专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多孔片状NiCo2-CN202011113377.X在审
  • 陈龙;陈琪磊;邵培源;冯熙奥;庞建祥;杨振 - 石河子大学
  • 2020-10-17 - 2021-01-15 - G01N27/30
  • 本发明涉及多孔片状NiCo2O4/、硫共掺杂还原氧化石墨复合电极材料的制备方法及用途,该方法采用、硫共掺杂还原氧化石墨的制备、Co(OH)2‑Ni(OH)2/、硫共掺杂还原氧化石墨制备、NiCo2O4/、硫共掺杂还原氧化石墨制备和NiCo2O4/、硫共掺杂还原氧化石墨复合材料修饰电极材料制备步骤完成本发明所述方法具有反应条件温和、易于控制、成本低等优势,所获得的NiCo2O4/、硫共掺杂还原氧化石墨复合修饰电极材料中维结构的NiCo2O4全部附着在二维结构多孔片状还原氧化石墨的表面上,既提高了材料的导电性能,又增大了其与电解质溶液的接触面积
  • 多孔片状nicobasesub
  • [发明专利]一种高迁移率掺杂大单晶石墨薄膜及其制备方法-CN201710372584.9有效
  • 刘忠范;彭海琳;林立;孙禄钊;张金灿 - 北京大学
  • 2017-05-24 - 2020-09-29 - C30B29/02
  • 本发明公开了一种高迁移率掺杂大单晶石墨薄膜及其制备方法。掺杂大单晶石墨薄膜中原子以石墨型掺杂于石墨晶格中;原子的掺杂形式为簇状掺杂;至少3个原子与碳原子形成簇状结构镶嵌于石墨薄膜中。掺杂大单晶石墨薄膜的制备方法包括如下步骤:采用还原性气体和含碳源气体作为生长气氛,利用化学气相沉积法在生长基底上生长单晶石墨岛;在氧化性气氛中对单晶石墨岛进行钝化处理;钝化处理结束后,利用化学气相沉积法进行石墨再生长即得本发明掺杂大单晶石墨薄膜可用于透明导电薄膜、透明电极、高频电子器件、发光器件、光伏器件、光电探测器件、电光调制器件、散热器件或疏水性器件封装中。
  • 一种迁移率掺杂晶石薄膜及其制备方法
  • [发明专利]一种超高掺杂的石墨的制备方法-CN201310198188.0有效
  • 唐涛;文剑锋 - 桂林理工大学
  • 2013-05-25 - 2013-08-21 - C01B31/04
  • 本发明公开了一种超高掺杂的石墨的制备方法。通过对吸附氨气的氧化石墨进行光照的方法来获得超高掺的石墨。未经过还原的氧化石墨在NH3(流量为10torr~30torr)氛围下,通过使用200nm~760nm的波长范围的光照,可以对氧化石墨进行掺杂得到掺的石墨碳原子比最大能达到20%。光照时间在5~60分钟范围内,相应的碳原子比在6%~20%之间。本发明所述的高掺杂石墨可以通过光照时间和光照强度来调控掺的含量,以达到调控石墨带隙的效果。
  • 一种超高掺杂石墨制备方法
  • [发明专利]一种硅-掺杂碳-掺杂石墨复合材料及其制备和应用-CN201510046686.2有效
  • 万怡灶;季德惠;罗红林;熊光耀 - 天津大学
  • 2015-01-29 - 2018-08-07 - H01M4/583
  • 本发明公开了一种硅‑掺杂碳‑掺杂石墨复合材料,由氧化石墨、含碳源和硅构成,其中,氧化石墨:含碳源:硅的质量比为1~4:2:2~6;通过溶液混合法和高温炭化法得到核壳结构的掺杂碳包覆硅颗粒,且该掺杂碳包覆硅颗粒均匀地镶嵌在掺杂石墨层间。其制备过程是:将含碳源溶液加入到硅的分散液中,搅拌超声;向在超声过程中的上述混合液中加入氧化石墨分散液;再经搅拌加热,蒸发制浆,冷冻干燥,以及高温炭化过程得到硅‑掺杂碳‑掺杂石墨复合材料。本发明利用含碳源,既在硅颗粒表面形成碳层,又对碳层及石墨进行了掺杂,制备过程简单可控、无污染,且此复合材料在很大程度上提高了整体的电化学性能。
  • 一种掺杂石墨复合材料及其制备应用
  • [发明专利]掺杂石墨的制备方法及其应用-CN201210302461.5有效
  • 刘兆平;曹海亮;周旭峰;唐长林 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 2012-08-23 - 2014-03-12 - C01B31/04
  • 发明提供了一种掺杂石墨的制备方法及其在超级电容器中的应用,掺杂石墨的制备方法具体为:将碳材料与含有活性元素的化合物置于密闭容器中,加热至100~300℃,得到掺杂石墨。制备掺杂石墨的过程中,在加热条件下,将含有活性元素的化合物中的元素掺杂进碳材料中,从而得到掺杂石墨。本发明采用上述方法制备掺杂石墨,避免了采用较高的反应温度,制备条件温和且生产成本较低。将本发明制备的杂石墨应用于超级电容器的电极材料,电流密度5A/g时,超级电容器的比容量可达190F/g;循环10000次,容量保持率为96.3%。
  • 掺杂石墨制备方法及其应用
  • [发明专利]一种改性锌负极、储能装置及其制备方法-CN202211736406.7在审
  • 申来法;王思堪;陈铎 - 南京航空航天大学
  • 2022-12-30 - 2023-04-07 - H01M10/42
  • 本申请实施例提供了一种改性锌负极、储能装置及其制备方法,所述改性锌负极包括:锌箔层,所述锌箔层的厚度为20μm~100μm;、硫双掺杂氧化石墨层,所述、硫双掺杂氧化石墨层涂覆在所述锌箔层上,所述、硫双掺杂氧化石墨层的厚度为10μm~50μm。本申请实施例在锌金属负极上制备了一层维多孔碳层(NSG),维碳网络和、硫官能团赋予维多孔碳层良好的电导率和锌亲和力,为Zn2+提供了大量的吸附位点,使电场分布均匀此外,NSG层的维多孔结构在锌剥离/沉积过程中具有良好的体积变化缓冲能力。这些共同促进了锌的快速和均匀沉积,有效的抑制副反应和锌枝晶的生长,提升锌离子电池的循环寿命。
  • 一种改性负极装置及其制备方法
  • [发明专利]一种硼、共掺杂石墨及其制备和应用-CN201310691216.2有效
  • 孙公权;金具涛;姜鲁华 - 中国科学院大连化学物理研究所
  • 2013-12-15 - 2017-01-25 - C07F5/02
  • 一种硼、共掺杂石墨,所述石墨为片层褶皱状结构,片层的层数在1‑10层之间;硼和处于石墨的分子晶格结构中;硼、处于不同的石墨六元环中,一个石墨六元环中存在一个硼或一个;或一个硼和一个处于同一石墨六元环中所述石墨采用惰性条件下两步加热保温法制得。与现有技术相比,该方法简单易行,制备过程无需催化剂,反应过程易于控制,适合于大规模生产。此外,采用本方法制备硼、共掺杂石墨具有掺杂元素在石墨晶格中的结构可以调控的优点。当获得分离状态的硼、掺杂的石墨时,其可保持硼和的掺杂本性,是一种良好的电催化材料;当获得结合状态硼和的石墨时,其可作为介电材料。
  • 一种掺杂石墨及其制备应用

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