[发明专利]在半桥组态中减少MOSFET体二极管传导的方法和装置无效
| 申请号： | 99811475.8 | 申请日： | 1999-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1320298A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·K·伯格;卡里·L·德莱诺 | 申请（专利权）人： | 特里帕斯科技公司 |
| 主分类号： | H03B1/00 | 分类号： | H03B1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了配置于半桥组态的第一(M1)和第二(M2)转换开关操作的方法和装置。控制第一和第二栅极电压之一使得相应的第一和第二转换开关之一作为恒定电流源操作。 | ||
| 搜索关键词： | 组态 减少 mosfet 二极管 传导 方法 装置 | ||
【主权项】：
1．一种用于操作配置于半桥组态中第一和第二转换开关的方法，第一和第二转换开关分别具有第一和第二栅极，包括：分别控制第一和第二栅极上的第一和第二栅极电压，使第一转换开关开启，第二转换开关闭合；控制第一和第二栅极电压中之一使对应的第一和第二转换开关中之一作为恒定电流源工作；第一和第二转换开关中之一作为恒定电流源工作之后，控制第二栅极电压使第二转换开关开启；和控制第一栅极电压使第一转换开关闭合。
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