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[发明专利]硫掺杂硒化钼/石墨烯-石墨烯纳米带气凝胶及其制备-CN201610709788.2有效
发明人：刘天西;孙振;樊玮;左立增;顾华昊;张由芳 -专利权人：东华大学
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种硫掺杂硒化钼/石墨烯‑石墨烯纳米带气凝胶的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：将氧化石墨烯和氧化石墨烯纳米带的混合分散液冷冻干燥，煅烧，得到石墨烯‑石墨烯纳米带杂化气凝胶；步骤2：将硒粉分散于水合肼中，将所得的硒粉分散液与钼酸钠水溶液混合得到混合液，将步骤1中的石墨烯‑石墨烯纳米带杂化气凝胶浸入所述的混合液中，加入N，N‑二甲基甲酰胺溶剂，通过溶剂热反应，得到硒化钼/石墨烯‑石墨烯纳米带气凝胶复合材料；步骤3：将步骤2所得的硒化钼/石墨烯‑石墨烯纳米带气凝胶复合材料与硫粉共同煅烧，得到硫掺杂硒化钼/石墨烯‑石墨烯纳米带气凝胶。本发明所制备的硫掺杂硒化钼/石墨烯‑石墨烯纳米带气凝胶复合材料具有结构稳定、比表面积大、导电性好、孔径可调等优点。
掺杂硒化钼石墨纳米凝胶及其制备

[发明专利]一种二维结构硒碲化物修饰碳纤维电极材料及制备方法-CN202110054613.3在审
发明人：王超楠;王波;罗胜耘;杨吟野;张朝珍 -专利权人：贵州民族大学
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维结构硒碲化物修饰碳纤维电极材料的制备方法，其特征在于：首先采用插层剥离法得到溶液分散的二维层状纳米材料二硫化钨或二硫化钼，然后采用静电纺丝技术得到聚丙烯腈/二硫化钨或二硫化钼复合纳米纤维前驱体，再经过预稳定、碳化过程得到二维片层结构钨或钼纳米片修饰的碳纳米纤维膜；最后经过硒或碲化置换制备具备微孔限域功能的二维结构硒碲化物修饰碳纤维电极材料。
一种二维结构硒碲化物修饰碳纤维电极材料制备方法

[发明专利]一种二硒化钼纳米片球-石墨烯复合材料的制备方法-CN201811118745.2在审
发明人：岳红彦;王钊;俞泽民;高鑫;关恩昊;张腾 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：一种二硒化钼纳米片球‑石墨烯复合材料的制备方法，涉及一种二硒化钼纳米片球‑石墨烯复合材料超级电容器电极材料的制备方法。本发明要解决二硒化钼作为超级电容器电极材料导电性差的问题。首先制备出氧化石墨烯，然后与钼酸钠，水合肼和硒粉混合，配成混合溶液转移至反应釜中，通过一步水热的方法得到一种具有高比表面积、高性能的超级电容器电极材料。本发明具有工艺简单、高效和成本低等优点。
二硒化钼制备超级电容器电极石墨烯复合材料纳米片材料导电性氧化石墨烯混合溶液反应釜水合肼钼酸钠水热硒粉

[发明专利]一种二硒化钼/碳纳米管阵列复合电极、制备方法及应用-CN201911070804.8有效
发明人：李渭龙;任兆玉;刘迎鸿;陈欢;畅新维 -专利权人：西北大学
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钼/碳纳米管阵列复合电极、制备方法及应用，将钼酸钠、硒粉和硼氢化钠按照摩尔比为1：3：1混合并溶于去离子水和无水乙醇的混合液，再将碳纳米管阵列放入此混合液中，在180～220℃下水热反应36～48h，得到二硒化钼/碳纳米管阵列复合电极；将二硒化钼/碳管阵列复合电极薄膜通过压力压制在集流体上，即可得到超级电容器电极。本发明通过将二硒化钼与碳纳米管阵列复合作为电极材料，其比表面积大幅度提高，且具有更加丰富的活性点位，这些优势使得其高的理论比容量得到充分发挥。
一种二硒化钼纳米阵列复合电极制备方法应用

[发明专利]一种双金属镍钼硒化物电极材料的制备方法及其应用-CN202210334376.0有效
发明人：吴中;黄晓晨;李秋;丁波;李席;李倩;李良;丁明;李宗群;葛金龙;周开胜 -专利权人：蚌埠学院
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明属于绿色能源材料的技术领域，具体涉及一种双金属镍钼硒化物电极材料的制备方法，首先将镍源和钼源加入到水/乙醇的混合溶液中，搅拌均匀后移至反应釜中，于烘箱中进行水热反应，自然冷却后分离、干燥，得到镍钼前聚体；然后将硒粉和制得的镍钼前聚体于管式炉加热区内煅烧，得到镍钼硒化物；最后将制得的镍钼硒化物与导电剂、粘结剂的悬浮液加入乙醇中混合，研磨制成均匀的浆料并均匀涂覆到洗净的泡沫镍上，烘干即得双金属镍钼硒化物电极材料本发明整体步骤简单，所制得的双金属镍钼硒化物电极材料的电导率高、比容量高，且稳定性好，实用性强。
一种双金属镍钼硒化物电极材料制备方法及其应用

[发明专利]金属相二硒化钼/二维氮化碳光催化材料及制备方法-CN201810038609.6在审
发明人：许晖;宜坚坚;李华明;徐远国;佘小杰;颜佳 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及光催化材料，特指一种金属相(1T)二硒化钼/二维(2D)氮化碳光催化材料及制备方法。通过使用金属相二硒化钼取代贵金属铂，助催化二维氮化碳半导体实现可见光照射下持续稳定分解水析氢。
光催化材料二硒化钼氮化碳金属相二维制备可见光照射贵金属铂分解水助催化析氢半导体

[发明专利]一种夹心结构的石墨烯/硒化钼/氮掺杂多孔石墨烯复合材料及其制备方法和应用-CN201811469769.2有效
发明人：蒋仲庆;郝晓琼 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种夹心结构的石墨烯/硒化钼/氮掺杂多孔石墨烯复合材料及其制备方法和应用；结构单元包括基底的氮掺杂多孔石墨烯层，生长在基底上的硒化钼层，和位于硒化钼层上的作为外保护膜的石墨烯层。本法发明利用结构的相似性使硒化钼生长于双层石墨烯的中间，内层的氮掺杂多孔石墨烯具有良好的导电性和多孔结构，有利于电子传输和电解液渗入；表面的石墨烯保护层膜可以减少硒化钼的溶解破坏，提高了材料的稳定性与倍率性能，有效的解决纯硒化钼作为钠离子电池负极材料自聚严重、导电性弱、体积形变大、容量低等技术问题。
一种夹心结构石墨硒化钼掺杂多孔复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种二维半导体合金、其制备方法及用途-CN201410141591.4有效
发明人：谢黎明;冯晴亮;张锦 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维半导体合金的制备方法，所述二维半导体合金的通式为MoS_2(1-x)Se_2x，其中0＜x≤1；所述方法为：无氧环境中，加热分别放置于石英管中的硫化钼和硒化钼至挥发，保持挥发温度，在通入的保护性气体气流的作用下，挥发后的硫化钼和硒化钼在硅基底上化学气相沉积形成二维半导体合金材料。本发明提供的二维半导体合金MoS_2(1-x)Se_2x能够通过调节x的值来实现带隙的连续可调；通过控制硫化钼和硒化钼的挥发量实现了二维半导体合金MoS
一种二维半导体合金制备方法用途

[发明专利]一种硒化钼催化剂及其制备方法和在电解水析氢中的应用-CN202110472677.5有效
发明人：陈晓爽;鞠美娜;陈国力;王金平;杨瑞;张影 -专利权人：齐齐哈尔大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化钼催化剂及其制备方法和在电解水析氢中的应用，属于催化材料领域。本发明使制备的钼溶胶前驱体均匀分布在工业盐表面，使得成核位点固定且分布均匀，协同化学气相沉积法，使得硒化钼生长均匀，结合其本身具有的特殊二维层状结构，获得具有表面呈垂直三维立体生长、连接紧密的二维纳米薄层结构的硒化钼，能够有效提高硒化钼的比表面积，暴露更多的活性位点，从而有利于电子转移，提高了催化活性。本发明制备催化剂，具有表面呈垂直三维立体生长、连接紧密的二维纳米薄层结构，当电流密度为10mA·cm2时，过电位低至184mV，2000圈循环伏安扫描后，极化曲线稍有变化
一种硒化钼催化剂及其制备方法电解水中的应用

[发明专利]非晶薄膜包裹晶体纳米棒结构一体式电极、制备方法及应用-CN202211246603.0在审
发明人：王杨;邓意达;黄忠;郑学荣 -专利权人：海南大学
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明涉及钼‑硫硒化镍非晶薄膜包裹硫硒化镍晶体纳米棒结构的一体式电极、制备方法及其电解水应用，制备方法如下：称取硒源在水合肼中溶解，进行搅拌；而后加入硫源和氟化铵，并加入无水乙醇和去离子水，进行搅拌；然后加入钼源，继续搅拌；最后加入硼氢化钠，低速搅拌；将混合溶液倒入聚四氟乙烯内衬的反应釜中，将表面活化处理好的泡沫镍放入反应釜中，将反应釜放置在烘箱中进行水热，反应结束后急冷，反复清洗样品，而后进行冷冻干燥，得到钼‑硫硒化镍非晶薄膜包裹硫硒化镍晶体纳米棒结构的一体式电极。钼‑硫硒化镍非晶薄膜包裹硫硒化镍晶体纳米棒结构是纳米片紧密包裹纳米棒，纳米片为钼掺杂硫硒化镍非晶结构，纳米棒为硫硒化镍晶体结构。
薄膜包裹晶体纳米结构体式电极制备方法应用

[发明专利]一种噻吩选择性二硒化钼垂直石墨烯杂化膜及其制备方法、分离噻吩的方法-CN202110134551.7有效
发明人：兰永强;彭平 -专利权人：三明学院
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B01D61/36 文献下载
摘要：本发明提供一种噻吩选择性二硒化钼垂直石墨烯杂化膜及其制备方法、分离噻吩的方法，该杂化膜的制备为：采用表面活性剂定向的水热合成反应合成二硒化钼垂直石墨烯纳米复合材料，并将该纳米复合材料掺入原位聚合的聚二甲基硅氧烷中，得到杂化膜。本发明中的二硒化钼垂直石墨烯纳米复合材料具有多层次的纳米阵列和高比表面积，能够提高杂化膜内部的自由体积以及为噻吩提供更多的促进传递位点，将该杂化膜用于分离噻吩和正辛烷混合液，能达到较好的分离效果。
一种噻吩选择性二硒化钼垂直石墨烯杂化膜及其制备方法分离

[实用新型]一种基于二硒化钼可饱和吸收体的被动锁模脉冲激光器-CN201922103816.8有效
发明人：常建华;陈思成;毛仁祥;陈恬恬;戴腾飞;刘海洋;戴瑞 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于二硒化钼可饱和吸收体的被动锁模脉冲激光器，该激光器包括半导体激光器、耦合透镜组、Nd:YVO4晶体、第一平凹镜、第二平凹镜、二硒化钼可饱和吸收体和输出镜；所述半导体激光器产生的连续光中心波长为808 nm，连续光依次经过耦合透镜组和Nd:YVO4晶体后入射到第一凹面镜，经第一凹面镜反射到达第二凹面镜，然后经反射到第二凹面镜二硒化钼可饱和吸收体，连续光经过二硒化钼可饱和吸收体后，经输出镜输出。
一种基于二硒化钼可饱和吸收体被动脉冲激光器

[发明专利]硒空位硒化钼材料及其制备和在HER催化中的应用-CN202310037332.6在审
发明人：赵雪婷;严文思;李雷;宋利;洪哲;王鑫 -专利权人：浙江工业大学;嘉兴学院
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及催化材料领域，具体涉及一种硒空位硒化钼材料，其为表面具有硒空位的硒化钼材料。本发明还涉及所述材料的制备和在HER催化中的应用。本发明所述的硒空位硒化钼材料具有丰富的电催化活性位点和快速电荷转移能力，其在碱性和酸性介质中均表现出较低的过电位和塔菲尔斜率，可以表现出优异的HER催化活性。
空位硒化钼材料及其制备 her 催化中的应用

[发明专利]一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法-CN202110332164.4有效
发明人：梁广兴;于紫轩;陈名东;陈烁;郑壮豪 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法，包括：在沉积于衬底的钼薄膜层上溅射锑金属，得到金属前驱膜；将硒源和金属前驱膜放置于双温区管式炉中，通过硒源对金属前驱膜进行硒化退火，得到沉积于钼薄膜层上的硒化锑薄膜层；在硒化锑薄膜层上沉积硫化镉薄膜层，得到沉积于钼薄膜层上的硫化镉/硒化锑异质结；对硫化镉/硒化锑异质结进行热处理后，在硫化镉薄膜层上沉积透明导电层以及在透明导电层和所述钼薄膜层上沉积背电极，得到硒化锑薄膜太阳电池本发明通过对硫化镉/硒化锑异质结进行热处理，使得硫化镉中的Cd2+和S2‑扩散至硒化锑进行有效掺杂，降低了电池开路电压亏损
一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种硒化钼二维层状碳化钛复合材料的制备方法-CN201811533250.6在审
发明人：郑晓航;杨雅倩;苗玲芬;李新忠;隋解和;蔡伟 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：一种硒化钼二维层状碳化钛复合材料的制备方法，它涉及一种金属碳化物/硫化物复合材料的制备。本发明要解决现有硒化钼的导电性较差，离子迁移率较低的问题。方法：一、将Se粉与水合肼混合搅拌，得到硒‑水合肼的分散液；MXene‑Ti₃C₂分散液与十六烷基三甲基溴化铵混合，加入钼酸钠，得到十六烷基三甲基溴化铵溶液；三、将硒‑水合肼的分散液和十六烷基三甲基溴化铵溶液混合反应，得到混合溶液；四、将混合溶液用去离子水和乙醇清洗并离心，真空烘干，得到MoSe₂@MXene‑Ti_{3硒化钼二维层状碳化钛复合材料的制备。}
复合材料硒化钼制备分散液水合肼碳化钛二维十六烷基三甲基溴化铵溶液混合溶液十六烷基三甲基溴化铵导电性硫化物金属碳化物离子迁移率混合反应去离子水乙醇清洗真空烘干钼酸钠