[发明专利]硅基片及其制造方法无效
| 申请号： | 98124480.7 | 申请日： | 1998-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1110838C | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 渡边匡人 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C30B31/00;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够控制所导入的杂质的浓度和截面分布的单晶硅基片以及制造这种基片的方法。该硅基片由一单晶硅底层和一形成于该底层上的单晶硅低氧浓度层组成。该底层具有第一氧浓度，而低氧浓度层具有比第一氧浓度低的第二氧浓度。该方法包括在基片正面生长单晶硅外延层使其具有第二氧浓度，以及热处理该基片以产生氧外扩散形成低氧浓度层。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基片，包括：具有第一氧浓度的单晶硅底层；形成在所述底层上的单晶硅低氧浓度层；所述低氧浓度层具有比所述第一氧浓度低的第二氧浓度；所述低氧-浓度层包括由离子扩散引入的掺杂原子，所述掺杂原子被热激活；其中，减少了所述低氧-浓度层中的掺杂原子的扩散长度，并控制了掺杂原子的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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