[发明专利]可用氢离子改变其阈值电压的场效应晶体管的制造工艺

摘要

在内层绝缘结构(49)上完成布线带(51a/51b)之后，检测场效应晶体管(FET1)的阈值电压是否处于设计范围，如果阈值电压在设计范围之外，则通过内层绝缘结构、栅电极(44)和栅绝缘层(43)，向场效应晶体管的沟道区注入氢离子(H+)，在400℃对所得半导体结构退火20分钟，以便使沟道区中的掺杂杂质部分地钝化。

主权项

1.一种包括场效应晶体管(FET1；FET2；FET3；63/64)的半导体器件的制造工艺，包括如下步骤：a)制备半导体衬底(41；61；70)；b)为所述场效应晶体管分配所述半导体衬底的表面区域；c)制造具有阈值电压的所述场效应晶体管；该c)步骤包括以下具体步骤c-1)在所述表面区域的沟道区(42；73/74)中进行沟道掺杂，c-2)在所述沟道区上生长栅绝缘层(43；75/76)，c-3)在所述栅绝缘层上形成栅电极(44；77/78)，c-4)在所述表面区域中的所述沟道区两侧上形成源和漏区(46；81/82)，c-5)用内层绝缘结构(49；85)覆盖所述场效应晶体管，c-6)在所述内层绝缘层中形成接触孔(48a/48b)，用于至少暴露所述源和漏区，c-7)在所述内层绝缘结构上形成导电布线装置(50a/50b/51a/51b；86/87/88/89)，通过所述接触孔与所述源和漏区保持接触，c-8)通过所述内层绝缘结构、所述栅电极和所述栅绝缘层，以预定剂量向所述沟道区注入所述氢离子，c-9)在300-400℃对所述所得结构进行20分钟的处理d)制成包括所述场效应晶体管的所述半导体器件，其特征在于，上述步骤使得所述阈值电压可用氢离子控制。