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[发明专利]一种二氧化锡薄膜材料、锂电池及制备方法-CN201810428323.9有效
发明人：李强;滕晓玲;樊书婷;商显涛;王霞;徐洁;曹德让;赵国霞;李山东 -专利权人：青岛大学
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种二氧化锡薄膜材料、锂电池及制备方法，所述二氧化锡薄膜材料，包括二氧化锡缓冲层，所述二氧化锡缓冲层上设有采用生长工艺生长的二氧化锡纳米柱阵列，其中，所述二氧化锡缓冲层的厚度为50‑150nm，所述二氧化锡纳米柱阵列中二氧化锡纳米柱的高度为3‑5μm。由以上技术方案可见，本申请实施例采用自支撑结构的二氧化锡薄膜‑二氧化锡纳米柱，由于不需要粘结剂涂片，大大减低成本并显著提高容量，而且二氧化锡纳米柱在二氧化锡薄膜上生长牢固，提高了循环稳定性。
一种氧化薄膜材料锂电池制备方法

[发明专利]二氧化锡薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池-CN202310381207.7在审
发明人：林红;吴子祎;苏家正;张子灵 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K99/00 文献下载
摘要：本发明公开了二氧化锡薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池。制备二氧化锡薄膜的方法包括：(1)将基底材料浸润到含锡源的母液中，进行第一加热处理，以便得到二氧化锡薄膜半成品；(2)将二氧化锡薄膜半成品浸润到酸液中；(3)将步骤(2)得到的浸润后的二氧化锡薄膜半成品进行清洗，并进行第二加热处理，以便得到二氧化锡薄膜。该方法不仅工艺简单，适合大批量生产，而且可以减少二氧化锡薄膜表面缺陷，提高二氧化锡的电子传输性能，有利于提升钙钛矿太阳能电池的光电性能和长期使用稳定性。
氧化薄膜及其制备方法钙钛矿太阳能电池

[发明专利]二氧化锡氧化物薄膜及制备方法与其在检测氢气中的应用-CN202110402049.X有效
发明人：宋安刚;朱地;赵保峰;关海滨;徐丹;王树元 -专利权人：山东省科学院能源研究所
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明公开了二氧化锡氧化物薄膜及制备方法与其在检测氢气中的应用，二氧化锡氧化物薄膜，晶相结构为金红石相结构，室温条件下，通入氢气前的电阻为80～100Ω，通入氢气后的电阻为50～70Ω。其制备方法为：利用远源等离子体溅射将锡制成沉积态二氧化锡薄膜，然后进行退火处理获得金红石相二氧化锡薄膜，获得的金红石相二氧化锡薄膜即为目标的二氧化锡氧化物薄膜。本发明提供的二氧化锡氧化物薄膜在室温下可以对氢气具有良好的气敏性能。
氧化氧化物薄膜制备方法与其检测氢气中的应用

[发明专利]二氧化锡‑二氧化钛复合薄膜材料、锂电池及制备方法-CN201710319284.4在审
发明人：李强;李山东;王霞;徐洁;赵国霞;滕晓玲;商显涛;李雪;戚敬;李晓 -专利权人：青岛大学
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开了二氧化锡‑二氧化钛复合薄膜材料、锂电池及制备方法，其中，所述二氧化锡‑二氧化钛复合薄膜材料包括间隔设置的二氧化锡层和二氧化钛层；所述二氧化锡层和二氧化钛层间隔设置，单层所述二氧化锡层或二氧化钛层的厚度为5nm‑50nm，所述二氧化锡层或二氧化钛层的总层数为10‑100。本发明实施例提供的氧化锡‑二氧化钛复合薄膜，用于锂离子电池负极时可以表现出良好的电化学性质。一方面，在进行脱嵌锂过程中，二氧化钛能够有效地缓冲二氧化锡的体积膨胀，提高了循环稳定性；另一方面，二氧化锡可以为二氧化钛提供电子导电通道，改善倍率性能，同时具有高的比容量。
氧化复合薄膜材料锂电池制备方法

[发明专利]一种二氧化锡薄膜的制备方法及其应用-CN202310045948.8在审
发明人：张丽萌;刘丰珍;周玉荣 -专利权人：中国科学院大学
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化锡薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)取二氧化锡胶体用去离子水稀释至浓度为1％‑5％，得到稀释后的二氧化锡胶体；(2)将步骤(1)得到的稀释后的二氧化锡胶体加入浓度为1‑10％二甲基亚砜和0.01％‑2％的氟碳表面活性剂，得到二氧化锡混合液；(3)将步骤(2)得到的二氧化锡混合液旋涂在衬底上并退火，所得即为二氧化锡薄膜。一种二氧化锡薄膜的应用，所述二氧化锡薄膜可用作n‑i‑p型钙钛矿太阳电池和钙钛矿/硅叠层太阳电池的电子传输层。本申请的工艺所制备的二氧化锡薄膜材料更加致密，具备电导率高、陷态密度低、光透过率高等优点，以其作为电子传输层制备的太阳电池有较高光电转换效率。
一种氧化薄膜制备方法及其应用

[发明专利]一种高透过率透明导电薄膜及其制备方法-CN201110436883.7有效
发明人：毛启明;姜来新;何丹农 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的模系为二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅，或二氧化硅/二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅的多层膜结构，主体材料为金属二氧化锡与氧化锌和锡与锌，其中，锡与锌元素两者在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为75.9％～83.5％，锡与锌元素的质量比为45～51∶55～49，薄膜的厚度为5nm～250nm。本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜的制备方法。本发明采用磁控溅射方法沉积的薄膜性能优异，具有良好的导电性和透光性，可广泛用于触摸屏液晶显示屏、电致发光显示、太阳能电池、晶体管等光电技术领域。
一种透过透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]改性二氧化锡薄膜及其制备方法和应用-CN202310326855.2在审
发明人：陈建林;刘畅;田俏俏;吴林;武子寒;俱佳尧;曾雨熙;赵威;陈荐;彭卓寅;龚丽 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性二氧化锡薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：将锡的卤化物与低沸点的有机溶剂混合，进行加热蒸发和冷凝回流，将得到的二氧化锡前驱体溶胶涂覆在透明导电基底上，经热处理后得到二氧化锡薄膜；然后，将碱金属氢氧化物水溶液涂覆在二氧化锡薄膜上，再经热处理后，得到改性二氧化锡薄膜。本发明的制备方法，具有制备温度低、成膜质量好、工艺简单、制备成本低廉等优点；以改性二氧化锡薄膜作为钙钛矿太阳电池的电子传输层，能够改善钙钛矿光吸收层薄膜质量，减少二氧化锡/钙钛矿界面附近载流子非辐射复合的陷阱中心
改性氧化薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种纳米多孔二氧化锡薄膜气敏材料及其制备方法和应用-CN201510454246.0有效
发明人：刘锋;赵晓静;陈金鑫;陈骏伟;张轶;石旺舟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米多孔二氧化锡薄膜气敏材料的制备方法,以纳米多孔金为生长模板，利用原子层沉积技术沉积二氧化锡、经过退火结晶、王水腐蚀生长模板过程后，最终得到具有纳米多孔金的双联通二氧化锡气敏薄膜。本发明制备得到的纳米多孔二氧化锡薄膜气敏材料可用于检测用于检测二氧化氮，且其最佳工作温度为300℃；并且具有超低的二氧化氮气敏检测极限和超高的气敏响应度。
二氧化锡薄膜纳米多孔气敏材料纳米多孔金二氧化氮二氧化锡制备检测原子层沉积技术制备方法和应用退火模板过程气敏薄膜王水腐蚀生长超低的响应度可用联通沉积

[发明专利]一种基于二氧化锡的电阻式随机读取存储器及其制备方法-CN201210087237.9无效
发明人：李红霞;季振国;席俊华;牛犇 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二氧化锡的电阻式随机读取存储器及其制备方法。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本发明存储器由重掺硅衬底、二氧化锡薄膜、金属薄膜电极构成，二氧化锡薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本发明方法是采用半导体标准清洗工艺清洗重掺硅衬底；然后采用磁控溅射法在重掺硅衬底上沉积二氧化锡薄膜；最后在二氧化锡薄膜上采用电子束蒸发法制备金属薄膜电极。本发明通过采用新型的二氧化锡薄膜作为电阻式随机读取存储器中的阻变层，可以获得良好的电阻转变特性。
一种基于氧化电阻随机读取存储器及其制备方法

[发明专利]多孔二氧化锡多层纳米薄膜及其合成方法-CN200710040005.7无效
发明人：杨平雄;秦苏梅 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种多孔二氧化锡(SnO₂)多层纳米薄膜及其合成方法，属气敏传感材料和气敏传感制备的技术领域。该薄膜为多层依次沉积在单晶硅基底上的多孔二氧化锡纳米薄膜，层数为6～12层。以金属无机盐SnCl₂·2H₂O和无水乙醇分别为前驱体和溶剂，经过制备用来制作二氧化锡纳米薄膜的溶液、加入表面活性剂、制备溶胶、匀胶、退火和得成品六个步骤，将多层多孔二氧化锡纳米薄膜依次沉积在单晶硅基底上，制得成品，多孔二氧化锡多层纳米薄膜。所述的方法工艺简单，能制得化学稳定性好、功耗小、比表面积大和气敏灵敏度高的多孔二氧化锡多层纳米薄膜。所述的薄膜适于用来制作测量微量气体的气敏传感器。
多孔氧化多层纳米薄膜及其合成方法

[发明专利]正交相二氧化锡薄膜的制备方法-CN201110051521.6无效
发明人：陈志文;王剑;杜娟;焦正;吴明红 -专利权人：上海大学
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明涉及到一种正交相二氧化锡薄膜的制备方法，其操作步骤为：（i）制备用于脉冲激光沉积的二氧化锡靶材：①制备高纯的二氧化锡粉；②将其粉末在0.4GPa压力下制作成直径15毫米，厚度4毫米圆块，将其圆块在1150℃下烧结2小时，即成为脉冲激光沉积的二氧化锡靶材；（ii）利用脉冲激光沉积方法，冲击靶材得到沉积的正交相二氧化锡薄膜。本发明探寻到了高温高压正交相二氧化锡薄膜在相对较低压力和较低温度下的制备条件。
交相氧化薄膜制备方法

[发明专利]一种多晶二氧化锡阻变薄膜及其制备方法和应用-CN201110206115.2无效
发明人：张群;刘宝营 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明属于非易失性电阻式存储器件技术领域，具体为一种多晶二氧化锡阻变薄膜及其制备方法与应用。本发明以玻璃为基板，用纯金属锡靶材，在一定温度条件下利用直流磁控溅射技术，制备多晶二氧化锡半导体阻变薄膜。采用直流磁控溅射法制备镍顶电极和铂钛底电极测试多晶二氧化锡阻变薄膜的阻变特性。多晶二氧化锡阻变薄膜的高低阻态之比大于100，直流扫描可擦写次数大于250次，高低阻态维持时间大于106秒。该多晶二氧化锡阻变薄膜可作为阻变存储器的阻变材料。本发明还涉及以多晶二氧化锡薄膜为阻变材料的阻变存储器。本发明在非易失性存储领域具有良好的应用前景。
一种多晶氧化锡阻变薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种具有修饰及抗发霉功能的薄膜玻璃及其制备方法-CN202311115566.4在审
发明人：孙立群;孟庆瑞;张欣;鲁大学;刘卫东;马玉聪;郭振;李彩苓;王贤;谢银霞 -专利权人：中国耀华玻璃集团有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有修饰及抗发霉功能的薄膜玻璃及其制备方法，制备方法包括在锡槽内部利用化学气相沉积法在玻璃上表面制备一层保护膜，所述保护膜用于修饰玻璃表面微裂纹并减少玻璃霉变几率；所述保护膜为二氧化硅薄膜、二氧化钛薄膜、二氧化锡薄膜或者二氧化硅、二氧化钛和二氧化锡互相掺杂的抗发霉薄膜。本发明制备的薄膜对玻璃表面的微裂纹具有修饰作用并增加玻璃的强度，可以阻断玻璃基体中钠离子与空气中水与二氧化碳的反应，减少玻璃由于长时间存放而产生霉变的几率。
一种具有修饰发霉功能薄膜玻璃及其制备方法

[发明专利]复合电极及其制备方法、量子点发光二极管-CN201911390352.1有效
发明人：朱佩;罗植天 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合电极，包括：相对设置的第一二氧化锡薄膜和第二二氧化锡薄膜，以及插层设置在所述第一二氧化锡薄膜和所述第二二氧化锡薄膜之间的碳负载碳化钼薄膜，其中，所述碳负载碳化钼薄膜包括碳化钼和用于负载所述碳化钼的碳基质本发明提供的复合电极，以二氧化锡为表层材料，中间夹层薄膜材料兼具良好的导电性和机械延展性，赋予复合电极较高的载流子迁移率和柔韧性，而且不会产生金属元素的析出，具有较好的化学稳定性。
复合电极及其制备方法量子发光二极管

[实用新型]一种近红外钙钛矿发光二极管-CN202021036369.5有效
发明人：方国家;刘陈威;刘永杰;姚方 -专利权人：武汉大学深圳研究院
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种近红外钙钛矿发光二极管，包括依次层叠的ITO衬底、二氧化锡/氧化锌复合电子传输层、钙钛矿发光层、修饰层、空穴传输层和MoOx/Au电极；所述二氧化锡/氧化锌复合电子传输层由旋涂在ITO衬底上的二氧化锡薄膜和旋涂在二氧化锡薄膜上的氧化锌薄膜组成。本实用新型利用二氧化锡量子点宽带隙，高迁移率等特点提供了以二氧化锡/氧化锌复合层作为电子传输层的近红外钙钛矿发光二极管，实现了798nm处的近红外发光，启亮电压低至1.2 V，实现了三维钙钛矿的高效近红外发光
一种红外钙钛矿发光二极管

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