[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 99100622.4 | 申请日： | 1999-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN1226077A | 公开（公告）日： | 1999-08-18 |
| 发明（设计）人： | 小室雅宏 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3213;H01L21/30 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 首先,在一个有一个对准标记的半导体基片上形成一个导电层。然后,将光刻胶有选择性地形成在导电层的一个将要形成布线层的区域上和对准标记上。其后,用光刻胶作为一个掩膜,将导电层蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括以下步骤：在半导体基片上形成一个有对准标记的导电层；在所述的要形成布线层的导电层的一个区域上和对准标记上有选择性地形成光刻胶；用所述的光刻胶作为掩膜对所述的导电层进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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