021-11-19 - H01P1/208
  • 本申请公开了一种滤波器及通信设备,该滤波器包括:壳体以及滤波支路;壳体具有相互垂直的第一方向以及第二方向;滤波支路设置在壳体上,由依次耦合的八个滤波腔组成;滤波支路的第二滤波腔与第四滤波腔之间、滤波支路的第二滤波腔与第五滤波腔之间分别设置有容性交叉耦合元件,以形成滤波支路的两个容性交叉耦合零点,滤波支路的第六滤波腔与第八滤波腔之间感性交叉耦合,以形成滤波支路的一个感性交叉耦合零点;其中滤波支路的带宽范围为2300MHz~2400MHz。通过此种方式,在通带高端和通带低端各自产生交叉耦合零点,能够提高滤波器的带外抑制性能。
  • 一种滤波器通信设备
  • [发明专利]双端口静态随机存取存储器(SRAM)-CN201480008974.2有效
  • P·科拉尔;G·H·潘迪亚;U·巴塔查里亚;Z·郭 - 英特尔公司
  • 2014-02-27 - 2019-01-22 - G11C11/413
  • 在一个实施例中,一种用于存储数据的存储器单元电路,包括一对交叉耦合的反相器,所述一对交叉耦合的反相器用于存储所述存储器单元电路的状态。存取器件提供对所述一对交叉耦合的反相器的访问。所述存储器单元电路还包括一组电不活跃的p型金属氧化物半导体(PMOS)器件,所述一组电不活跃的p型金属氧化物半导体(PMOS)器件耦合到所述一对交叉耦合的反相器。所述一组电不活跃的PMOS器件与所述一对交叉耦合的反相器的一部分(例如,PMOS器件)组合实现用于所述存储器单元电路的连续p型扩散层。
  • 端口静态随机存取存储器sram
  • [实用新型]一种交叉耦合结构的腔体滤波器-CN202022516344.1有效
  • 李桥;段治荣 - 深圳市鑫瑞盈电子有限公司
  • 2020-11-03 - 2021-06-29 - H01P1/208
  • 本实用新型公开了一种交叉耦合结构的腔体滤波器,包括壳体和盖板,壳体的内部等角度设置有四组第一挡块和四组固定,其中两组固定上设置有第一缓冲块,第一缓冲块的一侧设置有第一固定块,固定与第一固定滑动连接;交叉耦合的腔体滤波器是将两个不相邻的谐振腔之间设置一个飞来实现交叉耦合,本实用新型主要是在耦合时通过控制相应连接上电磁块的磁性,使电磁块与相应位置的金属块吸附,电磁块带动固定板上的耦合组件与连接上的耦合组件进行耦合作业,在不需要耦合时,电磁块失去磁性,固定板由于自重掉落至第一缓冲块或第二缓冲块上,不需调节连接的长度,一定程度上给产品批量生产带来便捷。
  • 一种交叉耦合结构滤波器
  • [发明专利]低噪声吉尔伯特(GILBERT)乘法器小单元和正交调制器,及相关方法-CN98808909.2无效
  • A·哈齐克里斯托斯 - 艾利森公司
  • 1998-09-03 - 2000-10-11 - H03C1/54
  • 吉尔伯特(Gilbert)乘法器小单元包括发射极耦合晶体管和一对交叉耦合发射极耦合晶体管对。滤波器把发射极耦合晶体管对耦合到该对交叉耦合发射极耦合晶体管对。滤波器可包括一对电感或电阻,其各自的一个电感或电阻把发射极耦合晶体管对的各个晶体管串联耦合到该对交叉耦合发射极耦合晶体管对的各个晶体管,以及一个电容,被连接在该对电感或电阻之间。本地振荡器被耦合到该对交叉耦合发射极耦合晶体管对,以及数据输入被耦合到发射极耦合晶体管对。通过对于被加到该对交叉耦合发射极耦合晶体管对的发射极耦合晶体管对的输出进行低通滤波,可以提供低噪声基底吉尔伯特乘法器小单元和正交相位调制器。
  • 噪声吉尔gilbert乘法器单元正交调制器相关方法

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