专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]转子为互补励磁的永磁变速轮毂电机-CN201010556476.5无效
  • 杨荷 - 杨荷
  • 2010-11-24 - 2011-05-18 - H02K29/08
  • 一种转子为互补励磁的永磁变速轮毂电机,它通过在轮毂的转子内表面设置两组极性互补的励磁磁源,主磁通源励磁体、副磁通源励磁体分别由多块永磁体极性交替配置于转子轭中构成以定子轴为中心的环形,副磁通源励磁体圆周极性分布与主磁通源励磁体错开一个极距,定子与定子轴通过花键配合形成可轴向移动的定子,轮毂左端盖内设置轨道盘与定子上设置的推盘之间设有多个通过离心运动推动定子轴向移动的滚子,它使定子沿轴向移动减少磁通量,来改变电机的扭矩-转速特性,实现变速,既能使永磁变速轮毂电机自身的机械特性提高,又能使永磁变速轮毂电机的全功率调速范围增大,同时又不增大电机体积,节约生产成本。
  • 转子互补永磁变速轮毂电机
  • [发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200710305316.1无效
  • 沈喜成 - 东部高科股份有限公司
  • 2007-12-26 - 2008-07-02 - H01L27/146
  • 本发明涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法,可提高CMOS图像传感器的低亮度级特性。该CMOS图像传感器具有光传感器单元和信号处理单元,并可包括:半导体衬底,具有器件隔离注入区,该器件隔离注入区设置有第一离子注入区以及位于第一离子注入区内的互补第二离子注入区;器件隔离层,位于信号处理单元中利用相邻光电二极管之间的器件隔离注入区可将邻近光电二极管的晶体缺陷区最小化,因此能够减少暗电流源并能防止产生界面陷阱,从而能够改善图像传感器的低亮度级特性
  • cmos图像传感器及其制造方法
  • [发明专利]宽频带的直线-圆偏振波变换器-CN00105520.8无效
  • 窦元珠 - 阿尔卑斯电气株式会社
  • 2000-03-30 - 2004-06-23 - H01P1/17
  • 本发明提供了一种在超宽频带的频率范围内,可以得到作为直线-圆偏振波变换器的良好的频率-相位特性的超宽频带的直线-圆偏振波变换器。其是在一个非圆形的波导管1内,配置平板形的电介质结构2。该非圆形波导管1具有在超宽频带的频率范围内随频率的增大,相位差依次减小的负相位特性。而该电介质结构2则具有在超宽频带的频率范围内随频率的增大,相位差依次增大的,与上述负相位特性互补的正相位特性
  • 宽频直线偏振变换器

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