[发明专利]去除有机物的方法无效
| 申请号： | 99805789.4 | 申请日： | 1999-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1147925C | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | L·E·卡特;S·L·尼尔森 | 申请（专利权）人： | FSI国际股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 余岚 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种去除光致抗蚀剂的改进了的方法，在该方法中用臭氧和碳酸氢盐或其它合适的自由基清除剂的处理用溶液来处理电子器件用的基片。该方法特别适合于在基片表面上存在某些金属(如铝、铜以及它们的氧化物)的情况下去除光致抗蚀剂。该方法还适用于去除其它有机物。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 有机物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从电子器件用的基片上去除有机物的方法，该方法包括以下步骤：将臭氧和自由基清除剂源溶解在载体溶剂中得到处理用溶液，直接使用该处理用溶液对具有有机物外露区的基片进行处理，所述自由基清除剂源选自CO2、H2CO3、NH4HCO3、(NH4)2CO3、碳酸氢根离子的盐、碳酸根离子的盐、H3PO4、H2PO4-的盐、HPO42-的盐、PO43-的盐、乙酸、丙酮、叔丁醇、烷烃中的任意一种或其组合，所述处理用溶液的pH范围是5-10，条件是当自由基清除剂源包含H3PO4、H2PO4-的盐、HPO42-的盐、PO43-的盐中的任意一种或其组合时，处理用溶液的pH值为6-10。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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