[发明专利]一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法无效
| 申请号： | 98106064.1 | 申请日： | 1994-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1193809A | 公开（公告）日： | 1998-09-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;武内晃;竹村保彦;岛田浩行 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/324;H01L21/20;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多室系统,在半导体器件如半导体集成电路的制造中,提供一种高清洁度的处理。该系统包括多个真空设备(如膜形成设备、腐蚀设备、热处理设备和预备室),用于制造半导体器件。这些真空设备中至少一个是采用激光的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 薄膜晶体管 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造薄膜晶体管的方法，包括步骤如下：在基片上制备一个半导体层；将一杂质离子引入所述半导体层的选定部分；及在引入所述离子后，在所述半体体层上进行迅速的热退火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98106064.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
