[发明专利]用于抛光晶片的载体的储存方法无效
| 申请号： | 99814852.0 | 申请日： | 1999-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1331838A | 公开（公告）日： | 2002-01-16 |
| 发明（设计）人： | 池田正明;吉村一郎 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B24B37/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用于抛光硅晶片的载体(3)的存储方法,能够按减少硅晶片上的划痕的方式存储载体(3)。该方法包括把用于抛光硅晶片的载体(3)完全浸入存储在液体中。至少液体的基本部分是去离子水。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 晶片 载体 储存 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抛光硅晶片所用载体的存储方法，其特征在于，在晶片抛光工序中与晶片一起使用之前，把所述载体完全浸入存储在含去离子水的液体中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
