[发明专利]动态随机存取存储器的电容器制造方法

摘要

一种电容器制造方法，包括多重物，氮化物层夹于氧化层之间，在交替氧化层与氮化物层的多重物中，开启存储节点接触窗，并停止于接着垫，沿其接触窗侧壁，剥除部分氮化物层，在顶部氧化层上与其接触窗中，形成共形第一即时掺杂多晶硅层，在接触窗中形成一层光致抗蚀剂层，剥除第一即时掺杂多晶硅层，并剥除光致抗蚀剂层，在顶部氧化层上方及其接触窗内，形成共形薄介电层，在其上形成第二即时掺杂多晶硅层，并填满其接触窗。

主权项

1.一种在具有与源极/漏极区相接的接着垫的一基底上，形成动态随机存取存储器的鰭状沟槽结构电容器的制造方法，其特征在于，该方法包括：形成包括一顶部氧化层的交替氧化层与氮化物层的一多重物，其中该各氮化物层夹于该各氧化层之间；在该交替的氧化层与氮化物层的多重物中，形成存储节点接触窗，该存储节点接触窗停止于该接着垫上；沿着该存储节点接触窗的侧壁，剥除部分该氮化物层；在该顶部氧化层上方，形成一第一即时掺杂多晶硅层，且与该存储节点接触窗的侧壁共形，并与该接着垫接触；在该基底上方沉积一光致抗蚀剂层；剥除位于该存储节点接触窗之外的该光致抗蚀剂层；剥除位于该顶部氧化层上的部分该第一即时掺杂多晶硅层；剥除该光致抗蚀剂层；在该顶部氧化层上方形成一薄介电层，且与该存储节点接触窗的侧壁上的该第一即时掺杂多晶硅层共形；以及在该薄介电层上方与该存储节点接触窗中，形成一第二即时掺杂多晶硅层。