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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储装置-CN202110214726.5在审
发明人：关春海;斋藤真澄 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：栅极电极层隔开；半导体层，设置于第1栅极电极层与第2栅极电极层之间，在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上延伸；以及介电层，包围半导体层，含有铪及锆的至少任一个与氧，且包含设置于第1栅极电极层与半导体层之间且以斜方晶系或三方晶系的结晶作为主要构成物质的第1区域、设置于第2栅极电极层与半导体层之间且以斜方晶系或三方晶系的结晶作为主要构成物质的第2区域、及设置于第1区域与第2区域之间且以斜方晶系及三方晶系的结晶以外作为主要构成物质的第3区域。
半导体存储装置

[发明专利]压电陶瓷-CN01803883.2有效
发明人：古川正仁;堀野贤治;室泽尚吾;五木田佳子 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-10-17 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：其压电陶瓷含有(Na0.5Bi0.5)TiO3等的菱面晶系钙钛矿构造化合物和BaTiO3，(K0.5Bi0.5)TiO3等的正方晶系钙钛矿构造化合物和NaNbO3，KNbO3，CaTiO3等的斜方晶系钙钛矿构造化合物，或者是含有菱面晶系钙钛矿构造化合物和正方晶系钙钛矿构造化合物和SrTiO3等的立方晶系钙钛矿构造化合物，通过含有结晶构造不同的三种钙钛矿构造化合物，可提高压电特性，三种化合物可以固溶，也可以不固溶。
压电陶瓷

[实用新型]热解石墨原电池防垢除锈器-CN201320245954.X有效
发明人：余刚 -专利权人：上海高聚生物科技有限公司
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C02F5/00 文献下载
摘要：通过防垢除锈器处理后的水中的碳酸钙的结晶习性发生改变，斜方晶系的方解石结构转变为三斜晶系的文石结构，锌能去除水中的溶解氧，保护系统不发生锈蚀。
石墨原电池除锈

[发明专利]压电陶瓷组合物及压电致动器-CN202080020495.8在审
发明人：田畑周平;平山武;志村元 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：在铌酸钾钠系的压电陶瓷组合物中，发生斜方晶系的晶体结构与正方晶系的晶体结构之间的相转变的转变温度存在于‑20℃以上60℃以下的温度区域。将在该温度区域晶体结构为斜方晶系时的线膨胀系数设为αo，将晶体结构为正方晶系时的线膨胀系数设为αt时，αt/αo为0.72以上。
压电陶瓷组合致动器

[发明专利]具有三斜晶系的低硅磷酸铝基CHA分子筛及制备方法、应用-CN202011434517.3有效
发明人：陶硕;厉晓蕾;李露;张翔宇 -专利权人：聊城大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C01B37/08 文献下载
摘要：本发明涉及低硅CHA分子筛技术领域，具体涉及一种具有三斜晶系的低硅磷酸铝基CHA分子筛及制备方法、应用：1)磷酸硅铝干凝胶制备：向去离子水中依次加入铝源、磷酸、氢氟酸、硅源，在冰浴中搅拌均匀后逐滴加入环氧丙烷得含氟的磷酸硅铝干凝胶；2)将步骤1)得到的含氟的磷酸硅铝干凝胶与去离子水混合后，加入有机胺模板剂搅拌，经烘干得分子筛合成的前驱体；3)将前驱体在密闭环境中进行加热晶化，晶化完成后经水洗、干燥、焙烧后得到具有三斜晶系的低硅磷酸铝基本发明制备的CHA结构的磷酸硅铝分子筛属于三斜晶系，具有低硅含量、低酸性的特点，在长寿命甲醇制烯烃(MTO)反应中具有重要的应用价值。
具有晶系磷酸 cha 分子筛制备方法应用

[发明专利]化合物-CN201980050314.3有效
发明人：佐佐木健一;川岛绘美;井上一吉;柴田雅敏;八百笃史 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />α＝111.70±0.50°，β＝107.70±0.50°以及γ＝90.00±0.50°，晶系呈现出三斜晶系
化合物

[发明专利]钙钛矿型氧化物材料,使用该材料的压电元件、液体喷出头和液体喷出设备，和制备方法-CN200610126135.8有效
发明人：松田坚义;青木活水;伊福俊博;武田宪一;福井哲朗;舟洼浩;横山信太郎 -专利权人：佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2006-08-23 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：由ABO₃表示的单晶结构或单一取向晶体结构的钙钛矿型氧化物，其中A位包括Pb作为主要组分、B位包括多种元素，该钙钛矿型氧化物包括多种选自四方晶系、六方晶系、斜方晶系、立方晶系、准立方晶系(pseudo cubic)和单斜晶系的晶相，多种晶相在<100>方向上取向。
钙钛矿型氧化物材料使用压电元件液体喷出设备制备方法

[发明专利]氟化钇系喷涂被膜、喷涂构件及氟化钇系喷涂被膜的制造方法-CN202080088163.3在审
发明人：岩崎凌;浜谷典明;谷口友悟 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C4/04 文献下载
摘要：通过对包含斜方晶系的YF3晶相、不含斜方晶系以外的YF3晶相的喷涂粉进行等离子体喷涂，制造包含斜方晶系的YF3晶相、不含斜方晶系以外的YF3晶相、维氏硬度为350以上的氟化钇系喷涂被膜。
氟化喷涂构件制造方法

[发明专利]一种电容器-CN201310375133.2在审
发明人：宋刚 -专利权人：成都精容电子有限公司
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容器，其含有式I所示化合物晶体，其中所述晶体化合物属于三斜晶系，P-1空间群，a=1.09091，b=1.16257，c=1.94343，α=81.38°，β=84.47°，γ=65.29
一种电容器

[发明专利]一种斜方晶系Mn7-CN202310328188.1在审
发明人：于泽坤;包括;崔田;朱品文;陶强 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01B32/914 文献下载
摘要：本发明的一种斜方晶系Mn7C3化合物的高温高压制备方法及应用属于磁性材料制备和应用领域。将锰粉和碳粉按摩尔比7:3混合用氮化硼包裹，再装入石墨管中在高温高压装置上加压至5.0GPa，升温至2300K保温保压30min；然后以200K/s速率退火，以5MPa/s速率卸压，得到具有各向同性磁阻效应的斜方晶系以所述斜方晶系Mn7C3化合物作为磁传感材料，可构成磁性传感器。本发明合成的各向同性磁阻效应的斜方晶系Mn7C3化合物具有优良的磁阻效应，基于此材料的具有高灵敏度的各向同性磁传感器具有结构简单可靠
一种晶系 mn base sub

[发明专利]正极活性物质和锂离子二次电池-CN201310687024.4有效
发明人：关秀明;佐野笃史;苏武正树;仲本朝嗣 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：所述正极活性物质为以化学式LiVOPO₄表示的化合物，所述化合物的晶系为斜方晶系，4价V的量为27.7质量%以上且28.2质量%以下。
正极活性物质锂离子二次电池

[发明专利]用于制备免疫佐剂的化合物-CN201210358141.1有效
发明人：弗朗西斯·G·方;詹姆斯·E·福伊;林恩·霍金斯;查尔斯·莱梅林;安德鲁·莱斯卡博;牛翔;吴阔明 -专利权人：卫材R&D管理有限公司
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C07D263/14 文献下载
摘要：806158，(R)-1-(((R-4，5-二氢-2-苯基唑-4-基)甲氧基)癸-3-醇，其具有三斜晶系和
用于制备免疫佐剂化合物

[发明专利]一种斜方晶系硫化亚镍纳米晶的制备方法-CN201510416492.7有效
发明人：王广胜 -专利权人：北京新怡源环保科技有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C01G53/11 文献下载
摘要：本发明公布了一种斜方晶系硫化亚镍Ni₉S₈纳米晶的制备方法，属于纳米晶合成方法技术领域。将下层为含有无机镍化合物的水层、上层为脂肪族硫醇的油层的两相物在密闭反应釜中加热反应，使油层中的脂肪族硫醇与水层中的镍离子在油水界面处发生反应，得到反应液；(2)将上述反应液冷却至室温，向其中加入沉淀剂，待沉淀析出后分离干燥得到斜方晶系硫化亚镍纳米晶本发明的制备方法采用两相法制备斜方晶系硫化亚镍Ni₉S₈纳米晶，所使用的原料廉价易得、设备工艺简单、反应条件温和、操作安全简便且重复性好，具有良好的发展和应用前景
一种晶系硫化纳米制备方法

[发明专利]电磁钢板及其制造方法-CN200980147568.3有效
发明人：竹田和年;小菅健司;高濑达弥;藤井浩康 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： C23C22/00 文献下载
摘要：所述磷酸金属盐的至少一部分具备选自立方晶系、正方晶系、六方晶系及斜方晶系中的至少1种晶体结构。
电磁钢板及其制造方法

[发明专利]一种黄体酮的药物共晶体及制备方法和应用-CN202110547456.X有效
发明人：徐娟;宁丽峰;马进 -专利权人：国家卫生健康委科学技术研究所
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C07J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种黄体酮的药物共晶体及制备方法和应用，所述药物共晶体黄体酮氨基吡嗪共晶，其中黄体酮和氨基吡嗪的摩尔比为1:1，该晶型为三斜晶系。
一种黄体酮药物晶体制备方法应用

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