[发明专利]在具有高低拓朴区域的集成电路上形成布线层的方法无效
| 申请号： | 99120355.0 | 申请日： | 1999-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1248791A | 公开（公告）日： | 2000-03-29 |
| 发明（设计）人： | 权喆纯;张主源;崔庸培 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在具有高、低拓朴区域的集成电路上形成布线层的方法,该方法包括以下步骤在该低拓朴区域,而非该高拓朴区域上,形成一下布线层;接着在至少该低拓朴区域形成一绝缘层;然后在该低拓朴区域和该高拓朴区域上形成一上布线层。本发明还涉及一种集成电路形成的方法及一种集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高低 拓朴 区域 集成电路 形成 布线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在具有高低拓朴区域的集成电路上形成布线层的方法，该方法包括以下步骤：在该低拓朴区域，而非该高拓朴区域上，形成一下布线层；接着在至少该低拓朴区域形成一绝缘层；然后在该低拓朴区域和该高拓朴区域上形成一上布线层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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