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- [发明专利]可溶性聚乙撑二氧噻吩的制备方法-CN200810053126.X有效
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封伟;李瑀
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天津大学
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2008-05-14
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2008-10-01
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C08G61/12
- 本发明涉及一种可溶性聚乙撑二氧噻吩的制备方法，属于光电功能材料的制备技术。该方法过程包括：配制对十二烷基苯磺酸的去离子水溶液，在溶液中加入乙撑二氧噻吩，制得单体溶液；制备硫酸铵或六水合三氯化铁去离子水溶液；将该溶液加入单体溶液中引发聚合反应，反应结束，加入丙酮破乳，经过滤得到反应产物，产物分别用丙酮及去离子水反复洗涤直至除去未反应的二氧乙撑噻吩，十二烷基对苯磺酸和过硫酸铵，将洗涤后的产物在真空干燥最终得到深蓝色的聚乙撑二氧噻吩固体粉末。本发明优点在于反应过程简单，所聚合聚乙撑二氧噻吩在N－N二甲基甲酰胺，二甲基亚砜，氯仿等中具有良好的溶解性，同时具有优良的光电特性。
- 可溶性聚乙撑二氧噻吩制备方法
- [发明专利]聚乙撑二氧噻吩纳米棒的化学制备方法-CN200610129504.9无效
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封伟;李瑀
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天津大学
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2006-11-22
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2007-06-06
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C08G61/12
- 本发明公开了一种聚乙撑二氧噻吩纳米棒化学制备方法，属于聚乙撑二氧噻吩导电材料技术。该方法包括以下过程：配制0.5～1.2mol/L樟脑磺酸和乙撑二氧噻吩的混合溶液及0.47～2.80mol/L的三氯化铁溶液，并将它们混合引发聚合反应，在0～5℃条件下反应得到产物。将洗涤后产物在50～80℃的条件下真空干燥6～24小时，得到深蓝色的聚乙撑二氧噻吩固体粉末。该方法过程简单成熟，制备过程和设备的要求较低，具有环境友好性；并且合成的聚乙撑二氧噻吩为纳米棒状聚集体颗粒，具有优良的导电率、结晶程度和共轭长度等物理特性。在光电器件领域具有潜在的应用前景。
- 聚乙撑二氧噻吩纳米化学制备方法
- [发明专利]一种二乙撑三胺的制备方法-CN201410322561.3无效
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郭汝轩
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重庆海洲化学品有限公司
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2014-07-08
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2014-11-05
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C07C211/14
- 本发明公开了一种二乙撑三胺的制备方法，具体步骤如下：向反应釜中加入液氨或氨水、亚氨基二乙腈和加氢催化剂，混匀后向反应釜中通入氮气置换反应釜中的空气，接着加热反应釜控制反应釜温度为100～140℃，压力为8～12MPa，然后通入氢气至氢气不再被吸收后半小时停止通入，得反应物料；将所得物料在沉降分离器中分离，收集沉降液，将沉降液脱出溶剂得到二乙撑三胺粗品；最后在温度为180～190℃，真空度为-0.085～-0.095MPa条件下精馏，得到二乙撑三胺精品；该方法工艺简单，产物组分分布简单，纯度高，可达90％以上，并且三废排放少，能够减少环境污染，能够用于工业生产二乙撑三胺。
- 一种二乙撑三胺制备方法
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