[发明专利]太阳能电池装置及其制造方法无效
| 申请号： | 99801904.6 | 申请日： | 1999-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN1287690A | 公开（公告）日： | 2001-03-14 |
| 发明（设计）人： | 栁町信三 | 申请（专利权）人： | 时至准钟表股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种太阳能电池(2),具有依次叠合绝缘透明玻璃基片(10)、透明氧化物电极(12)、通过对透明氧化物电极(12)进行氧化性等离子体处理而形成的表面处理层(14)、氮化硅膜(16)、p型半导体层(18)、缓冲层(20)、本征半导体层(22)、n型半导体层(24)、以及金属电极(26)而成的多层结构。透明氧化物电极(12)的表面通过表面处理层(14)而化学稳定化,由此提高开路端电压。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种太阳能电池装置，在绝缘性基片上设置有透明氧化物电极，在该透明氧化物电极上依次设置有p型半导体层和本征半导体层和n型半导体层，同时在该n型半导体层上设置有金属电极，其特征在于，在所述透明氧化物电极的表面上设置施行氧化性等离子体处理而成的表面处理层，并经由该表面处理层设置所述p型半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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