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[实用新型]方形动力电芯-CN202021742807.X有效
发明人：袁铖;胡明江;陈虎;杨伟;张耀 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01M50/103 文献下载
摘要：电芯本体、绝缘膜、第一防水层及第二防水层，电芯本体具有首尾依次连接的第一表面、第一侧面、第二表面、第二侧面及底面；绝缘膜具有第一区、第二区和第三区，第一区包覆在第一表面、底面和第二表面上，第二区包括的第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区，第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区层叠在第一侧面上，第三区包括第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区，第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区层叠在第二侧面上；第一防水层覆盖在第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区的接缝处；第二防水层覆盖在第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区的接缝处。
方形动力

[实用新型]方形动力电芯-CN202021741896.6有效
发明人：吴仪娜;陈栋;许静;谭健;张耀 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01M50/103 文献下载
摘要：该方形动力电芯包括电芯本体和绝缘膜，绝缘膜具有依次连接的第一区、第二区、第三区及与第一区、第二区和第三区均相连的第四区，第二区包覆在第一表面、第一侧面和第二表面上，第一区和第三区层叠在第二侧面上，且第一区和第三区熔接；第四区包括依次相连的第一层叠区、第二层叠区、第三层叠区、第四层叠区及第五层叠区，第一层叠区、第二层叠区、第三层叠区、第四层叠区及第五层叠区均层叠在底面上，且第一层叠区、第二层叠区、第三层叠区、第四层叠区及第五层叠区熔接
方形动力

[发明专利]半导体电感器结构以及半导体电路装置-CN201210313065.2有效
发明人：黎坡 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体电感器结构以及半导体电路装置。根据本发明的半导体电感器结构包括：第一金属叠层以及第二金属叠层；其中，所述第一金属叠层和所述第二金属叠层通过一个或多个通孔连接；所述通孔中填充有金属；所述第一金属叠层和所述第二金属叠层具有不同的叠层结构；其中，所述第一金属叠层由自上而下依次层叠的第三上叠层金属层、第四上叠层金属层、以及第五上叠层金属层组成；并且其中，所述第二金属叠层包括：自上而下依次层叠的第一下叠层金属层、第二下叠层金属层、第三下叠层金属层、第四下叠层金属层、以及第五下叠层金属层。
半导体电感器结构以及电路装置

[实用新型]方形动力电芯-CN202021742774.9有效
发明人：吴仪娜;陈栋;许静;李超;任祥;谭健;张耀 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01M50/103 文献下载
摘要：第二表面、第二侧面，以及与第一表面、第一侧面、第二表面、第二侧面均连接的底面；绝缘膜具有依次连接的第一区及位于第一区两侧的第二区和第三区，第一区包覆在第一表面、底面和第二表面上，第二区包括依次连接的第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区，第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区熔接；第三区包括依次连接的第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区，第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区熔接。
方形动力

[发明专利]包覆工具-CN201580017416.7有效
发明人：平野雄亮;目时贤二 -专利权人：株式会社泰珂洛
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：包覆工具包含基材和形成在所述基材表面上的包覆层，包覆层包含第1层叠结构和第2层叠结构。第1层叠结构和第2层叠结构连续交替地层叠2次以上。第1层叠结构包含组成不同的至少2种层，所述2种层交替地层叠2次以上。第1层叠结构中所含的层的平均厚度为60nm以上且500nm以下。第2层叠结构包含组成不同的至少2种层，所述2种层交替地层叠2次以上。第2层叠结构中所含的层的平均厚度为2nm以上且小于60nm。第1层叠结构及第2层叠结构中所含的层包含含有选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Si、Sr、Y、Sn及Bi中的至少1种金属元素和选自碳、氮、氧及硼中的至少1种非金属元素的化合物。第1层叠结构和/或第2层叠结构的平均厚度从基材侧向着包覆层的表面侧连续地或阶段地增加。
工具

[发明专利]包覆工具-CN201580016214.0有效
发明人：平野雄亮;目时贤二 -专利权人：株式会社泰珂洛
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：包覆层包含第1层叠结构和第2层叠结构。第1层叠结构和第2层叠结构连续交替地层叠2次以上。第1层叠结构包含组成不同的至少2种层，所述2种层交替地层叠2次以上，第1层叠结构中所含的层的平均厚度为60nm以上且500nm以下。第2层叠结构包含组成不同的至少2种层，所述2种层交替地层叠2次以上。第2层叠结构中所含的层的平均厚度为2nm以上且小于60nm。第1层叠结构及第2层叠结构中所含的层包含含有选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Si、Sr、Y、Sn及Bi中的至少1种金属元素和选自碳、氮、氧及硼中的至少1种非金属元素的化合物。第1层叠结构和/或第2层叠结构的平均厚度从基材侧向着包覆层的表面侧连续地或阶段地减小。
工具

[发明专利]被覆切削工具-CN201810211828.X有效
发明人：田中茂挥 -专利权人：株式会社泰珂洛
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：一种被覆切削工具，其包含基材、和在基材的表面上形成的被覆层，被覆层包含第1层叠结构和第2层叠结构，第1层叠结构具有将组成不同的2种特定的化合物层交替地层叠而成的层叠结构，且第1层叠结构满足特定的条件，第2层叠结构具有由特定氧化物和/或氮氧化物构成的第1化合物层、和由特定组成构成的第2化合物层交替地层叠而成的层叠结构，构成第1层叠结构的各化合物层的厚度、构成第2层叠结构的各化合物层的厚度、以及被覆层整体的厚度在特定范围内
被覆切削工具

[发明专利]半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法-CN202110196415.0在审
发明人：李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：该半导体存储器装置包括：第一层叠结构，其包括交替层叠的层间绝缘层和第一导电图案；第二层叠结构，其包括与第一层叠结构交叠的第二导电图案，以及与第一层叠结构交叠的第三导电图案，并且第二导电图案插置在第一层叠结构和第三导电图案之间，第三导电图案的氧化速率不同于第二导电图案的氧化速率；沟道结构，其穿透第一层叠结构和第二层叠结构；以及位线，其与第一层叠结构交叠，并且第二层叠结构插置在第一层叠结构和位线之间。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]一种三电平桥式结构的三层叠层母排结构-CN201911205880.5在审
发明人：张鹏程;李锐;吴浩伟;郑中祥;李保群;张正卿;汪文涛;金翔;帅骁睿;邓磊;张炜龙;孔祥伟;李小谦;周樑;欧阳晖;姜波;陈涛;罗伟;蔡凯;魏华 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七一九研究所
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：一种三电平电路的三层叠层母排结构，三电平电路采用如下结构进行布局，最下端为第一电容器与第二电容器；第一开关模块紧挨并位于第一电容器与第二电容器上方；第一二极管与第二二极管紧挨并处于第一开关模块上方；第二开关模块紧挨并位于第二二极管与第一二极管上方；第三电容器与第四电容器紧挨并处于第二开关模块上方；三层叠层母排结构的最上层包含第四母排，三层叠层母排中间层包含第三母排，三层叠层母排最下层包含第一母排、第二母排、第五母排、第六母排；第一母排、第一母排、第五母排、第六母排设计在同一层，而不造成交叉。该母排结构制作的变换器能够工作在更高的开关频率，具有更高的功率密度。
一种电平结构层叠层母排

[实用新型]电化学装置的电极层叠组件以及电化学装置-CN201721917466.3有效
发明人：王辉;金省周;杨树涛 -专利权人：蜂巢能源科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01M10/0585 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电化学装置的电极层叠组件以及电化学装置，电化学装置的电极层叠组件包括：第一层叠部和第二层叠部，所述第一层叠部和所述层叠部层叠设置，所述第一层叠部由多个第一层叠组层叠设置构成，所述第一层叠组由顺次层叠的隔离膜、第一极片、隔离膜和第二极片的四层结构或由所述四层结构层叠设置所构成，所述第二层叠部由顺次层叠的隔离膜、第一极片和隔离膜的三层结构所构成。由此，通过第一层叠部和第二层叠部配合，能够很好地把第一层叠部和第二层叠部层叠在一起，可以提高电池的抗震动和抗冲击的能力，从而可以增强电池的使用安全性能。
层叠部电化学装置隔离膜层叠设置层叠组件电极四层结构层叠组第一极电池使用安全性能本实用新型三层结构抗冲击地把极片抗震配合

[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法-CN201910027506.4有效
发明人：崔康植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有阱掺杂剂的阱结构、包括在阱结构上方层叠的第一层叠结构、第二层叠结构和第三层叠结构的栅极层叠结构以及穿透栅极层叠结构的沟道图案。栅极层叠结构的侧壁在其第一层叠结构和第三层叠结构之间的侧壁中形成有凹槽，使得第一层叠结构和第三层叠结构在与层叠方向垂直的方向上比第二层叠结构突出更多。沟道图案沿着阱结构和栅极层叠结构之间的水平空间的表面延伸。半导体器件还包括沿着沟道图案的外壁延伸的存储器图案、形成在栅极层叠结构的侧壁上的间隔物绝缘图案以及形成在间隔物绝缘图案上的掺杂半导体图案。
半导体器件以及制造方法

[实用新型]电化学装置的电极层叠组件以及电化学装置-CN201721917438.1有效
发明人：王辉;金省周;杨树涛;刘小安 -专利权人：长城汽车股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01M10/0585 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电化学装置的电极层叠组件以及电化学装置，电化学装置的电极层叠组件包括：第一层叠部、第二层叠部和第三层叠部，第一层叠部和第三层叠部层叠设置在第二层叠部的两侧，第一层叠部由顺次层叠的第一层叠组反复层叠构成，第二层叠部由隔离膜、第一极片和隔离膜的三层结构构成，第三层叠部由顺次层叠的第三层叠组反复层叠构成，第二层叠部的两个隔离膜分别与第一层叠部的端部极片和第三层叠部的端部极片层叠设置。由此，通过第一层叠部、第二层叠部和第三层叠部配合，能够很好地把第一层叠部、第二层叠部和第三层叠部层叠在一起，可以提高电池的抗震动和抗冲击的能力，从而可以增强电池的使用安全性能。
层叠部电化学装置层叠组件隔离膜电极层叠设置层叠组极片使用安全性能电池本实用新型三层结构第一极抗冲击地把抗震配合

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911081966.1有效
发明人：李起洪;梁基洪;林勇贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：第一层叠结构；第二层叠结构；狭缝绝缘层，其位于第一层叠结构和第二层叠结构之间，狭缝绝缘层沿第一方向延伸；导电插塞，其位于第一层叠结构和第二层叠结构之间，导电插塞包括突出到狭缝绝缘层的内部的第一突出部分
半导体装置及其制造方法

[实用新型]导电层叠结构、控制面板及显示装置-CN202222715221.X有效
发明人：赵约瑟;乔传兴;王凯;袁进;丁艳东;李水龙 -专利权人：深圳莱宝高科技股份有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本申请属于显示技术技术领域，提供了一种导电层叠结构、控制面板及显示装置，导电层叠结构包括基底、第一导电层及第二导电层；其中，第一导电层形成于基底；第一导电层具有第一层叠区，第一层叠区开设有暴露于基底的第一镂空结构；第二导电层形成于基底，且第二导电层具有第二层叠区，第二层叠区层叠覆盖于第一层叠区，并与第一层叠区电性连接，且第二层叠区部分填充于第一镂空结构内，并于第一镂空结构处连接于基底；控制面板包括导电层叠结构；本申请旨在解决现有技术中上下两层导电层在搭接位置应力较大的技术问题。
导电层叠结构控制面板显示装置

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201310378606.4有效
发明人：崔殷硕;沈思用;李仁惠;郑承旭;吴政锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括：衬底，所述衬底包括第一字线形成区、第二字线形成区、以及插入在第一字线形成区与第二字线形成区之间的支撑区；第一层叠结构，所述第一层叠结构设置在第一字线形成区和第二字线形成区中的每个的衬底之上，并且所述第一层叠结构中交替地层叠多个层间电介质层和多个导电层；第二层叠结构，所述第二层叠结构设置在支撑区的衬底之上，并且所述第二层叠结构中交替地层叠多个层间电介质层和多个空间；沟道层，所述沟道层设置在第一层叠结构中；以及存储层，存储层设置在沟道层与所述多个导电层中的每个之间。
层叠结构字线衬底沟道层非易失性存储器件层间电介质层交替地层存储层支撑区导电层中导电层制造

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