专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]键合的方法及半导体器件的制造方法-CN201711132891.6在审
  • 王建鹏 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2017-11-15 - 2018-04-13 - B81C3/00
  • 本发明提供了一种键合的方法及半导体器件的制造方法,在所述第一圆的表面形成介质层;刻蚀部分厚度的介质层以形成一凹槽,在所述凹槽内形成铝材料层;将所述第一圆和所述第二圆进行键合,由于所述铝材料层在凹槽内,键合后锗合金也被限制在所述凹槽内,所述凹槽的侧壁可以阻挡锗合金的流动,避免器件出现短路或其他故障,也不用考虑锗合金厚度变化对器件总高度的影响,这样锗键合工艺的窗口可以扩大,同时提升锗键合工艺的稳定性和产品的良率
  • 共晶键合方法半导体器件制造
  • [发明专利]一种过硅合金变质剂及应用-CN201710458845.9有效
  • 林高用;李坤;谭鑫;陈昭 - 中南大学
  • 2017-06-16 - 2018-11-09 - C22C21/04
  • 本发明属于有色金属材料技术领域,具体涉及一种过硅合金变质剂及应用。本发明所述变质剂含Be元素。其较佳应用工艺为:将过硅合金熔体过热至750~850℃,然后将Be变质剂压入过热合金熔体中,充分搅拌,保温30~60min,再精炼除气,静置保温10~15min后浇注成铸件或铸锭,浇注温度为740该变质剂使硅含量为15~25%的过硅合金中初硅平均尺寸细化至30μm以下,且分布均匀,综合力学性能显著提高,有效促进过硅合金的应用。
  • 一种共晶铝硅合金变质应用
  • [发明专利]一种过硅合金初生硅变质剂及其制备方法-CN201210194047.7有效
  • 田学雷;张勇;郑洪亮;许荣福;孙玉成 - 山东大学
  • 2012-06-13 - 2012-09-26 - C22C1/02
  • 本发明公开了一种用于过硅合金初生硅细化的变质剂,其成份为硅0.1-30%,铁0.001-30%,余量为;以质量计。本发明还公开了一种用于过硅合金初生硅细化的变质剂的制备方法,将工业纯或高纯于中频炉中融化,然后依次加入称量好的工业纯硅或高纯硅和工业纯铁,继续加热至完全熔解。保温并搅拌后浇注成锭或制成线材。本发明的过硅合金初生硅变质剂含有初生硅的形核基底,大大提高初生硅的形核率,从而细化初生硅。该变质剂在合适比例加入过硅合金中时,其对初生硅的变质效果是明显的,并且其效果要优于现在传统的AlP变质剂。
  • 一种共晶铝硅合金初生变质及其制备方法
  • [发明专利]硅合金生产用除气装置-CN202310142270.5在审
  • 石为喜 - 辽宁科技学院
  • 2023-02-21 - 2023-06-02 - C22C1/06
  • 本发明公开了一种过硅合金生产用除气装置,包括供气设备和排气设备,所述供气设备包括供气管道以及沿供气管道依次设置的干燥机构、第一气源检测机构和温控机构,供气管道的两端分别与氮气储罐和过硅合金生产设备的除气进口连通,所述排气设备包括排气管道以及沿排气管道依次设置的止逆机构和第二气源检测机构,所述排气管道的一端与过硅合金生产设备的除气出口连通,本发明设计合理,原理简单,具备气源干燥、预加热的功能效果,降低因除气对过硅合金生产的不利影响,此外,可有效监控除气过程中,确保除气效果,有助于过硅合金产品质量的提升。
  • 共晶铝硅合金生产装置

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