“不纯物”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2587621个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[其他]流体过滤装置-CN86104025无效
发明人：井上昇;福本隼明;浜正治;田村勝彦;冈上公彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1986-06-17 - 公布日： 1987-11-18 - 主分类号： B03C5/00 文献下载
摘要：在液体中加电压，破坏液体分子与不纯物分子间的静电结合。在一对具有吸附剂的电极之间，放入吸附剂，吸附剂表面所带电荷与不纯物分子所带电荷的极性相反，将不纯物静电吸附在电极及吸附剂上。对于不纯物分子被静电吸附后的液体，利用过滤器进行过滤。在液体中加电压，在不纯物粒子与液体间的界面上，消去带有与不纯物粒子所带电荷极性相反电荷的电偶层电位差，将若干个不纯物粒子静电凝聚。对于不纯物粒子静电凝聚后的液体，利用过滤器进行过滤。
流体过滤装置

[其他]流体过滤装置-CN101986000004025在审
发明人：井上升;福本隼明;浜正治;田村胜彦;冈上公彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1986-06-17 - 公布日： 1989-10-11 - 主分类号：文献下载
摘要：在液体中加电压，破坏液体分子与不纯物分子间的静电结合。在一对具有吸附剂的电极之间，放入吸附剂，吸附剂表面所带电荷与不纯物分子所带电荷的极性相反，将不纯物静电吸附在电极及吸附剂上。对于不纯物分子被静电吸附后的液体，利用过滤器进行过滤。在液体中加电压，在不纯物粒子与液体间的界面上，消去带有与不纯物粒子所带电荷极性相反电荷的电偶层电位差，将若干个不纯物粒子静电凝聚。对于不纯物粒子静电凝聚后的液体，利用过滤器进行过滤。
流体过滤装置

[发明专利]流体过滤装置-CN86104025.2无效
发明人：井上升;福本隼明;浜正治;田村胜彦;冈上公彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1986-06-17 - 公布日： 1989-10-11 - 主分类号： B03C5/00 文献下载
摘要：在液体中加电压，破坏液体分子与不纯物分子间的静电结合。在一对具有吸附剂的电极之间，放入吸附剂，吸附剂表面所带电荷与不纯物分子所带电荷的极性相反，将不纯物静电吸附在电极及吸附剂上。对于不纯物分子被静电吸附后的液体，利用过滤器进行过滤。在液体中加电压，在不纯物粒子与液体间的界面上，消去带有与不纯物粒子所带电荷极性相反电荷的电偶层电位差，将若干个不纯物粒子静电凝聚。对于不纯物粒子静电凝聚后的液体，利用过滤器进行过滤。
流体过滤装置

[发明专利]一种用于跟驰汽车的安全气囊结构-CN201410473183.9有效
发明人：陈拙夫 -专利权人：成都衔石科技有限公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： B60R21/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于跟驰汽车的安全气囊结构，包括护圈和位于护圈内的气体发生器，所述的护圈包括阻拦槛和位于阻拦槛上使高温不纯物不会落到气体发生器上的弯曲部，所述的弯曲部的内表面上设置有高温不纯物吸附层，其可完全阻止高温不纯物对气囊缓冲的腐蚀
一种用于汽车安全气囊结构

[实用新型]一种用于跟驰汽车的安全气囊-CN201420533113.3有效
发明人：陈拙夫 -专利权人：成都衔石科技有限公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： B60R21/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于跟驰汽车的安全气囊，包括护圈和位于护圈内的气体发生器，所述的护圈包括阻拦槛和位于阻拦槛上使高温不纯物不会落到气体发生器上的弯曲部，所述的弯曲部的内表面上设置有高温不纯物吸附层，其可完全阻止高温不纯物对气囊缓冲的腐蚀
一种用于汽车安全气囊

[发明专利]以超重力旋转填充床纯化硅原料的制造方法-CN201010180513.7有效
发明人：苏翔;苏毅恒;彭麦可 -专利权人：苏翔;苏毅恒;彭麦可
申请日： 2010-05-14 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：首先，液态硅原料与不纯物蒸汽及其它氯硅烷或硅烷在低于硅原料的沸点温度下，通过由有海绵状金属填充的第一超重力旋转填充床，不纯物蒸汽及其它氯硅烷或硅烷即从液态硅原料分离；其次，液态硅原料输入第二超重力旋转填充床，氧气也通入第二超重力旋转填充床以形成具较高沸点、包含不纯物的氢氧化硅复合物。最后，分馏以自硅原料除去包含不纯物的氢氧化硅复合物。从而达到更高纯度而无需花费时间及投资的多重分馏及高温反应的纯化工艺。
重力旋转填充纯化原料制造方法

[发明专利]连续制造乙烯－乙酸乙烯酯共聚物的方法及反应系统-CN03801858.6有效
发明人：蔡劲军;林黎星;张鸿铭;范广辉;林文星 -专利权人：长春石油化学股份有限公司
申请日： 2003-07-01 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： C08F218/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种连续制造乙烯－乙酸乙烯酯的方法，包括使乙烯与乙酸乙烯酯进行溶液共聚合反应，其特征在于使聚合反应的气相部分连接至一不纯物脱除塔并以聚合反应所用的溶剂洗涤该气相部分后，再循环回至反应系统，因而可除去反应所产生的不纯物本发明还涉及一种连续制造乙烯－乙酸乙烯酯共聚物的反应系统，该系统包括供乙烯与乙酸乙烯酯进行共聚反应的反应槽；连接至该反应槽的回收塔；连接至该回收塔底部的乙烯－乙酸乙烯酯共聚物出料导管；以及连接至该反应槽顶端的不纯物脱除塔供洗除反应中所产生的不纯物
连续制造乙烯乙酸共聚物方法反应系统

[发明专利]眼用装置的洗涤或水合设备与方法-CN00102274.1有效
发明人： M·E·施拉格尔;D·S·克尼;T·金德特－拉森;W·A·马丁 -专利权人：庄臣及庄臣视力保护公司
申请日： 2000-02-18 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： G02C13/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种水合或洗涤眼用装置的方法及设备，其中包含以下步骤：将先前已导流至不纯物浓度较低的眼用装置的流体引导至不纯物浓度较高的眼用装置。
装置洗涤水合设备方法

[发明专利]可降低导通电阻的功率半导体结构及其制造方法-CN200510120247.8无效
发明人：林仪宇 -专利权人：敦南科技股份有限公司
申请日： 2005-11-09 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明提供一种可降低导通电阻(Ron)的功率半导体(DMOS)结构及其制造方法，其中主要是在多晶硅结构的蚀刻完成后，利用具倾斜植入角度及可选择适当植入深度的离子植入方式，将第一传导型态的不纯物直接植入受接面场效晶体管(JFET)影响的磊晶区域内，且该第一传导型态的不纯物将受到该多晶硅结构的阻挡，而不会直接植入通道区域。藉此，可有效地令该通道区域不受该不纯物增加量的影响，且在启始电压不会改变的条件下，可缩短该通道区域的长度，以降低该通道区域的电阻，并在增加该不纯物的量后，可再降低该磊晶区域顶部的电阻。
降低通电功率半导体结构及其制造方法

[发明专利]信息处理装置、移动体、它们的控制方法以及存储介质-CN202310095111.4在审
发明人：细见直希 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06V10/764 文献下载
摘要：本发明提供一种信息处理装置、移动体、它们的控制方法以及存储介质，本发明的目的在于，利用图像识别的特征量来生成高效的提问，从而对作为目标的物标进行推定。信息处理装置获取拍摄图像，对拍摄图像所包含的多个物标进行检测，并针对检测出的多个物标中的每一个物标而提取出多个特征量。另外，本信息处理装置针对提取出的每个特征量而计算不纯度，该不纯度表示在向用户进行了用于基于各个特征量而从多个物标中推定出预定的物标的提问的情况下无法从多个物标中分离出预定的物标的程度。进一步地，本信息处理装置基于提取出的特征量和每个特征量的不纯度，以减少用于使不纯度最小化的提问次数的方式生成提问。
信息处理装置移动它们控制方法以及存储介质

[发明专利]一种不纯蒸汽收集冷凝设备-CN201810699974.1有效
发明人：朱红卫;党国元;谢建民;李成贤;齐春全 -专利权人：青海盐湖工业股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： B01D5/00 文献下载
摘要：本发明公开一种不纯蒸汽的收集冷凝装置，包括依次连接的气液分离器、减温器、不纯蒸汽洗涤器、以及循环泵，含有氯化镁卤水和不纯蒸汽的气液混合物通过气液分离器将不纯蒸汽和氯化镁卤水分离，不纯蒸汽经减温器降低温度形成减温蒸汽，在循环泵的作用下再经不纯蒸汽洗涤器洗涤，吸收其中的氯化氢后排放，减温器包括与气液分离器连接的文丘里管、设于文丘里管喉道的喷嘴、设于文丘里管另一端的套管、设于套管的温度传感器、控制装置，套管与不纯蒸汽洗涤器连接，减温器喷洒减温水降低不纯蒸汽的温度。本发明提供的不纯蒸汽的收集冷凝装置设有减温器，先进行降温处理，再进行洗涤吸收，降低高温蒸汽对管道或设备的损伤，降温效果好，延迟性小。
一种不纯蒸汽收集冷凝设备

[发明专利]利用CVD的TaC涂层的制造方法及利用该制造方法制造的TaC的性质-CN201811540454.2有效
发明人：曹东完 -专利权人：韩国东海碳素株式会社
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及包括不纯物含量特别小的TaC材料的制造方法及由此形成的TaC材料，根据本发明一个侧面的不纯物含量小的TaC材料的制造方法，包括：准备基材的步骤；及在所述基材的表面，在1600℃至2500℃的温度形成
利用 cvd tac 涂层制造方法性质

[发明专利]通过拉曼光谱法从含有干扰性荧光污染物的不纯组合物中检测海洛因-CN201610146858.8有效
发明人： C·M·加纳;M·D·哈格里夫斯;王培栋;沈育 -专利权人：赛默科技便携式分析仪器有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及通过拉曼光谱法从含有干扰性荧光污染物的不纯组合物中检测海洛因。本申请提供了一种用于鉴定不纯海洛因组合物中海洛因的存在性的方法，该不纯海洛因组合物包含海洛因以及至少一种干扰来自海洛因的拉曼信号的荧光污染物。该方法可以包括使该混合物与一种溶剂例如醇相接触，然后使所得的醇组合物与一个SERS表面相接触。然后将该表面暴露于来自一个手持式拉曼光谱仪的激光中以便检测来自海洛因的拉曼信号。
通过光谱含有干扰荧光污染物不纯组合检测海洛因

[实用新型]烟、叶、梗丝纯净度检测仪-CN200720085693.4无效
发明人：张楚安;吴霖;尤长虹;吴桂兵;李杭进 -专利权人：武汉烟草(集团)有限公司
申请日： 2007-07-04 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： G01N5/00 文献下载
摘要：检测仪由主机和风机组成，风管连接在风机和主机顶部的风口之间；主机的内腔底部设置有皮带，皮带的前、后端设置不纯净物出口和纯净物出口，在不纯净物出口的前上方设置有进料口。在不纯净物出口双侧设置有上弹丝辊和下弹丝辊。上弹丝辊设置在进料口对侧的不纯净物出口上部，下弹丝辊设置在上弹丝辊的对侧下方。所述的风机设置有转速调节旋钮。本实用新型采用风力分选，分离效果好。
纯净检测

[其他]耐银焊脆裂封接合金-CN87101657无效
发明人：马莒生;林英雄;北田景朗 -专利权人：清华大学
申请日： 1987-03-05 - 公布日： 1988-11-30 - 主分类号： C22C38/10 文献下载
摘要：本发明涉及Fe-Ni-Co系耐银焊脆裂封接合金，其成分为(1)Ni25～35重量％、Co13～20重量％，并添加B0.001～0.015重量％，其余为Fe及不可避免的不纯物；(2)上述的(1)种合金中再加入Ti、Zr、Nb、RE、Y至少一种元素，其含量为0.005～0.20重量％，其余为Fe及不可避免的不纯物；(3)Ni25～35重量％、Co13～20重量％，并添加Nb0.05～0.30重量％其余为Fe及不可避免的不纯物
耐银焊脆裂封接合

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top