[实用新型]双极高速功率开关晶体管发射区结构无效
| 申请号： | 98203022.3 | 申请日： | 1998-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN2323467Y | 公开（公告）日： | 1999-06-09 |
| 发明（设计）人： | 亢宝位;吴郁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/72 |
| 代理公司： | 北京工业大学专利代理事务所 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高速双极功率开关晶体管发射区结构。从剖面结构上看,这种发射区由轻掺杂的中心区域和分布在两侧的高掺杂的周边区域构成。该结构能够加速晶体管的关断过程,有效地改善双极功率晶体管的开关时间和开关损耗,提高晶体管关断时的热电稳定性,使之能够在更高的频率下正常且安全地工作。 | ||
| 搜索关键词： | 极高 功率 开关 晶体管 发射 结构 | ||
【主权项】：
1．一种双极高速功率开关晶体管发射区结构，其特征在于，从剖面结构上看，发射区由轻掺杂的中心区域(1)和分布在两侧的高掺杂的周边区域(2)构成。
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