“下导体层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6714780个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]具有双层导体的扁平软扁平电缆-CN201820373203.9有效
发明人：杨超群 -专利权人：瀚荃股份有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01B7/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有双层导体的扁平软扁平电缆。该电缆包括承载层、上导体层、上披覆层、下导体层及下披覆层。承载层具有一加强板、上绝缘层及下绝缘层，上绝缘层贴合于下绝缘层，加强板平行于上绝缘层及下绝缘层，并且与上绝缘层及下绝缘层并排。上导体层设置于承载层的上表面，上导体层具有多个上导体线。上披覆层局部地覆盖于上导体层，其中上导体层的部分裸露且位于加强板的一侧面。下导体层设置于承载层的下表面，下导体层具有多个下导体线。下披覆层局部地覆盖于下导体层，其中下导体层的部分裸露且位于加强板的另一侧面。其中多个上导体线以一对一的方式对齐于多个下导体线。
上导体层下导体层上绝缘层下绝缘层承载层加强板披覆层软扁平电缆双层导体上导体下导体裸露本实用新型侧面对齐上表面下表面覆盖贴合一对一平行电缆

[发明专利]多层叠板、半导体封装及半导体封装的制造方法-CN202210348218.0在审
发明人：藤田明 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及多层叠板、半导体封装及半导体封装的制造方法。一种多层叠板，包括：上绝缘层；下导体层，其包括第一下导体部；上导体层，其位于下导体层与上绝缘层之间并且包括第一上导体部以及第二上导体部；以及下绝缘层，其位于下导体层与上导体层之间。第一上导体部包括从上绝缘层的孔暴露的第一焊盘。第二上导体部包括从上绝缘层的孔暴露的第二焊盘。第一焊盘的至少一部分在下绝缘层的孔内与第一下导体部直接接触。第二焊盘位于下绝缘层的任意孔的外侧。
多层半导体封装制造方法

[发明专利]发光器件-CN201510292481.2有效
发明人：文智炯;李尚烈;朴范斗;金青松;朴相绿;郑炳学;李泰庸 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：公开了一种发光器件，包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构，与第一导电半导体层电连接的第一电极，发光结构下的镜层，镜层和发光结构之间的窗口半导体层，镜层下的反射层，位于反射层和窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层，以及反射层下的导电支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有较高掺杂浓度的C掺杂的P基半导体。导电接触层包括与具有比窗口半导体层的厚度薄的厚度的镜层的材料不同的材料。
发光器件

[发明专利]发光器件-CN201010242742.7有效
发明人：金炅俊;朴姝香 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：根据实施例的发光器件包括：第一导电半导体层；有源层，所述有源层在所述第一导电半导体层下；第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述有源层下；电流阻挡区，所述电流阻挡区在所述第二导电半导体层下；第二电极层，所述第二电极层在所述第二导电半导体层和所述电流阻挡区下；和第一电极层，所述第一电极层在所述第一导电半导体层上，包括布置的向着所述第一导电半导体层突起的突起。
发光器件

[发明专利]低温下剥离半导体层的方法-CN200980143152.4无效
发明人： D·兰德鲁;I·劳顿;S·文森特 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造UTBOX型结构的方法，包括：a)组装被称为“施予”衬底(1)的衬底与被称为“接受”衬底(2)的衬底，两个衬底的至少其中之一包括厚度小于50nm的绝缘层(3)；b)在低于400℃的温度下的用于加强两个衬底之间的组装的第一热处理，其在组装过程中和/或在组装之后执行以加强所述组装；c)在高于900℃的温度下的第二热处理，在400℃和900℃之间的暴露时间在1分钟内或30秒以下。
低温剥离半导体方法

[发明专利]半导体发光器件-CN201310258481.1有效
发明人：丁焕熙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：第一导电半导体层；第一导电半导体下的有源层；有源层下的第二导电半导体层；第二导电半导体层下的第二电极层；以及在第二导电半导体层和第二电极层之间的至少一部分处的透射导电层。
半导体发光器件

[发明专利]半导体发光器件-CN200980113901.9有效
发明人：丁焕熙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：第一导电半导体层；第一导电半导体下的有源层；有源层下的第二导电半导体层；第二导电半导体层下的第二电极层；以及在第二导电半导体层和第二电极层之间的至少一部分处的透射导电层。
半导体发光器件

[发明专利]辅助输入装置以及包括此辅助输入装置的电子装置和系统-CN201210270037.7在审
发明人：冯旭宏 -专利权人：宏达国际电子股份有限公司
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：上述辅助输入装置包括至少一按键，此按键包括上导体层、下导体层、以及至少一支撑件。下导体层配置于上导体层下方，且下导体层的下表面具有特定图案。支撑件配置于上导体层和下导体层之间，使上导体层和下导体层相隔一间距。当辅助输入装置放置于电容式触控感应器上且该按键接收导体对象的触压时，上导体层和下导体层的特定图案间是彼此电性导通，使电容式触控感应器检测到上述特定图案的接触。
辅助输入装置以及包括电子系统

[发明专利]发光器件-CN201010134448.4有效
发明人：丁焕熙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：所述发光器件包括：包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层下的有源层、和在有源层下的第二导电半导体层的多个化合物半导体层。在化合物半导体层上形成电极。在化合物半导体层的上部形成凹槽。在化合物半导体层下形成电极层。
发光器件

[发明专利]光检测装置-CN202180016936.1在审
发明人：野口登;柳原康宏;岛信之 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第1光检测元件具有第1下部电极层、第1下部杂质半导体层、第1本征半导体层、第1上部杂质半导体层以及第1上部电极层，第2光检测元件具有第2下部电极层、第2下部杂质半导体层、第2本征半导体层、第2上部杂质半导体层以及第2上部电极层，第2下部电极层被第2下部杂质半导体层以及第2本征半导体层覆盖。
检测装置

[实用新型]一种具有SHD图层的高速高频电路板-CN201721420051.5有效
发明人：刘兆;王福兴;耿涛;赵钱军 -专利权人：泰州市博泰电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有SHD图层的高速高频电路板，包括基板、上导体层、上绝缘层、若干上高频子板、若干上铜块、下导体层、下绝缘层、若干下高频子板以及若干下铜块；上导体层形成有上导电图形，所述下导体层形成有下导电图形，所述上导体层和下导体层分别位于基板的上下两侧；上绝缘层覆盖于上导体层，所述下绝缘层覆盖于下导体层；上绝缘层的上表面开设有若干上混压槽和若干上盲埋孔，所述若干上高频子板一一嵌设于若干上混压槽中，所述若干上铜块一一嵌设于若干上盲埋孔中，所述下绝缘层的下表面开设有若干下混压槽和若干下盲埋孔，所述若干下高频子板一一嵌设于若干下混压槽中，所述若干下铜块一一嵌设于若干下盲埋孔中。
上导体层下导体层盲埋孔混压嵌设铜块子板上绝缘层下绝缘层导电图形基板图层高频电路板高频电路上下两侧上表面下表面覆盖

[发明专利]多级掩模电路制造及多层电路-CN201380076184.3有效
发明人： P·梅;C·P·陶西格;M·阿尔曼扎-沃克曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-04-30 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：电路制造使用多级掩模来图案化多层电路的第一导体层。第一导体图案化是要提供第一导体层与覆在多级掩模上面和位于多级掩模下中的一者的第二导体层之间的电隔离。在第二导体层覆盖多级掩模的情况下，通过底切多级掩模来提供电隔离。替代地，在第二导体位于多级掩模下的情况下，第一导体包括桥接间隙式导体，并且可通过桥接间隙式导体以及第二导体层与第一导体层之间的绝缘层两者来提供电隔离。
掩模导体第二导体层第一导体层电隔离多层电路间隙式桥接绝缘层导体图案电路制造掩模电路图案化底切替代覆盖制造

[发明专利]半导体发光器件-CN200980113897.6无效
发明人：李尚烈 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：实施例提供一种半导体发光器件，其包括：第一导电半导体层；第一导电半导体层下的有源层；有源层下的第二导电半导体层；第二导电半导体层下的第二电极层；第二电极层的一侧上的绝缘体；以及绝缘体上的被电连接到第一导电半导体层的一端的第一电极
半导体发光器件

[发明专利]薄膜晶体管与其制作方法-CN200410011588.7有效
发明人：陈纪文;张鼎张;刘柏村;甘丰源 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-12-21 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明主要是提供一种薄膜晶体管，其包括有一半导体层、一下重掺杂半导体层与一上重掺杂半导体层构成的内岛状结构。其中下重掺杂半导体层设于半导体层的沟道区域外的相对两侧的上表面，而上重掺杂半导体层设于下重掺杂半导体层上且包覆下重掺杂半导体层相对于沟道区域外的两侧壁与半导体层相对两侧的侧壁，由此源极电极与漏极电极未与半导体层直接相连
薄膜晶体管与其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及显示面板-CN202211717856.1在审
发明人：张波 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，薄膜晶体管包括：栅极；氧化物半导体层，与栅极相对设置，氧化物半导体层包括：下氧化物半导体层，下氧化物半导体层包括锌元素；以及上氧化物半导体层，与下氧化物半导体层叠置，上氧化物半导体层包括锌元素以及钇元素；以及源极和漏极，与氧化物半导体层连接。
薄膜晶体管阵列显示面板

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条