[发明专利]高速和低寄生电容的半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件的制造方法,所述半导体器件包括带有由外延生长或离子注入形成的基区的双极晶体管。双极晶体管有外延硅集电极层、直接在发射极下且被限定为本征基区的基区、和被限定为外基区的周边区域。所述方法包括下列步骤借助用于形成小孔的光刻胶,将离子注入集电极层中,在接近掩埋区的位置形成高浓度的集电极区。该方法还包括在形成基区之后,将离子注入集电极层中,直接在基区下形成高浓度的集电极区。

主权项

1．半导体器件的制造方法，包括下列步骤：形成带有高浓度的掩埋层和低浓度的表面区域的硅材料；在所述硅材料表面上形成单层或多层膜；利用光刻法和干腐蚀法，在膜中开出小孔；在去除光刻胶之前，将磷离子注入所述硅材料中，形成接近所述掩埋层的第一集电极区；将硼离子注入所述硅材料的所述表面中，形成本征基区；使用用于形成小孔的膜作为掩模，将磷离子有选择地注入所述硅材料中，在所述本征基区与所述第一集电极区之间形成第二集电极区；和设置多晶硅发射极，用于从所述多晶硅发射极使掺杂剂扩散进所述本征基区中，形成单晶发射区。